一种A/O+SBR污水处理装置的制作方法

一种a/o sbr污水处理装置
技术领域
1.本发明属于污水处理技术领域，具体涉及一种a/o sbr污水处理装置。


背景技术：

2.在污水处理领域，a/o工艺应用尤其广泛，a/o工艺法也叫缺氧（厌氧）好氧工艺法，a是缺氧（厌氧）段，用于脱氮除磷；o是好氧段，用于除水中的有机物。它的优越性是除了使有机污染物得到降解之外，还具有一定的脱氮除磷功能。
3.a/o工艺将前段缺氧段和后段好氧段串联在一起，在缺氧段异养菌将污水中的淀粉、纤维、碳水化合物等悬浮污染物和可溶性有机物水解为有机酸，使大分子有机物分解为小分子有机物，不溶性的有机物转化成可溶性有机物，当这些经缺氧水解的产物进入好氧池进行好氧处理时，可提高污水的可生化性及氧的效率；在缺氧段，异养菌将蛋白质、脂肪等污染物进行氨化,游离出氨（nh3、nh4 ），在充足供氧条件下，自养菌的硝化作用将nh3
‑
n（nh4 ）氧化为no3
‑
，通过回流控制返回至a池，在缺氧条件下，异养菌的反硝化作用将no3
‑
还原为分子态氮（n2）完成c、n、o在生态中的循环，实现污水无害化处理。
4.a/o工艺后端需要设置单独的沉淀池，进行固液分离去除生化池中剥落下来的生物膜和悬浮污泥，使污水真正净化;依据处理规模，小规模时沉淀池可以与a/o系统共壁合建，大规模时需要单独设置沉淀池，无形中会增大整个a/o处理系统的整体占地面积，增大了投资费用，但无论哪种形式，沉淀池的设计都需要满足专门的沉淀池设计规范，从表面负荷、水力停留时间、泥斗大小等参数都要满足设计规范。
5.sbr工艺也称间歇曝气活性污泥法或序批式活性污泥工艺，简称sbr工艺。其主要特征是反应池一批一批地处理污水，釆用间歇式运行方式，每一个反应池都兼有曝气池和二沉池作用，因此不再设置二沉池和污泥回流段。
6.sbr污水处理工艺的整个处理过程实际上是在一个反应器内控制运行的。污水进入该反应池后按顺序进行不同的处理，一般来说，sbr工艺反应池的一个控制运行周期包括5个阶段：进水期、曝气充氧期、沉淀期、排水期及闲置期，也可以不设置闲置期；sbr工艺在运行时，5个工序的运行时间、反应器内混合液的体积、浓度及运行状态等都可根据污水性质、出水质量与运行功能要求灵活掌握。
7.sbr池最大的优点是沉淀效果好，因为所有的处理环节都在一个水池内进行，所以在沉淀阶段，不进水，也不曝气，能保证沉淀所需的时间，实现了理想的静态沉淀状态。但也因为这种结构形式，造成sbr单池的容积利用率较低，一个进水周期内，最多只有70%的时间进行曝气生物反应，剩下的时间用来沉淀排水，为了满足处理水量及水质的要求，无形中会加大对池体的数量和池体的容积，增大了土建投资费用。


