干蚀刻方法及半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种干蚀刻方法，其特征在于，针对具有硅化合物膜的基板，介由形成在所述硅化合物膜上的具有规定开口图案的掩膜，将干蚀刻剂等离子化后对所述硅化合物膜进行蚀刻，所述干蚀刻剂包含以下的所有第1气体至第4气体：第1气体：选自由碘氟碳化合物和溴氟碳化合物组成的组中的1种以上的化合物；第2气体：由c
n
f
m
表示的不饱和氟碳，n＝2～5的整数，m＝2、4、6、8所表示的整数，其中，n：m＝2：6、2：8、3：2、3：8、5：2的组合除外；第3气体：由c
x
h
y
f
z
表示的含氢不饱和氟碳，x＝2～4的整数，y z＝2、4、6、8所表示的整数，其中，x：y z＝2：6、2：8、3：2、3：8的组合除外而表示的整数；第4气体：氧化性气体。2.根据权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述第1气体中包含的碘原子和溴原子数少于所述第3气体中包含的氢原子数的2倍。3.根据权利要求1或2所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述干蚀刻剂中的所述第1气体的体积为所述第2气体和所述第3气体的总计体积的0.01倍以上且2倍以下的范围。4.根据权利要求1～3中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述干蚀刻剂中，以体积比计，所述第2气体：所述第3气体＝1：0.05以上且20以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述干蚀刻剂中，所述氧化性气体为所述干蚀刻剂的1体积％以上且50体积％以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述不饱和氟碳为选自由c3f6、c4f6和c5f8组成的组中的至少1种，所述含氢不饱和氟碳为c3h2f4。7.根据权利要求6所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述不饱和氟碳为六氟丙烯，所述含氢不饱和氟碳为反式
‑
1,3,3,3四氟丙烯。8.根据权利要求1～7中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述氧化性气体为选自由o2、o3、co、co2、cocl2、cof2和no2组成的组中的至少1种。9.根据权利要求1～8中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述干蚀刻剂还包含作为第5气体的非活性气体，所述非活性气体为选自由he、ne、ar、kr、xe和n2组成的组中的至少1种。10.根据权利要求1～9中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，对经等离子化的所述干蚀刻剂施加绝对值500v以上的负的直流的自偏压，对所述硅化合物膜进行蚀刻。11.根据权利要求1～10中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，对所述硅化合物膜进行蚀刻后，在所述干蚀刻剂所接触的所述基板的表面残留的碘原子和溴原子的量为1
×
10
11
原子/cm2以下。12.根据权利要求1～11中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述基板为硅晶圆。13.根据权利要求1～12中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述基板具有硅膜。14.根据权利要求1～13中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述硅化合物膜为选自由硅氧化物膜和硅氮化物膜组成的组中的1种以上的膜。15.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括蚀刻工序，该蚀刻工序通过根据权利要求1～14中任一项所述的干蚀刻方法对基板上的硅化合物膜进行蚀刻。16.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述蚀刻工序后进行去除
工序，该去除工序通过灰化或热退火将所述掩膜和/或所述蚀刻工序中在所述基板上生成的氟碳聚合膜去除。

技术总结
本发明的干蚀刻方法的特征在于：针对具有硅化合物膜的基板，介由形成在前述硅化合物膜上的具有规定开口图案的掩膜，将干蚀刻剂等离子化后对所述硅化合物膜进行蚀刻，前述干蚀刻剂包含以下的所有第1气体至第4气体。第1气体：选自由碘氟碳化合物和溴氟碳化合物组成的组中的1种以上的化合物；第2气体：由C


技术研发人员：大森启之 古谷俊太
受保护的技术使用者：中央硝子株式会社
技术研发日：2020.03.02
技术公布日：2021/11/4