半导体封装结构和封装方法与流程

本发明涉及半导体封装，尤其是涉及一种半导体封装结构和封装方法。

背景技术：

1、随着半导体行业的快速发展，麦克风已经广泛应用于各种电子产品中，其中硅麦克风由于尺寸较小，稳定性强等特点，已经广泛应用在移动终端等电子产品中。硅麦克风包括mems（微机电系统，micro electro mechanical system的缩写）芯片，且mems芯片包括硅振膜和硅背极板。其中，mems芯片的工作原理是利用声音变化产生的压力梯度使硅振膜受声压干扰而产生形变，进而改变硅振膜和硅背极板之间的电容值，从而将声压信号转化为电压信号。现有mems硅麦产品设计中，声音大多从单孔进入，即声音信号从单一方向进入mems芯片和金属盖内部，当声音信号相对较弱时，声压信号就越弱，从而导致mems硅麦产品的灵敏度和信噪比下降。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种半导体封装结构和封装方法，有利于提升硅麦产品的拾音灵敏度以及信噪比。

2、第一方面，本发明提供一种半导体封装结构，包括：

3、基岛，所述基岛具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面贴装硅麦芯片；

4、引脚，所述引脚围设于所述基岛的外周，所述硅麦芯片与所述引脚电连接；

5、密封膜，所述密封膜配置成封闭所述基岛和所述引脚之间的间隙，且靠近所述第二表面一侧设置；

6、盖体，所述盖体罩设所述硅麦芯片和所述基岛，且所述盖体与所述引脚连接；所述基岛、所述引脚、所述密封膜和所述盖体共同围合形成第二音腔；所述盖体设有与所述第二音腔连通的第二进音孔；所述第二音腔包括位于第一表面靠近所述盖体一侧的第一腔体和位于所述基岛和所述引脚之间的第二腔体，所述第一腔体和所述第二腔体连通；所述第二腔体位于所述第一表面和所述密封膜之间。

7、在可选的实施方式中，所述第二表面设有第一金属板；所述第一金属板边缘形成第一折弯部，所述第一折弯部朝向所述第一表面延伸设置，且所述第一折弯部与所述基岛的侧壁具有第一间隙；

8、所述基岛的第一表面的边缘形成第二折弯部，所述第二折弯部朝向所述第二表面延伸设置，且所述第二折弯部与所述基岛的侧壁具有第一间隙；所述第一折弯部和所述第二折弯部相对设置，且所述基岛的侧壁、所述第一折弯部和所述第二折弯部共同形成第一音腔；其中，所述第一折弯部和所述第二折弯部之间的间隙形成第一进音孔，所述第一进音孔与所述第一音腔连通；所述第二音腔与所述第一音腔连通。

9、在可选的实施方式中，所述第一金属板和所述基岛之间设有第一胶层。

10、在可选的实施方式中，所述密封膜的一端与所述引脚连接，另一端与所述第一金属板连接。

11、在可选的实施方式中，所述密封膜远离所述第一表面的一侧和所述第一金属板远离所述第一表面的一侧齐平。

12、在可选的实施方式中，所述密封膜靠近所述第一表面的一侧低于或齐平于所述第一折弯部靠近所述第二折弯部的一侧表面。

13、在可选的实施方式中，还包括与所述硅麦芯片间隔设置的第一芯片，所述第一芯片贴装在所述基岛上，所述第一芯片与所述引脚连接。

14、在可选的实施方式中，所述第一芯片与所述硅麦芯片电连接。

15、在可选的实施方式中，所述引脚远离所述盖体的一侧贴装有第二金属板，所述第二金属板在所述引脚靠近所述基岛的一侧弯折形成第三折弯部，所述第三折弯部朝向所述第一表面延伸设置，且所述第三折弯部与所述引脚的侧壁具有第二间隙；

16、所述引脚远离所述第二金属板的一侧弯折形成与第三折弯部相对设置的第四折弯部，所述第四折弯部朝向所述第二表面延伸设置，且所述第四折弯部与所述引脚的侧壁具有第二间隙；

17、所述引脚的靠近所述基岛一侧的侧壁、所述第三折弯部和所述第四折弯部共同形成第三音腔；其中，所述第三折弯部和所述第四折弯部之间的间隙形成第三进音孔，所述第三进音孔分别与所述第二音腔和所述第三音腔连通。

