基板热处理装置及涂覆显影设备的制作方法

摘要: 本申请涉及半导体设备领域,具体涉及一种基板热处理装置及涂覆显影设备。背景技术:1、基板热处理装置是涂覆显影设备内部的关键装置之一,其主要用于基板涂覆或者显影后对...
基板热处理装置及涂覆显影设备的制作方法

本申请涉及半导体设备领域,具体涉及一种基板热处理装置及涂覆显影设备。

背景技术:

1、基板热处理装置是涂覆显影设备内部的关键装置之一,其主要用于基板涂覆或者显影后对基板进行高温加热以去除光刻胶中的溶剂,使光刻胶硬化。因此涂覆显影设备中基板热处理装置的使用率极高。但是,对于不同类型的光刻胶进行热处理所需的温度可能不同,热板在进行温度较高的热处理工艺后,需进行冷却后,才能进行温度较低的热处理工艺。热板在进行温度较低的热处理工艺后,需进行升温后,才能进行温度较高的热处理工艺。另外,对于日常的维护而言,为了保证操作人员的安全,维护和维修基板热处理装置时,需要将基板热处理装置内部的热板从高温(70℃~450℃)降低到室温(23℃~30℃)才可进行操作。热板的温度越高,冷却需要的时间将会越长,进而导致设备的利用率降低。

2、申请号为jp2008035082的专利文献公开了一种基板热处理装置,该基板热处理装置包括:加热板,用于放置基板并对其进行加热;加热板温度调节部,位于加热板的下方,与加热板面接触,通过其内部流路中的温度调节介质来调节加热板的温度;温度调节介质供应流路,用于提供温度调节介质(如液体或气体);介质储存部,用于储存温度调节介质;控制部,用于向加热板温度调节部的流路供应高温温度调节介质,使加热板的温度上升,或者向加热板温度调节部的流路供应低温温度调节介质,使加热板的温度下降。

技术实现思路

1、针对上述技术问题,本申请的目的在于提升基板热处理装置的使用效率以及防止在对热板进行温度调节过程中导致热板碎裂。

2、为了实现上述目的,本申请提供了一种基板热处理装置及涂覆显影设备。

3、在一些实施方式中,基板热处理装置,包括:

4、腔体;

5、热板,设置于所述腔体内,用于承载和热处理基板;

6、温度调节机构,设置于所述热板的下方,用于调节所述热板的温度;其中,在所述热板和所述温度调节机构之间设置有空腔,所述空腔用于减缓所述温度调节机构对所述热板的热传递。

7、在一些实施方式中,涂覆显影设备,包括上述任一项所述的基板热处理装置。

8、与现有技术相比,本申请通过在热板的下方设置温度调节机构,以调节热板的温度,加快热板的温度调节速度,提升基板热处理装置的使用效率,且通过在热板和温度调节机构之间设置空腔,以减缓温度调节机构对热板的热传递,防止在温度调节机构调节热板温度的过程中,由于温度调节机构与热板直接接触,而导致热板温度骤变以及热板受热不均(局部过热或过冷),增加热板碎裂的风险。

1.一种基板热处理装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的基板热处理装置,其特征在于,所述温度调节机构包括:

3.根据权利要求2所述的基板热处理装置,其特征在于,所述介质通道包括第一介质通道,所述第一介质通道用于输送温度调节液体,以调节所述热板的温度。

4.根据权利要求2或3所述的基板热处理装置,所述介质通道包括第二介质通道,所述第二介质通道用于输送温度调节气体,以调节所述热板的温度。

5.根据权利要求4所述的基板热处理装置,还包括若干排气孔,所述若干排气孔分布在所述热板的外周,且所述若干排气孔与所述第二介质通道连通,用于向所述腔体内输送所述温度调节气体。

6.根据权利要求2所述的基板热处理装置,其特征在于,所述温度调节机构还包括:

7.根据权利要求1所述的基板热处理装置,其特征在于,包括:

8.根据权利要求7所述的基板热处理装置,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的基板热处理装置,其特征在于,还包括若干排气孔,所述若干排气孔分布在所述热板的外周,且所述若干排气孔与所述第二介质通道连通,用于向所述腔体内输送所述温度调节气体。

10.根据权利要求7所述的基板热处理装置,其特征在于,所述腔体包括:

11.根据权利要求10所述的基板热处理装置,其特征在于,

12.一种涂覆显影设备,其特征在于,包括权利要求1-11任一项所述的基板热处理装置。