半导体装置及其制造方法与流程

本揭露实施例是有关于一种半导体装置及其制造方法。

背景技术：

1、半导体积体电路（ic）产业生产各种类比和数位装置，以解决许多不同领域中的问题。半导体工艺技术节点的发展已逐渐减小元件尺寸并收紧间距，导致电晶体密度逐渐增加。ic已变得更小。

技术实现思路

1、在一些实施例中，半导体装置包括：在第一方向中延伸的第一波导；第一波导包括第一掺杂接触区域和加热目标区域；在第一方向中延伸且相对于垂直于第一方向的第二方向在第一波导的加热目标区域上的加热器；导电的塔，包括在第一掺杂接触区域上的第一塔；壁，包括在第一波导上且在第一塔和加热器之间的第一壁；以及第一壁包括配置为保护第一塔对抗来自加热器的热传递的一或多个第一材料。

2、在一些实施例中，制造半导体装置的方法包括：形成在第一方向中延伸的第一波导；第一波导包括第一掺杂接触区域和加热目标区域；形成在第一方向中延伸且在第一波导的加热目标区域上的加热器，相对于垂直于第一方向的第二方向；在加热器和第一波导上形成第一介电结构；在第一介电结构中蚀刻包括t凹槽和w凹槽的凹槽，其对应地暴露第一波导或加热器；在t凹槽和w凹槽中沉积材料，对应地形成塔和壁，塔包括在第一掺杂接触区域上的第一塔，以及壁包括在第一波导上且在第一塔与加热器之间的第一壁；以及沉积材料包括：在对应于第一壁的w凹槽中的一个中沉积一或多个第一材料，一或多个第一材料配置为保护第一塔对抗来自加热器的热传递。

3、在一些实施例中，半导体装置包括：在第一方向中延伸的第一波导；第一波导包括第一掺杂接触区域和加热目标区域；在第一方向中延伸且在第一波导的加热目标区域上的加热器，相对于垂直于第一方向的第二方向；导电的塔包括在第一掺杂接触区域上的第一塔；壁包括：在第一波导上且在第一塔与加热器之间的第一壁，以及在第一波导上且在第一塔与加热器之间的第二壁；以及第一壁包括配置为保护第一塔对抗来自加热器的热传递的一或多个第一材料；以及第二壁包括配置为保护第一塔对抗来自加热器的热传递的一或多个第二材料。

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于：

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于：

7.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：

10.一种半导体装置，其特征在于，包括：