18、在可选的实施方式中，所述引脚远离所述盖体的一侧设有凹槽，所述引脚上的第二金属板设于所述凹槽内。

19、在可选的实施方式中，所述第二金属板和所述引脚之间设有第二胶层。

20、在可选的实施方式中，所述密封膜分别与所述第一金属板和所述第二金属板连接。

21、在可选的实施方式中，所述密封膜靠近所述第一表面的一侧表面同时低于所述第一进音孔和所述第三进音孔。

22、在可选的实施方式中，所述引脚远离所述盖体的一侧设有边缘台阶槽。

23、第二方面，本发明提供一种封装方法，包括：

24、在基材的第一表面形成第一槽部，以分隔出基岛和引脚；

25、在所述第一表面形成封闭所述第一槽部的槽口的密封膜；

26、在所述基岛的第一表面贴装硅麦芯片；

27、在所述引脚的第一表面贴装盖体，以罩设所述基岛和所述硅麦芯片；其中，所述基岛、所述引脚、所述密封膜和所述盖体共同围合形成第二音腔；所述盖体设有与所述第二音腔连通的第二进音孔；所述第二音腔包括位于第一表面靠近所述盖体一侧的第一腔体和位于所述基岛和所述引脚之间的第二腔体，所述第一腔体和所述第二腔体连通；所述第二腔体位于所述第一表面和所述密封膜之间。

28、在可选的实施方式中，在基材的第一表面形成第一槽部，以分隔出基岛和引脚的步骤之后，还包括：

29、在所述基岛上贴装具有第一折弯部的第一金属板；所述第一折弯部与所述基岛的侧壁具有第一间隙；

30、去除所述第一槽部的槽底，以分离所述基岛和所述引脚，并在所述基岛边缘形成第一凸缘；

31、所述第一凸缘朝向所述第一表面弯折形成与所述第一折弯部相对设置的第二折弯部；所述第二折弯部与所述基岛的侧壁具有第一间隙；所述基岛的侧壁、所述第一折弯部和所述第二折弯部共同形成第一音腔；其中，所述第一折弯部和所述第二折弯部之间的间隙形成第一进音孔，所述第一进音孔与所述第一音腔连通；所述第二音腔与所述第一音腔连通。

32、在可选的实施方式中，在基材的第一表面形成第一槽部，以分隔出基岛和引脚的步骤中：

33、所述第一表面一侧，所述基岛的表面低于所述引脚的表面；

34、在所述基岛上贴装具有第一折弯部的第一金属板的步骤中：

35、所述第一金属板的表面与所述引脚的表面齐平。

36、在可选的实施方式中，在基材的第一表面形成第一槽部，以分隔出基岛和引脚的步骤中，还包括：

37、在所述引脚上形成边缘台阶槽。

38、在可选的实施方式中，在所述第一表面形成封闭所述第一槽部的槽口的密封膜的步骤之前，还包括：

39、在所述引脚上贴装具有第三折弯部的第二金属板；所述第三折弯部与所述引脚的侧壁具有第二间隙；

40、去除所述第一槽部的槽底，以分离所述基岛和所述引脚，并在所述基岛边缘形成第一凸缘的步骤中，还包括：

41、在所述引脚靠近所述基岛的一侧边缘形成第二凸缘；

42、所述第二凸缘朝向所述第一表面弯折形成与所述第三折弯部相对设置的第四折弯部；所述第四折弯部与所述引脚的侧壁具有第二间隙；所述引脚的侧壁、所述第三折弯部和所述第四折弯部共同形成第三音腔；其中，所述第三折弯部和所述第四折弯部之间的间隙形成第三进音孔，所述第三进音孔分别与所述第三音腔和所述第二音腔连通。

43、在可选的实施方式中，在所述第一表面形成封闭所述第一槽部的槽口的密封膜的步骤包括：

44、在所述第一表面形成密封膜，其中，所述第一槽部处的密封膜的厚度大于所述第一金属板或所述引脚上的密封膜的厚度；

45、所述第一凸缘朝向所述第一表面弯折形成与所述第一折弯部相对设置的第二折弯部的步骤之后，研磨所述密封膜，以露出所述第一金属板表面和所述引脚表面；所述密封膜位于所述第一折弯部和所述引脚之间。

46、本发明提供的半导体封装结构和封装方法，有益效果包括：

47、利用基岛和引脚之间的间隙形成第二腔体，提升音腔体积，增大了第二音腔内可供声波传播和反射的有效空间体积，使得进入第二音腔的声压信号进一步放大，从而提升了弱信号条件下的拾音灵敏度。