一种基于金属辅助化学蚀刻的大高宽比探针及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种基于金属辅助化学蚀刻的大高宽比探针的制造方法，其特征在于，具体包括以下步骤：(1)在硅片顶层单晶硅表面进行光刻掩膜及深硅刻蚀，形成硅台结构；(2)在步骤(1)中得到的硅台结构的上表面进行电子束光刻，得到金属掩膜图案；(3)在步骤(2)中电子束光刻区域进行电子束蒸镀，洗去光刻胶，得到金属掩膜；(4)对步骤(3)中得到的金属掩膜进行金属辅助化学蚀刻，得到大高宽比硅柱；(5)去除残留金属掩膜，并对步骤(4)中的大高宽比硅柱顶端做硅的氧化处理和氢氟酸腐蚀以减小直径，得到大高宽比针尖；(6)在步骤(5)所得大高宽比针尖外侧旋涂保护层(7)在步骤(6)保护层的另一侧进行背部光刻、深硅刻蚀，并释放悬臂梁。去除保护层，得到大高宽比探针。2.根据权利要求1所述的基于金属辅助化学蚀刻的大高宽比探针的制造方法，其特征在于，所述硅片优选为soi硅片或双抛单晶硅片。3.根据权利要求1所述的基于金属辅助化学蚀刻的大高宽比探针的制造方法，其特征在于，所述金属掩膜的材料优选为金、银或铂。4.一种基于金属辅助化学蚀刻的大高宽比探针，其特征在于，由权利要求1
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3中任一权利要求所述方法制备得到。

技术总结
本发明公开了一种基于金属辅助化学蚀刻方法的大高宽比探针，该探针由一体化制造的基底、悬臂梁和大高宽比针尖组成。本发明采用光刻、刻蚀等常规微纳加工工艺结合金属辅助的化学湿法刻蚀制作得到。本发明利用金属辅助化学蚀刻技术，对硅进行各向异性的湿法蚀刻，得到大高宽比的针尖，且制备的针尖拥有侧面光滑、横截面形状变化小的优势。本发明基于传统微加工工艺，引进了金属辅助化学蚀刻技术，相对RIE、ICP等深硅刻蚀技术，具备低成本、可控性强等优点。等优点。等优点。


技术研发人员：胡欢 吴西航 张兰胜 丁小蕾
受保护的技术使用者：浙江大学
技术研发日：2021.07.27
技术公布日：2021/11/2