压力传感器封装结构及电子设备的制作方法

技术特征：
1.一种压力传感器封装结构，其特征在于，包括：基板；柔性外壳，与所述基板围成密封腔体；压力传感器，设置在所述腔体内，所述压力传感器具有第一端及第二端，所述第一端朝向所述基板设置，且设置有外接电极，所述外接电极与所述基板电连接，所述第二端朝向所述柔性外壳的内侧上表面，所述第二端设置有压力敏感部及电连接部，在受到外界压力时，所述柔性外壳将力传递至所述压力敏感部，所述电连接部通过导电结构与所述外接电极电连接。2.根据权利要求1所述的压力传感器封装结构，其特征在于，所述压力传感器包括封装体及位于所述封装体内的至少一压力传感器芯片，所述封装体具有第一表面及第二表面，所述压力传感器芯片的一表面具有压力敏感区及至少一芯片电极，所述压力敏感区暴露于所述封装体的第一表面，以作为所述压力敏感部，所述芯片电极设置在所述第一表面或者位于所述封装体内，以作为所述电连接部，所述外接电极设置在所述第二表面。3.根据权利要求2所述的压力传感器封装结构，其特征在于，所述导电结构包括重布线层及导电连接件，所述重布线层设置在所述封装体的第一表面，并与所述芯片电极电连接，以将所述芯片电极进行电学重新分布，所述导电连接件贯穿所述封装体，并将所述外接电极与所述重布线层电连接。4.根据权利要求3所述的压力传感器封装结构，其特征在于，所述压力传感器还包括隔离层，所述隔离层至少覆盖所述重布线层。5.根据权利要求2所述的压力传感器封装结构，其特征在于，所述封装体包括依次设置的封装层及介质层，所述压力传感器芯片设置在所述封装层的表面，所述介质层覆盖所述压力传感器芯片，所述压力敏感区及所述芯片电极设置在所述压力传感器芯片背离所述封装层的表面，所述压力敏感区暴露于所述介质层，以作为所述压力敏感部，所述芯片电极设置在所述介质层内，以作为所述电连接部，所述外接电极设置在所述封装层背离所述介质层的表面。6.根据权利要求5所述的压力传感器封装结构，其特征在于，所述导电结构包括导电连接件及导电线，所述导电连接件贯穿所封装层，并与所述外接电极电连接，所述导电线设置在所述介质层内，所述导电线将所述芯片电极与所述导电连接件电连接。7.根据权利要求1所述的压力传感器封装结构，其特征在于，所述压力传感器包括至少一压力传感器芯片，所述压力传感器芯片具有第一表面及第二表面，所述第一表面具有压力敏感区及至少一芯片电极，所述压力敏感区暴露于所述压力传感器的第一端，以作为所述压力敏感部，所述芯片电极作为所述电连接部，所述外接电极设置在所述压力传感器芯片的所述第二表面，所述导电结构贯穿所述压力传感器芯片的外围区域，以将所述芯片电极与所述外接电极电连接。8.根据权利要求7所述的压力传感器封装结构，其特征在于，所述压力传感器还包括隔离层，所述隔离层设置在所述压力传感器芯片的第一表面，且至少覆盖所述芯片电极。9.根据权利要求7所述的压力传感器封装结构，其特征在于，所述导电结构为导电柱或导电通孔。10.根据权利要求1～9任意一项所述的压力传感器封装结构，其特征在于，所述柔性外
壳的内侧上表面与所述压力敏感部接触，以将力传递至所述压力敏感部。11.根据权利要求1～9任意一项所述的压力传感器封装结构，其特征在于，所述柔性外壳的内侧上表面与所述压力敏感部具有一预设距离，在受到外界压力时，所述柔性外壳发生形变使得所述柔性外壳的内侧上表面与所述压力敏感部接触，以将力传递至所述压力敏感部。12.根据权利要求1～9任意一项所述的压力传感器封装结构，其特征在于，所述柔性外壳的内侧上表面和/或外侧上表面具有凸起，所述凸起设置为与所述压力敏感部对应。13.根据权利要求1～9任意一项所述的压力传感器封装结构，其特征在于，所述柔性外壳边缘设置有至少一连接柱，所述基板具有至少一固定孔，所述连接柱穿过所述固定孔，以将所述柔性外壳固定在所述基板上。14.一种电子设备，其特征在于，包括容纳空间，所述容纳空间具有相对设置的承载侧壁及工作侧壁，如权利要求1～13任一项所述的压力传感器封装结构设置在所述容纳空间内，所述承载侧壁承载所述压力传感器封装结构，所述工作侧壁与所述压力敏感部对应，外力通过所述工作侧壁作用在所述柔性外壳上，所述柔性外壳产生形变，以将力传导至所述压力敏感部。

技术总结
本发明提供一种压力传感器封装结构及电子设备，所述压力传感器封装结构包括基板；柔性外壳，与所述基板围成密封腔体；压力传感器，设置在所述腔体内，所述压力传感器具有第一端及第二端，所述第一端朝向所述基板设置，且设置有外接电极，所述外接电极与所述基板电连接，所述第二端朝向所述柔性外壳的内侧上表面，所述第二端设置有压力敏感部及电连接部，在受到外界压力时，所述柔性外壳将力传递至所述压力敏感部，所述电连接部通过导电结构与所述外接电极电连接。本发明的优点在于，大大提高了压力传感器封装结构的可靠性，且扩大了压力传感器封装结构的使用范围。力传感器封装结构的使用范围。力传感器封装结构的使用范围。


技术研发人员：李刚 闫安宁 张敏 梅嘉欣 孙同洋
受保护的技术使用者：苏州敏芯微电子技术股份有限公司
技术研发日：2020.04.30
技术公布日：2021/11/2