面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划方法及系统与流程

本发明涉及工业实时控制，具体涉及面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划方法及系统。

背景技术：

1、在半导体集成电路制造过程中，去胶（photoresist stripping）是光刻工艺后用于去除晶圆表面残留光刻胶的关键制程，其效率与质量直接影响到后续芯片的良率。随着晶圆制造向微细化和高集成度方向发展，现代晶圆去胶制程设备逐渐演变为包含传送、去胶、冷却等多腔室集成的复杂自动化系统。为了追求更高的产能吞吐量，设备内部往往配备多个机械臂以实现多任务并发作业。然而，在这种高度紧凑的多区域工业实时控制环境下，传统的静态调度和单臂路径规划方法弊端凸显。各腔室与多机械臂之间常常因为动态环境变化、晶圆属性差异以及搬运时序错位，导致机械臂发生空间碰撞冲突、死锁或不必要的等待，且去胶工艺路径也无法根据晶圆的实际属性和工艺腔状态进行自适应调整。各工序间的断层使得传送、去胶与冷却无法形成有机联动，严重限制了全流程生产效率的整体提升。因此，如何在多腔室、多臂并发的动态环境下，实现精准的区域协同、路径自适应控制，成为当前半导体智能制造中亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本申请提供了面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划方法及系统，其关键在于，解决了现有晶圆去胶过程中各腔室、机械臂及工艺环节之间缺乏协同规划，导致晶圆传输等待时间长、去胶路径适应性差的技术问题，达到了通过对晶圆传送、去胶处理及冷却过程进行多区域协同规划和全流程优化，提高晶圆去胶效率、去胶均匀性和工艺稳定性的技术效果。

2、本申请的第一个方面，提供了面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划方法，所述方法包括：

3、获取半导体晶圆去胶制程设备，所述半导体晶圆去胶制程设备的腔室区域包括传送机构腔、去胶工艺腔和冷却腔；将半导体晶圆盒放置至晶圆上料区内读取待处理晶圆属性，并将所述半导体晶圆盒通过所述传送机构腔规划传送至去胶机台内部，标记待处理晶圆位置；通过多机械臂机器人基于所述待处理晶圆位置协同规划将晶圆抓取传送至所述去胶工艺腔，基于所述去胶工艺腔对所述待处理晶圆属性进行去胶工艺路径规划，确定目标去胶工艺路径参数；依据所述目标去胶工艺路径参数执行晶圆自适应去胶控制，并通过所述多机械臂机器人将去胶后晶圆送入所述冷却腔进行冷却联动规划和全流程协同优化。

4、本申请的第二个方面，提供了面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划系统，所述系统包括：

5、设备获取组件：获取半导体晶圆去胶制程设备，所述半导体晶圆去胶制程设备的腔室区域包括传送机构腔、去胶工艺腔和冷却腔；位置标记组件：将半导体晶圆盒放置至晶圆上料区内读取待处理晶圆属性，并将所述半导体晶圆盒通过所述传送机构腔规划传送至去胶机台内部，标记待处理晶圆位置；路径规划组件：通过多机械臂机器人基于所述待处理晶圆位置协同规划将晶圆抓取传送至所述去胶工艺腔，基于所述去胶工艺腔对所述待处理晶圆属性进行去胶工艺路径规划，确定目标去胶工艺路径参数；协同优化组件：依据所述目标去胶工艺路径参数执行晶圆自适应去胶控制，并通过所述多机械臂机器人将去胶后晶圆送入所述冷却腔进行冷却联动规划和全流程协同优化。

6、本申请中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

7、首先获取包含传送机构腔、去胶工艺腔和冷却腔的晶圆去胶设备，并在晶圆盒上料后读取待处理晶圆的相关属性。随后，规划晶圆盒在设备内部的传送路径，完成晶圆位置识别与标记。之后，根据晶圆位置和属性信息，控制多机械臂协同完成晶圆抓取及跨腔传送，并结合去胶工艺腔的运行条件规划适配的去胶工艺路径与参数。最后，按照目标参数实施自适应去胶处理，将处理后的晶圆转移至冷却腔进行联动冷却，并对晶圆传送、去胶和冷却全过程进行协同优化，实现晶圆去胶流程的智能化管理，提高工艺稳定性和设备运行效率。

1.面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划方法，其特征在于，将所述半导体晶圆盒通过所述传送机构腔规划传送至去胶机台内部，标记待处理晶圆位置，包括：

3.如权利要求1所述的面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划方法，其特征在于，通过多机械臂机器人基于所述待处理晶圆位置协同规划将晶圆抓取传送至所述去胶工艺腔，包括：

4.如权利要求3所述的面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划方法，其特征在于，通过多机械臂机器人基于所述晶圆属性位置映射表进行协同路径规划，得到晶圆跨腔协同路径，包括：

5.如权利要求1所述的面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划方法，其特征在于，基于所述去胶工艺腔对所述待处理晶圆属性进行去胶工艺路径规划，确定目标去胶工艺路径参数，包括：

6.如权利要求5所述的面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划方法，其特征在于，所述去胶工艺腔基于晶圆历史去胶工艺数据集进行工艺关联分析，生成晶圆去胶工艺模板库，包括：

7.如权利要求6所述的面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划方法，其特征在于，基于所述当前工艺腔状态对所述初始去胶工艺路径参数进行去胶工艺优化，确定目标去胶工艺路径参数，包括：

8.如权利要求1所述的面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划方法，其特征在于，通过所述多机械臂机器人将去胶后晶圆送入所述冷却腔进行冷却联动规划和全流程协同优化，包括：

9.如权利要求8所述的面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划方法，其特征在于，基于所述晶圆去胶全流程数据进行全流程协同优化，包括：

10.面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划系统，其特征在于，用于实施权利要求1-9任意一项所述的面向半导体晶圆的多区域协同去胶路径规划方法，所述系统包括：