一种可增加等离子密度的ICP等离子体刻蚀设备的制作方法

技术特征：
1.一种可增加等离子密度的icp等离子体刻蚀设备，包括机体（1）、进气口（2）、耦合线圈（3）、基片（4）、散热管（5）、弹簧（6）和基片底座（7），其特征在于：所述机体（1）的内壁开设有固定口（8），所述弹簧（6）的上表面设置有连接块（100），所述连接块（100）的上表面定轴转动连接有转块（10），所述转块（10）的上表面与所述基片底座（7）的下表面固定连接，所述转块（10）的表面套接有卡块（9），所述卡块（9）的表面与所述固定口（8）的内壁固定连接，所述卡块（9）的内壁固定连接有滑块（11），所述转块（10）的表面开设有螺旋槽（12），所述滑块（11）与所述螺旋槽（12）滑动连接，所述机体（1）的内壁设置有用于对所述基片（4）进行遮挡的遮挡机构。2.根据权利要求1所述的可增加等离子密度的icp等离子体刻蚀设备，其特征在于：所述遮挡机构包括电动推杆（13），所述电动推杆（13）的侧面与所述机体（1）的侧面固定连接，所述机体（1）的右侧开设有用于所述电动推杆（13）的伸缩部穿过且与之滑动的滑口，所述电动推杆（13）的伸缩部固定连接有支撑块（31），所述支撑块（31）的左侧通过支架铰接有挡板（14），还包括转动部件。3.根据权利要求1或2中任意一项所述的可增加等离子密度的icp等离子体刻蚀设备，其特征在于：所述机体（1）的侧面设置有监控设备（15），所述机体（1）的侧面设置有吹风部件。4.根据权利要求3所述的可增加等离子密度的icp等离子体刻蚀设备，其特征在于：所述吹风部件包括吸热片（16），所述吸热片（16）设置在所述机体（1）的侧面，所述机体（1）的侧面固定连接有壳体（17），所述壳体（17）的内壁设置有风机（18），所述壳体（17）的侧面开设有出气口（19），所述壳体（17）的右侧设置有防尘罩（20）。5.根据权利要求1或2中任意一项所述的可增加等离子密度的icp等离子体刻蚀设备，其特征在于：所述机体（1）的表面设置有换热部件。6.根据权利要求5所述的可增加等离子密度的icp等离子体刻蚀设备，其特征在于：所述换热部件包括换热箱（21），所述换热箱（21）的上表面与所述机体（1）的下表面固定连接，所述换热箱（21）的内壁设置有水箱（22），所述水箱（22）的一端通过水泵（23）固定连通有换热管（24），所述换热管（24）呈缠绕状并设置有多个拐角，所述换热管（24）的端部与所述水箱（22）的另一端固定连通，所述换热箱（21）的内壁设置有制冷片（25）。7.根据权利要求2所述的可增加等离子密度的icp等离子体刻蚀设备，其特征在于：所述转动部件包括固定板（32），所述固定板（32）的右侧固定连接有连接杆（33），所述连接杆（33）的右侧与所述机体（1）的内壁固定连接，所述固定板（32）的表面开设有弧形槽（34）和横向槽（35），所述弧形槽（34）和所述横向槽（35）相连通，所述挡板（14）的表面固定连接有滑柱一（36）和滑柱二（37），所述滑柱一（36）和滑柱二（37）分别与所述弧形槽（34）和横向槽（35）的内壁滑动连接。8.根据权利要求1所述的可增加等离子密度的icp等离子体刻蚀设备，其特征在于：所述机体（1）的内壁设置有稳定筒（38），所述稳定筒（38）的内部设置有圆球（39），所述稳定筒（38）的下表面开设有出气孔（40）。

技术总结
本发明公开了一种可增加等离子密度的ICP等离子体刻蚀设备，涉及半导体制造技术领域，所述卡块的内壁固定连接有滑块，所述转块的表面开设有螺旋槽，所述滑块与所述螺旋槽滑动连接，所述机体的内壁设置有用于对所述基片进行遮挡的遮挡机构。本发明具备了通过螺旋槽的设置，使基片可以进行旋转，使得离子体可较为均匀的在基片的表面进行轰击，刻蚀效果更佳，同时配合吹风部件和换热部件对氮气散热法没有散发完成的热量，进行再次散热，且通过将挡板先旋转，再进行横移，使得不仅可对基片进行遮挡，同时挡板在运动的过程中，不会占据较多的空间，具备实用性更佳的效果。具备实用性更佳的效果。具备实用性更佳的效果。


技术研发人员：任斌 王乃雷
受保护的技术使用者：江苏籽硕科技有限公司
技术研发日：2021.07.02
技术公布日：2021/11/4