一种坩埚装置和坩埚内材料余量的检测方法与流程

本申请涉及坩埚设备，并且更具体地，涉及一种坩埚装置和坩埚内材料余量的检测方法。

背景技术：

1、在生产有机发光二极管(organiclight-emitting diode，oled)器件时，需要使用蒸镀机将有机材料蒸发并沉积到基板上，而坩埚是存放和加热这些材料的器件，现有技术中无法监测坩埚内材料的剩余量，从而对生产制造造成了不利影响。

技术实现思路

1、本申请提供一种坩埚装置和坩埚内材料余量的检测方法，可以实时监测坩埚内材料的剩余量。

2、第一方面，提供了一种坩埚装置，包括：坩埚、第一电极、第二电极、电容检测组件；其中，所述第一电极和所述第二电极分别设置于所述坩埚的两侧或所述坩埚上的材料余量检测部的两侧，所述第一电极、所述第二电极、以及所述第一电极和所述第二电极之间的介质构成电容，所述第一电极和所述第二电极分别通过导线与所述电容检测组件连接；所述电容检测组件用于检测所述电容的电容值，所述电容的电容值与所述坩埚内的材料余量相关。

3、基于上述装置，可以通过检测电容的电容值，确定坩埚内的材料余量，从而便于及时调整工况，避免材料过多或过少，可以更精准合理地安排生产。

4、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一电极和/或所述第二电极为平板电极，或者为曲面电极。

5、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一电极和/或所述第二电极的表面设置有绝缘层。

6、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一电极和所述第二电极之间的距离为15mm至35mm。

7、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述电容的有效面积与所述坩埚侧壁在第一平面上的投影面积的比值大于或等于0.85，且小于或等于1，其中，所述第一平面垂直于所述第一电极和所述第二电极的中心连接线。

8、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一电极和/或第二电极为曲面电极，包括：所述第一电极和/或第二电极为弧形电极，所述弧形电极的弧度大于或等于90°，且小于或等于170°。

9、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述装置还包括：支撑组件，所述支撑组件用于固定所述第一电极和/或第二电极。

10、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述电容检测组件包括通过硅、氮化硅、或砷化镓制备的芯片。

11、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述装置还包括：加热组件，所述加热组件设置于所述坩埚周围，所述第一电极和所述第二电极位于所述加热组件和所述坩埚之间。

12、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述装置还包括：第一介质层和第二介质层，所述第一介质层位于所述第一电极和所述坩埚的侧壁之间，所述第二介质层位于所述第二电极和所述坩埚的侧壁之间。

13、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一电极和/或所述第二电极的材料为下列材料的一项：钨、钼、石墨、或铂。

14、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述绝缘层的材料为下列材料的一项：氧化铝、氮化硼、或氧化硅。

15、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述装置还包括连接部，所述连接部用于连接所述坩埚和所述材料余量检测部，所述坩埚中的材料和所述材料余量检测部的材料通过所述连接部相连通，所述连接部的宽度与所述材料余量检测部的宽度的比值大于或等于0.2，且小于或等于1。

16、第二方面，提供了一种坩埚内材料余量的检测方法，该方法可以由第一方面及其任一实现方式中的装置执行，该方法包括：在所述坩埚内的材料余量为第一余量时，检测所述电容的电容值为第一电容值；在所述坩埚内的材料余量为0时，检测所述电容的电容值为第二电容值；根据所述第一电容值和所述第二电容值确定所述坩埚内的材料余量与所述电容的电容值的关联关系；根据所述关联关系确定所述坩埚内的材料余量。

1.一种坩埚装置，其特征在于，包括：坩埚、第一电极、第二电极、电容检测组件；其中，

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极为平板电极，或者为曲面电极。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极的表面设置有绝缘层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极之间的距离为15mm至35mm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征在于，所述电容的有效面积与所述坩埚侧壁在第一平面上的投影面积的比值大于或等于0.85，且小于或等于1，其中，所述第一平面垂直于所述第一电极和所述第二电极的中心连接线。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其特征在于，所述第一电极和/或第二电极为曲面电极，包括：

7.根据权利要求1至6中任一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

8.根据权利要求1至7中任一项所述的装置，其特征在于，所述电容检测组件包括通过硅、氮化硅、或砷化镓制备的芯片。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

10.根据权利要求1至9中任一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

11.根据权利要求1至10中任一项所述的装置，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极的材料为下列材料的一项：钨、钼、石墨、或铂。

12.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述绝缘层的材料为下列材料的一项：氧化铝、氮化硼、或氧化硅。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括连接部，所述连接部用于连接所述坩埚和所述材料余量检测部，所述坩埚中的材料和所述材料余量检测部的材料通过所述连接部相连通，所述连接部的宽度与所述材料余量检测部的宽度的比值大于或等于0.2，且小于或等于1。

14.一种坩埚内材料余量的检测方法，其特征在于，应用于如权利要求1至13中任一项所述的坩埚装置，所述方法包括：