技术实现要素：

8.为解决上述背景技术中提出的问题。本发明提供了一种a/o sbr污水处理装置，该组合工艺吸收了a/o工艺不仅能降解有机物还能脱氮除磷的优点和sbr工艺能实现理想的
静态沉淀状态，沉淀效果好的优点，将二者的长处充分发挥利用起来，又解决了a/o工艺需要单独设置二沉池的要求，将sbr池作为a/o工艺后端的二沉池来用，sbr池分为三格，分别循环轮流实现进水曝气、静置沉淀及排水的功能，三格水池从时间上依据各自工作程序的合理配置，能实现污水处理的24h连续运行；空间上与前端的a/o工艺组合，也是一个完整的处理工艺，有效的降解水中的cod、nh3
‑
n等有机污染物。
9.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种a/o sbr污水处理装置，包括处理池，处理池内设置有两道隔墙，两道隔墙将处理池内部空间依次分隔为缺氧池、好氧池以及sbr处理区，所述sbr处理区内包括有三个独立的sbr池，每个sbr池均通过好氧池与sbr处理区之间的隔墙与好氧池隔开，且在每个sbr池处均设置有进水拍门、活动排水堰和硝化液回流泵，所述进水拍门安装在sbr池与好氧池之间隔墙的上部，所述活动排水堰安装在处理池的池壁上用于将sbr池上部沉淀后的上清液排出处理池外，所述硝化液回流泵安装在sbr池的底部，且硝化液回流泵的排液端通过管道分别连接到缺氧池的内部以及处理池的外部，在每个sbr池内还均设置有充氧曝气装置。
10.优选的，三个独立的sbr池容积相同。
11.优选的，所述sbr处理区内的容积大小是好氧池的九分之一。
12.与现有技术相比，本发明的有益效果是：该组合工艺吸收了a/o工艺不仅能降解有机物还能脱氮除磷的优点和sbr工艺能实现理想的静态沉淀状态，沉淀效果好的优点，将二者的长处充分发挥利用起来，又解决了a/o工艺需要单独设置二沉池的要求，将sbr池作为a/o工艺后端的二沉池来用，sbr池分为三格，分别循环轮流实现进水曝气、静置沉淀及排水的功能，三格水池从时间上依据各自工作程序的合理配置，能实现污水处理的24h连续运行；空间上与前端的a/o工艺组合，也是一个完整的处理工艺，有效的降解水中的cod、nh3
‑
n等有机污染物，取消了单独的二沉池，节省了土建投资和占地面积，将原本需要在a/o工艺中好氧池进行的硝化液回流及在二沉池进行的污泥回流合二为一，取消了污泥回流泵，节省了设备投资和后期运行费用。
附图说明
13.附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：图1为处理池的平面结构示意图；图2为处理池的剖面结构示意图；图中：1处理池、2隔墙、3缺氧池、4好氧池、5sbr池、6进水拍门、7活动排水堰、8硝化液回流泵。
具体实施方式
14.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例
15.请参阅图1
‑
2，本实施例提供以下技术方案：一种a/o sbr污水处理装置，包括处理池1，处理池1内设置有两道隔墙2，两道隔墙2将处理池1内部空间依次分隔为缺氧池3、好氧池4以及sbr处理区，sbr处理区内包括有三个独立且容积相同的sbr池5，sbr处理区内的容积大小是好氧池4的九分之一，每个sbr池5均通过好氧池4与sbr处理区之间的隔墙2与好氧池4隔开，且在每个sbr池5处均设置有进水拍门6、活动排水堰7和硝化液回流泵8，进水拍门6安装在sbr池5与好氧池4之间隔墙2的上部，且该进水拍门6采用进水气动拍门，活动排水堰7安装在处理池1的池壁上用于将sbr池5上部沉淀后的上清液排出处理池1外或是达标排放，硝化液回流泵8安装在sbr池5的底部，且硝化液回流泵8的排液端通过管道分别连接到缺氧池3的内部以及处理池1的外部，在每个sbr池5内还均设置有充氧曝气装置。
16.其中三个进水拍门6，通过时间控制，时常保持一个进水拍门6开启，另外两个进水拍门6关闭，即当一格sbr池5作为进水曝气阶段时，该处的进水拍门6开启，好氧池4内的污水自流进入sbr池5，同sbr池5一起充氧曝气，此时另外两格sbr池5分别处于静置沉淀阶段和排水阶段，这两处拍门关闭，确保前端好氧池4内的污水不进入，从而保证不对静置沉淀阶段造成水力扰动，影响沉淀效果，也保证不会对出水上清液造成冲击和短流，确保出水水质稳定达标外排，三个拍门按照进水程序，24h依次循环交替轮流工作。
17.三格sbr池5依次轮流做进水曝气、静置沉淀和排水阶段使用，当其中一格做进水曝气阶段使用时，此部分与整个好氧池4组合为一个整体，做好氧处理单元，通过充氧曝气、搅拌，相当于污水在曝气时的sbr池5内又进行了好氧生物反应，延长了增加了好氧池4的池容，增加了污水的好氧停留时间，进一步降解了污水中的有机污染物和氧化氮氧化合物；此时处于排水阶段的第三格sbr池5作为二沉池使用，通过设置在池内的活动排水堰7将上部沉淀后的上清液排出池外；而处于静置沉淀阶段的第二格sbr池5，等候着进入下一个排水周期做排水阶段来使用；三格交替轮流循环进行，保证污水处理24h连续运行。
18.在每格sbr池5处于进水曝气阶段时，设置在池底的硝化液回流泵8将池内经过前端好氧生化后的混合液回流至最前端的缺氧池3进行反硝化生物脱氮反应，同时在每格sbr池5处于排水阶段时，上部排水，下部通过硝化液回流泵8将底部的沉淀污泥一部分回流到前端的缺氧池3用以补充前端缺氧池3内的污泥浓度，保证缺氧池3正常的处理效率，另一部分可通过阀门切换用硝化液回流泵8进行剩余污泥的外排。
19.具体操作步骤如下：假设三个sbr池5依次分别为1号sbr池5、2号sbr池5和3号sbr池5，当1号sbr池5处于进水曝气阶段时，1号sbr池5作为好氧池4的延续，成为好氧处理环节的一部分，此时位于1号sbr池5内的硝化液回流泵8开启，将1号sbr池5内的经过硝化反应后的硝化液回流至前端的缺氧池3，在缺氧环境下，控制池内溶氧量在0
‑
0.5mg/l,通过机械搅拌进行混合，靠缺氧池3内的反硝化菌进行生物反硝化脱氮反应，去除污水中的氮氧化合物；此时2号sbr池5处于静置沉淀阶段，位于该池内的硝化液回流泵8不工作，3号sbr池5处于排水阶段，位于该池内的活动排水堰7处于工作状态，进行排水工作，同时开启位于3号sbr池5内的硝化液回流泵8，可将沉淀污泥的一部分回流到前端的缺氧池3用以补充前端缺氧池3内的污泥浓度，保证缺氧池3正常的处理效率，通过阀门切换可将剩余污泥外排至污泥浓缩池，进行污泥脱水。
20.最后应说明的是：以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管
参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。