聚酰亚胺层叠体、带支撑体的聚酰亚胺层叠体、薄膜晶体管装置及聚酰亚胺层叠体的制造方法与流程

本发明涉及一种聚酰亚胺层叠体、带支撑体的聚酰亚胺层叠体、薄膜晶体管装置及聚酰亚胺层叠体的制造方法。

背景技术：

1、作为用于智能手机、电视、车载显示器等的显示器，已知具备有机发光二极管的显示器(以下有时记载为“oled显示器”)。oled显示器中，在切换显示画面时，有时会产生切换前的图像持续残留的问题(以下有时记载为“残影”)(参考专利文献1)。

2、另一方面，oled显示器中，通过薄膜晶体管(以下有时记载为“tft”)的电流控制来调整照度。例如，专利文献2所公开的oled显示器中，在依次具备第1聚酰亚胺层、硅氧化物层、非晶硅层及第2聚酰亚胺层的聚酰亚胺层叠体上配置tft。专利文献2中，通过在硅氧化物层与第2聚酰亚胺层之间配置非晶硅层来改善硅氧化物层与第2聚酰亚胺层的密合性。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：国际公开第2019/073929号

6、专利文献2：日本特开2021-105704号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、专利文献2等所公开的具有聚酰亚胺层叠体的oled显示器中，作为引起残影的原因，可列举：由于聚酰亚胺层叠体中的非晶硅层的电阻较低，故电子由tft的电场牵引至非晶硅层侧，聚酰亚胺层叠体变得容易带电。然而，若不于聚酰亚胺层叠体中设置非晶硅层，则有硅氧化物层(无机层)与第2聚酰亚胺层的密合性降低的情况。

3、鉴于上述情况，本发明的目的在于提供在2个聚酰亚胺层间不介置非晶硅层的构成中无机层与聚酰亚胺层的密合性优异的聚酰亚胺层叠体及其制造方法、以及具备该聚酰亚胺层叠体的带支撑体的聚酰亚胺层叠体及薄膜晶体管装置。

4、用于解决问题的方案

5、＜本发明的形态＞

6、本发明中包含以下形态。

7、[1]一种聚酰亚胺层叠体，其依次具备第1聚酰亚胺层、无机层及第2聚酰亚胺层，

8、上述无机层含有氧化硅层且不含有非晶硅层，上述氧化硅层包含与化学计量组成相比硅的比率大的氧化硅，

9、上述第2聚酰亚胺层与上述氧化硅层相接，

10、上述第2聚酰亚胺层所含的聚酰亚胺具有四羧酸二酐残基及二胺残基，

11、上述二胺残基包含硅氧烷二胺残基。

12、[2]如上述[1]所记载的聚酰亚胺层叠体，其中，上述与化学计量组成相比硅的比率大的氧化硅由下述通式(1)表示。

13、siox   (1)

14、(上述通式(1)中，x表示1.3以上且小于2.0的实数。)

15、[3]如上述[1]或[2]所记载的聚酰亚胺层叠体，其中，上述硅氧烷二胺残基为下述通式(2)所表示的二价的有机基团。

16、[化1]

17、

18、上述通式(2)中，r1及r2分别独立地表示二价的烃基，n表示1以上5以下的整数。

19、[4]如上述[1]至[3]中任一项所记载的聚酰亚胺层叠体，其中，上述四羧酸二酐残基包含3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐残基。

