混液装置及半导体设备的制作方法

摘要: 本技术实施例涉及半导体制造领域,尤其涉及一种混液装置及半导体设备。背景技术:1、在集成电路制造过程中,晶圆的加工处理广泛涉及多种化学品混合液的应用。随着工艺节点...
混液装置及半导体设备的制作方法

本技术实施例涉及半导体制造领域,尤其涉及一种混液装置及半导体设备。

背景技术:

1、在集成电路制造过程中,晶圆的加工处理广泛涉及多种化学品混合液的应用。随着工艺节点的持续微缩,对晶圆加工精度的要求不断提高。鉴于混合液中各种化学品的浓度稳定性与晶圆质量息息相关的关系,故对混合液中各种化学品的浓度要求也愈发严格。

2、现有的混液装置难以保障混合液中各种化学品的浓度稳定性,成为了制约工艺能力进一步提升的瓶颈,因此,对现有混液装置进行改进,以实现更高精度的浓度控制,已成为行业内的迫切需求。

技术实现思路

1、本实用新型实施例解决的问题是提供一种混液装置及半导体设备,以提高混合液中各种化学品的浓度稳定性。

2、为解决上述问题,本实用新型实施例提供一种混液装置,包括:多个输入管路,所述输入管路上设置有流量控制调节部件;混液容器,用于混合经由各个所述输入管路流入至混液容器中的液体;主输送管路,设置于所述输入管路与所述混液容器之间,所述主输送管路的输入端与各个所述输入管路的输出端均连接,所述主输送管路具有多个输出端,或者,所述主输送管路具有一个位置可调节的输出端,用于在各个所述输入管路中的液体流量均达到预设要求,或者,用于各个所述输入管路所输送的液体在所述主输送管路中持续流通的时间满足预设时间,以使各个所述输入管路中的液体流量均达到预设要求时,使所述主输送管路与所述混液容器连通,以使各个所述输入管路中的液体经由所述主输送管路流入至所述混液容器。

3、可选的,在所述主输送管路具有多个输出端的情况下,所述主输送管路上设置有流路切换部件,所述主输送管路具有第一输出端和第二输出端,所述第一输出端与所述混液容器连接;在任一所述输入管路中的液体流量未达到预设要求时,所述流路切换部件用于使所述主输送管路的第一输出端与输入端之间断开,以及用于使所述主输送管路的第二输出端与输入端之间连通;在各个所述输入管路中的液体流量均达到预设要求时,所述流路切换部件用于使所述主输送管路的第一输出端与输入端之间连通。

4、可选的,所述主输送管路包括与各个所述输入管路均连接的第一输送管路、以及分别与所述第一输送管路连接的第二输送管路和第三输送管路,所述第二输送管路的输出端作为第一输出端,所述第三输送管路的输出端作为第二输出端;所述流路切换部件包括第一开关阀和第二开关阀,所述第一开关阀设置在所述第二输送管路上,所述第二开关阀设置在所述第三输送管路上。

5、可选的,在各个所述输入管路中的液体流量均达到预设要求时,第一开关阀开启且第二开关阀关闭,所述第一开关阀和所述第二开关阀均包括气动控制的开关阀。

6、可选的,所述主输送管路包括与各个所述输入管路均连接的第一输送管路、以及分别与所述第一输送管路连接的第二输送管路和第三输送管路,所述第二输送管路的输出端作为第一输出端,所述第三输送管路的输出端作为第二输出端;在各个所述输入管路中的液体流量均达到预设要求时,所述流路切换部件还用于使所述主输送管路的第二输出端与输入端之间断开,所述流路切换部件包括方向控制阀,所述方向控制阀的输入端与所述第一输送管路的输出端连接,所述方向控制阀的一个输出端与所述第二输送管路的输入端连接,所述方向控制阀的另一个输出端与所述第三输送管路的输入端连接。

7、可选的,所述方向控制阀包括换向阀或选择阀。

8、可选的,在所述主输送管路具有一个位置可调节的输出端的情况下,所述主输送管路包括与各个所述输入管路均连接的第四输送管路,以及与所述第四输送管路连通的第五输送管路;所述混液装置还包括:容器,所述容器中设置有沿横向排布且相隔离的废液容器和混液容器;拨杆,所述拨杆的一端与所述第五输送管路连接,另一端用于调节所述第五输送管路的输出端的位置;在任一所述输入管路中的液体流量未达到预设要求时,所述拨杆用于使所述第五输送管路的输出端朝向所述废液容器一侧;在各个所述输入管路中的液体流量均达到预设要求时,所述拨杆用于使所述第五输送管路的输出端朝向所述混液容器一侧;其中,所述第五输送管路位于所述容器中,且位于所述废液容器和所述混液容器的上方。

9、可选的,所述容器的底面设置有沿纵向延伸至靠近所述容器顶部的隔板,所述废液容器和所述混液容器之间通过所述隔板相互隔离。

10、可选的,靠近所述混液容器顶部的位置处设有满液位检测部件;所述混液容器的侧壁高度高于所述满液位检测部件的检测位置。

11、可选的,所述混液装置还包括:气缸,固定于所述容器的上方;连接件,所述连接件的一端与所述气缸的活塞杆固定连接,另一端与所述拨杆固定连接。

12、可选的,所述气缸包括双作用气缸。

13、可选的,所述废液容器的底部设置有废液输出管路,所述废液输出管路上设有第三开关阀,用于在所述废液容器有待排放的液体时开启,以及用于在所述废液容器无待排放的液体时关闭。

