用于真空封装的吸气剂片以及红外探测器真空封装结构的制作方法

摘要: 本技术属于半导体封装领域,具体涉及一种用于真空封装的吸气剂片以及采用该吸气剂片的红外探测器真空封装结构。背景技术:1、非制冷红外探测器通常采用陶瓷封装结构,其一...
用于真空封装的吸气剂片以及红外探测器真空封装结构的制作方法

本技术属于半导体封装领域,具体涉及一种用于真空封装的吸气剂片以及采用该吸气剂片的红外探测器真空封装结构。

背景技术:

1、非制冷红外探测器通常采用陶瓷封装结构,其一般包括陶瓷管壳11、红外芯片2、电极凸台13、吸气剂3和窗片12。如图1和图2,红外芯片2设置于陶瓷管壳11的真空腔体内表面并与陶瓷管壳11面接触,电极凸台13设置于陶瓷管壳11内部的一侧并与管壳11固连,吸气剂3焊接于电极凸台13上,窗片12设置于管壳11的顶面,窗片12与陶瓷管壳11共同围合形成真空腔体,吸气剂3在激活后用于吸收腔体内的残余气体,以维持腔体的长期高真空状态。

2、现有技术中,吸气剂3通常采用长条形的片状结构,其两端分别焊接于两个电极凸台13上。在窗片12与管壳11焊接完成形成密封腔体后,通过向两个电极凸台13通入电流,电流经过片状吸气剂3后由电生热形成高温,吸气剂3在达到相应的高温后被激活,进而吸收探测器腔体内的残余气体。

3、然而,由于吸气剂3两端通过焊接方式与电极凸台13固定连接,而电极凸台13本身为热的良导体,在吸气剂3通电发热时,两端的热量会通过焊接点和电极凸台13快速散失,而中间段的热量散失较慢,导致吸气剂3表面温度分布严重不均匀,通常表现为中间段温度高、由中间向两端温度逐渐降低。这使得中间段的吸气剂3能够被充分激活,而靠近两端的吸气剂3因温度未达到激活温度而未被激活,吸气剂3的有效使用面积大幅减小,未能充分发挥其吸气作用,进而影响红外探测器的长期可靠性;图3示出了现有一种吸气剂3的激活温度分布图,该吸气剂3激活温度在300℃~340℃,吸气剂3全长12.5mm,只有中间红黄色区域为有效区域,长度大约5mm,其他区域未发挥作用。

技术实现思路

1、本实用新型涉及一种用于真空封装的吸气剂片以及采用该吸气剂片的红外探测器真空封装结构,至少可解决现有技术的部分缺陷。

2、本实用新型涉及一种用于真空封装的吸气剂片,所述吸气剂片包括中间主体段和两个用于与激活电极焊接的焊接端,至少其中一个焊接端与所述中间主体段之间设有热阻增大段,所述热阻增大段具有镂空部,和/或所述热阻增大段为弯折延伸段。

3、作为实施方式之一,所述热阻增大段具有镂空部时,所述镂空部为开设在所述热阻增大段中部的镂空孔,或者为开设在所述热阻增大段的侧边部的镂空槽。

4、作为实施方式之一,所述热阻增大段具有镂空部时,所述镂空部为方形镂空部。

5、作为实施方式之一,所述热阻增大段具有多个镂空部。

6、作为实施方式之一,所述热阻增大段为弯折延伸段时,所述弯折延伸段在所述吸气剂片的宽度方向上往复弯折。

7、作为实施方式之一,所述热阻增大段为弯折延伸段时,所述弯折延伸段在所述吸气剂片的厚度方向上起伏弯折。

8、作为实施方式之一,所述热阻增大段为弯折延伸段时,所述弯折延伸段呈蛇形。

9、作为实施方式之一,两个焊接端与所述中间主体段之间均设有热阻增大段,并且两个热阻增大段相对于所述中间主体段对称分布。

10、作为实施方式之一,所述热阻增大段与所述焊接端及所述中间主体段一体成型。

11、本实用新型还涉及一种红外探测器真空封装结构,包括封装壳体、红外芯片和吸气剂,所述封装壳体内设有两个激活电极,所述吸气剂采用如上所述的吸气剂片,两个所述焊接端分别与两个所述激活电极焊接。

12、本实用新型至少具有如下有益效果:

13、本实用新型在吸气剂片的焊接端与中间主体段之间设置热阻增大段,通过镂空结构或弯折延伸结构,有效增大了热量从吸气剂中间段向两端焊接点及激活电极传导的热阻,在相同的电激活条件下,吸气剂中间段产生的热量向两端散失的速度明显降低,使得吸气剂片沿长度方向的温度分布更加均匀,高温激活区域从传统的仅中间一小段扩展至吸气剂的大部分区域,吸气剂的有效激活面积大幅增加。由于吸气剂的有效激活面积大幅增加,被激活后能够参与吸气工作的吸气材料更多,吸气剂对腔体内残余气体的吸收能力更强、吸收容量更大,能够更有效地维持探测器腔体的长期高真空状态,从而显著提升红外探测器的长期工作可靠性和使用寿命。

1.一种用于真空封装的吸气剂片,所述吸气剂片包括中间主体段和两个用于与激活电极焊接的焊接端,其特征在于:至少其中一个焊接端与所述中间主体段之间设有热阻增大段,所述热阻增大段具有镂空部,和/或所述热阻增大段为弯折延伸段。

2.如权利要求1所述的吸气剂片,其特征在于:所述热阻增大段具有镂空部时,所述镂空部为开设在所述热阻增大段中部的镂空孔,或者为开设在所述热阻增大段的侧边部的镂空槽。

3.如权利要求1所述的吸气剂片,其特征在于:所述热阻增大段具有镂空部时,所述镂空部为方形镂空部。

4.如权利要求1至3任一项所述的吸气剂片,其特征在于:所述热阻增大段具有多个镂空部。

5.如权利要求1所述的吸气剂片,其特征在于:所述热阻增大段为弯折延伸段时,所述弯折延伸段在所述吸气剂片的宽度方向上往复弯折。

6.如权利要求1所述的吸气剂片,其特征在于:所述热阻增大段为弯折延伸段时,所述弯折延伸段在所述吸气剂片的厚度方向上起伏弯折。

7.如权利要求1所述的吸气剂片,其特征在于:所述热阻增大段为弯折延伸段时,所述弯折延伸段呈蛇形。

8.如权利要求1所述的吸气剂片,其特征在于:两个焊接端与所述中间主体段之间均设有热阻增大段,并且两个热阻增大段相对于所述中间主体段对称分布。

9.如权利要求1所述的吸气剂片,其特征在于:所述热阻增大段与所述焊接端及所述中间主体段一体成型。

10.一种红外探测器真空封装结构,包括封装壳体、红外芯片和吸气剂,所述封装壳体内设有两个激活电极,其特征在于:所述吸气剂采用如权利要求1至9任一项所述的吸气剂片,两个所述焊接端分别与两个所述激活电极焊接。