20、[5]如上述[1]至[4]中任一项所记载的聚酰亚胺层叠体，其中，上述二胺残基还包含对苯二胺残基。

21、[6]如上述[1]至[5]中任一项所记载的聚酰亚胺层叠体，其厚度为5μm以上且30μm以下。

22、[7]如上述[6]所记载的聚酰亚胺层叠体，其中，上述第1聚酰亚胺层的厚度比上述第2聚酰亚胺层的厚度大。

23、[8]如上述[1]至[7]中任一项所记载的聚酰亚胺层叠体，其中，上述无机层与上述第2聚酰亚胺层的密合强度为0.20n/cm以上。

24、[9]一种带支撑体的聚酰亚胺层叠体，其具备支撑体、及如上述[1]至[8]中任一项所记载的聚酰亚胺层叠体，

25、上述支撑体配置于上述聚酰亚胺层叠体的上述第1聚酰亚胺层侧。

26、[10]如上述[9]所记载的带支撑体的聚酰亚胺层叠体，其中，上述支撑体与上述第1聚酰亚胺层的密合强度为0.10n/cm以上。

27、[11]一种薄膜晶体管装置，其具备：如上述[1]至[8]中任一项所记载的聚酰亚胺层叠体、和薄膜晶体管层，上述薄膜晶体管层配置于上述聚酰亚胺层叠体的上述第2聚酰亚胺层上。

28、[12]一种聚酰亚胺层叠体的制造方法，其为如上述[1]至[8]中任一项所记载的聚酰亚胺层叠体的制造方法，上述方法具备以下工序：

29、工序sa，在上述第1聚酰亚胺层上形成上述无机层；

30、工序sb，在上述无机层的与上述第1聚酰亚胺层侧相反侧的主面涂布包含上述第2聚酰亚胺层所包含的上述聚酰亚胺的前体的溶液；及

31、工序sc，加热通过上述工序sb获得的涂布膜，使上述前体酰亚胺化。

32、[13]如上述[12]所记载的聚酰亚胺层叠体的制造方法，其中，包含上述前体的溶液还包含沸点为250℃以上400℃以下的咪唑系化合物。

33、[14]如上述[12]或[13]所记载的聚酰亚胺层叠体的制造方法，其中，在上述工序sa中，通过等离子体化学气相沉积法来形成上述无机层。

34、发明的效果

35、根据本发明，能够提供于2个聚酰亚胺层间不介置非晶硅层的构成中无机层与聚酰亚胺层的密合性优异的聚酰亚胺层叠体及其制造方法、以及具备该聚酰亚胺层叠体的带支撑体的聚酰亚胺层叠体及薄膜晶体管装置。

1.一种聚酰亚胺层叠体，其依次具备第1聚酰亚胺层、无机层及第2聚酰亚胺层，

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺层叠体，其中，所述与化学计量组成相比硅的比率大的氧化硅由下述通式(1)表示，

3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺层叠体，其中，所述硅氧烷二胺残基为下述通式(2)所表示的二价的有机基团，

4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺层叠体，其中，所述四羧酸二酐残基包含3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐残基。

5.根据权利要求1所述的聚酰亚胺层叠体，其中，所述二胺残基还包含对苯二胺残基。

6.根据权利要求1所述的聚酰亚胺层叠体，其厚度为5μm以上且30μm以下。

7.根据权利要求6所述的聚酰亚胺层叠体，其中，所述第1聚酰亚胺层的厚度比所述第2聚酰亚胺层的厚度大。

8.根据权利要求1所述的聚酰亚胺层叠体，其中，所述无机层与所述第2聚酰亚胺层的密合强度为0.20n/cm以上。

9.一种带支撑体的聚酰亚胺层叠体，其具备支撑体、及权利要求1~8中任一项所述的聚酰亚胺层叠体，

10.根据权利要求9所述的带支撑体的聚酰亚胺层叠体，其中，所述支撑体与所述第1聚酰亚胺层的密合强度为0.10n/cm以上。

11.一种薄膜晶体管装置，其具备：权利要求1~8中任一项所述的聚酰亚胺层叠体、和薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层配置于所述聚酰亚胺层叠体的所述第2聚酰亚胺层上。

12.一种聚酰亚胺层叠体的制造方法，其为权利要求1~8中任一项所述的聚酰亚胺层叠体的制造方法，所述方法具备以下工序：

13.根据权利要求12所述的聚酰亚胺层叠体的制造方法，其中，包含所述前体的溶液还包含沸点为250℃以上且400℃以下的咪唑系化合物。

14.根据权利要求12所述的聚酰亚胺层叠体的制造方法，其中，在所述工序sa中，通过等离子体化学气相沉积法来形成所述无机层。