14、可选的,所述废液容器的靠近底部的位置设置有废液检测部件,所述废液检测部件用于确定所述废液容器中是否有待排放的液体。

15、可选的,所述第五输送管路为波纹管。

16、可选的,所述混液装置还包括:混液管路,设置于所述输入管路与所述主输送管路之间,所述混液管路的输入端与各个所述输入管路的输出端均连接,所述混液管路的输出端与所述主输送管路的输入端连接。

17、可选的,所述流量控制调节部件包括设置在所述输入管路上的流量自动调节阀和流量计,以及与所述流量计和流量自动调节阀分别耦接的调节阀控制器。

18、相应的,本实用新型实施例还提供一种半导体设备,包括:本实用新型任一实施例所述的混液装置。

19、可选的,所述半导体设备包括湿法刻蚀设备。

20、与现有技术相比,本实用新型实施例的技术方案具有以下优点:

21、本实用新型实施例提供的混液装置中,包括多个输入管路,且输入管路上设置有流量控制调节部件,混液容器,以及设置于输入管路与混液容器之间的主输送管路,主输送管路具有多个输出端,或者,主输送管路具有一个位置可调节的输出端,主输送管路的输出端用于各个输入管路中的液体流量在流量控制调节部件的调节下均达到预设要求的情况下,使各个输入管路中的液体经由主输送管路流入至混液容器,有利于使得混液容器中各种液体之间的比例满足预设要求,相应也有利于提高混液容器中各种液体的浓度稳定性,从而有利于提高后续工艺处理的可控性,进而有利于提高晶圆产品的质量稳定性。

1.一种混液装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的混液装置,其特征在于,在所述主输送管路具有多个输出端的情况下,所述主输送管路上设置有流路切换部件,所述主输送管路具有第一输出端和第二输出端,所述第一输出端与所述混液容器连接;

3.如权利要求2所述的混液装置,其特征在于,所述主输送管路包括与各个所述输入管路均连接的第一输送管路、以及分别与所述第一输送管路连接的第二输送管路和第三输送管路,所述第二输送管路的输出端作为第一输出端,所述第三输送管路的输出端作为第二输出端;

4.如权利要求3所述的混液装置,其特征在于,在各个所述输入管路中的液体流量均达到预设要求时,第一开关阀开启且第二开关阀关闭,所述第一开关阀和所述第二开关阀均包括气动控制的开关阀。

5.如权利要求2所述的混液装置,其特征在于,所述主输送管路包括与各个所述输入管路均连接的第一输送管路、以及分别与所述第一输送管路连接的第二输送管路和第三输送管路,所述第二输送管路的输出端作为第一输出端,所述第三输送管路的输出端作为第二输出端;

6.如权利要求5所述的混液装置,其特征在于,所述方向控制阀包括换向阀或选择阀。

7.如权利要求1所述的混液装置,其特征在于,在所述主输送管路具有一个位置可调节的输出端的情况下,所述主输送管路包括与各个所述输入管路均连接的第四输送管路,以及与所述第四输送管路连通的第五输送管路;

8.如权利要求7所述的混液装置,其特征在于,所述容器的底面设置有沿纵向延伸至靠近所述容器顶部的隔板,所述废液容器和所述混液容器之间通过所述隔板相互隔离。

9.如权利要求7所述的混液装置,其特征在于,靠近所述混液容器顶部的位置处设有满液位检测部件;所述混液容器的侧壁高度高于所述满液位检测部件的检测位置。

10.如权利要求7所述的混液装置,其特征在于,所述混液装置还包括:

11.如权利要求10所述的混液装置,其特征在于,所述气缸包括双作用气缸。

12.如权利要求7所述的混液装置,其特征在于,所述废液容器的底部设置有废液输出管路,所述废液输出管路上设有第三开关阀,用于在所述废液容器有待排放的液体时开启,以及用于在所述废液容器无待排放的液体时关闭。

13.如权利要求12所述的混液装置,其特征在于,所述废液容器的靠近底部的位置设置有废液检测部件,所述废液检测部件用于确定所述废液容器中是否有待排放的液体。

14.如权利要求7所述的混液装置,其特征在于,所述第五输送管路为波纹管。

15.如权利要求1~14中任一项所述的混液装置,其特征在于,所述混液装置还包括:混液管路,设置于所述输入管路与所述主输送管路之间,所述混液管路的输入端与各个所述输入管路的输出端均连接,所述混液管路的输出端与所述主输送管路的输入端连接。

16.如权利要求1~14中任一项所述的混液装置,其特征在于,所述流量控制调节部件包括设置在所述输入管路上的流量自动调节阀和流量计,以及与所述流量计和流量自动调节阀分别耦接的调节阀控制器。

17.一种半导体设备,其特征在于,包括:如权利要求1~16中任一项所述的混液装置。

18.如权利要求17中所述的半导体设备,其特征在于,所述半导体设备包括湿法刻蚀设备。