射频MEMS开关及其制造方法与流程

本发明涉及半导体，特别涉及一种射频mems开关及其制造方法。

背景技术：

1、射频mems（micro-electro-mechanical systems, 射频微电子机械系统）开关，是利用mems技术制作的一种射频开关，它通过微机械结构的运动，来控制射频信号的导通与断开。射频mems开关是微波、射频收发系统的核心器件之一，在卫星通讯、雷达、导弹控制等领域有着广泛的应用。与传统的pin（二极管）及fet（场效应晶体管）微波开关器件相比，射频mems开关不但具有高隔离度、低损耗、低插损、高线性度等极其优异的微波性能，同时具有批量制作、尺寸小、易于与先进的微波、射频电路相集成的特点，是实现小型化、低成本、高性能的微波收发前端系统的关键技术。

2、现有的射频mems开关常存在接触异常的问题，从而导致射频mems开关的良率和可靠性较低。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种射频mems开关及其制造方法，以解决现有技术中的射频mems开关常存在接触异常的问题。

2、为了解决上述技术问题，本发明提供一种射频mems开关的制造方法，所述射频mems开关的制造方法包括：

3、提供衬底，所述衬底上形成有开关触点；

4、在所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层包括第一部分牺牲层以及与所述第一部分牺牲层相连的第二部分牺牲层，其中，所述第一部分牺牲层对准所述开关触点，所述第一部分牺牲层的表面较所述第二部分牺牲层的表面低或者齐平；

5、在所述牺牲层上形成金属层；以及，

6、释放所述牺牲层，形成射频mems开关。

7、可选的，在所述的射频mems开关的制造方法中，在所述衬底上形成牺牲层包括：

8、在所述衬底上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖所述衬底及所述开关触点；

9、在所述第一牺牲层中形成开口，所述开口暴露出所述开关触点；以及，

10、形成第二牺牲层，所述第二牺牲层填充所述开口并覆盖所述第一牺牲层，其中，所述第一部分牺牲层包括位于所述开口中的所述第二牺牲层，所述第二部分牺牲层包括所述第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层上的所述第二牺牲层。

11、可选的，在所述的射频mems开关的制造方法中，所述形成第二牺牲层包括：

12、在所述第一牺牲层表面及所述开口中旋涂牺牲材料层；以及，

13、固化所述牺牲材料层以形成所述第二牺牲层。

14、可选的，在所述的射频mems开关的制造方法中，所述第一牺牲层的材质和所述第二牺牲层的材质相同。

15、可选的，在所述的射频mems开关的制造方法中，所述开关触点位于所述开口的中心区域。

16、可选的，在所述的射频mems开关的制造方法中，所述开口的截面宽度是所述开关触点的截面宽度的1.2倍至5倍；所述开口的高度是所述开关触点的高度的1.1倍至2倍。

17、可选的，在所述的射频mems开关的制造方法中，所述金属层包括第一部分金属层以及与所述第一部分金属层相连的第二部分金属层，其中，所述第一部分金属层覆盖所述第一部分牺牲层，所述第二部分金属层覆盖所述第二部分牺牲层，所述第一部分金属层的下表面较所述第二部分金属层的下表面靠近所述衬底。

18、可选的，在所述的射频mems开关的制造方法中，所述第一部分金属层的厚度较所述第二部分金属层的厚度厚。

19、可选的，在所述的射频mems开关的制造方法中，所述金属层的材质和所述开关触点的材质相同。

20、本发明还提供一种射频mems开关，所述射频mems开关包括：

21、衬底，所述衬底上形成有开关触点；以及，

22、位于所述衬底上的金属层，所述金属层包括第一部分金属层以及与所述第一部分金属层相连的第二部分金属层，所述第一部分金属层对准所述开关触点，其中，所述第一部分金属层的下表面较所述第二部分金属层的下表面靠近所述衬底。

23、在本发明提供的射频mems开关及其制造方法中，在衬底上形成牺牲层，所述牺牲层包括第一部分牺牲层以及与所述第一部分牺牲层相连的第二部分牺牲层，所述第一部分牺牲层对准开关触点，所述第一部分牺牲层的表面较所述第二部分牺牲层的表面低或者齐平，由此，在所述牺牲层上形成金属层并释放所述牺牲层后，形成的射频mems开关中，金属层能够和开关触点很好地接触，提高了射频mems开关的良率和可靠性。

1.一种射频mems开关的制造方法，其特征在于，所述射频mems开关的制造方法包括：

2.如权利要求1所述的射频mems开关的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成牺牲层包括：

3.如权利要求2所述的射频mems开关的制造方法，其特征在于，所述形成第二牺牲层包括：

4.如权利要求2所述的射频mems开关的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材质和所述第二牺牲层的材质相同。

5.如权利要求2所述的射频mems开关的制造方法，其特征在于，所述开关触点位于所述开口的中心区域。

6.如权利要求2~5中任一项所述的射频mems开关的制造方法，其特征在于，所述开口的截面宽度是所述开关触点的截面宽度的1.2倍至5倍；所述开口的高度是所述开关触点的高度的1.1倍至2倍。

7.如权利要求1所述的射频mems开关的制造方法，其特征在于，所述金属层包括第一部分金属层以及与所述第一部分金属层相连的第二部分金属层，其中，所述第一部分金属层覆盖所述第一部分牺牲层，所述第二部分金属层覆盖所述第二部分牺牲层，所述第一部分金属层的下表面较所述第二部分金属层的下表面靠近所述衬底。

8.如权利要求7所述的射频mems开关的制造方法，其特征在于，所述第一部分金属层的厚度较所述第二部分金属层的厚度厚。

9.如权利要求1所述的射频mems开关的制造方法，其特征在于，所述金属层的材质和所述开关触点的材质相同。

10.一种射频mems开关，其特征在于，所述射频mems开关包括：