一种磨削工作台和晶圆减薄设备的制作方法

本发明涉及晶圆超精密磨削，尤其涉及一种磨削工作台和晶圆减薄设备。

背景技术：

1、目前半导体行业采用在半导体晶圆的表面上形成有ic（integrated circuit，集成电路）或lsi（large scale integration，大规模集成电路）等电子电路来制造半导体芯片。晶圆在被分割为半导体芯片之前，通过磨削减薄加工装置来磨削晶圆的背面，该背面是指形成有电子电路的器件面的相反面，也称衬底。晶圆的背面减薄（grinding）指对封装前的硅晶片或化合物半导体等多种材料进行高精度磨削，使其厚度减少至合适的超薄形态。

2、磨削工作台由多层组成，各层的表面平整度或水平度均会影响最上层的表面平整度或水平度，特别是由于磨削工作台的直径很大、周长较长，实际受制于精度能力或安装因素，其上表面精度可能不理想，会出现随机新装的误差，导致不同表面之间处于不稳定接触的状态，最终影响超精密磨削的一致性。

技术实现思路

1、本发明实施例提供了一种磨削工作台和晶圆减薄设备，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

2、本发明实施例的第一方面提供了一种磨削工作台，包括由上至下依次叠放的安装盘、支撑环和基座，安装盘用于承载吸盘，支撑环与基座固定连接，安装盘与基座中的驱动机构连接，支撑环内部设有气浮结构，以实现安装盘悬浮于支撑环时在驱动机构的驱动下转动，所述支撑环的上表面具有三个高度完全一致的最高点，使得安装盘抵接于支撑环上表面时保持水平。

3、在一个实施例中，所述支撑环的上表面的最高点相对最低点高出1~50μm。

4、在一个实施例中，三个所述最高点沿支撑环的周向均匀分布。

5、在一个实施例中，所述支撑环的上表面的最高点和最低点之间平滑过渡。

6、在一个实施例中，所述支撑环的上表面具有起伏的形状。

7、在一个实施例中，所述最高点按照靠近磨削工件布置。

8、在一个实施例中，所述支撑环外侧壁设有配气接头，支撑环内部有气路，支撑环的上表面设有多个气孔，通过配气接头进气，从气孔出气以利用气压将安装盘连带其上的吸盘一同浮起。

9、在一个实施例中，所述支撑环的材料硬度在2.5到5之间。

10、在一个实施例中，所述安装盘包括上层和下层，上层包括分隔板和防水罩，下层包括分度盘。

11、本发明实施例的第二方面提供了一种晶圆减薄设备，包括：

12、吸盘，用于保持晶圆并带动晶圆旋转；

13、如上所述的磨削工作台，用于承载预设数量的所述吸盘并带动全部吸盘整体旋转；

14、磨削工件，用于对晶圆进行磨削减薄处理。

15、本发明实施例的有益效果包括：能够保证安装盘抵接在支撑环上时保持绝对水平或绝对平整，从而保证良好的接触稳定性与确定性。

1.一种磨削工作台，其特征在于，包括由上至下依次叠放的安装盘、支撑环和基座，所述安装盘用于承载吸盘，所述支撑环与所述基座固定连接，所述安装盘与所述基座中的驱动机构连接，所述支撑环内部设有气浮结构，以实现所述安装盘悬浮于所述支撑环时在所述驱动机构的驱动下转动；

2.如权利要求1所述的磨削工作台，其特征在于，所述支撑环呈环形，所述支撑环的外直径为1100～1300mm，所述支撑环的环宽为80～120mm。

3.如权利要求2所述的磨削工作台，其特征在于，所述支撑环的上表面具有起伏的形状，所述支撑环的上表面具有三个高度完全一致的最高点，所述安装盘抵接于所述支撑环上表面时由三个所述最高点共同支撑以保持水平，且所述支撑环的上表面的最高点相对最低点高出1～50μm。

4.如权利要求3所述的磨削工作台，其特征在于，三个所述最高点沿所述支撑环的周向均匀分布，三个所述最高点各自的中心与所述支撑环的中心连线互成120°夹角，且所述支撑环的上表面的最高点和最低点之间平滑过渡。

5.如权利要求3所述的磨削工作台，其特征在于，所述支撑环的材质为大理石，所述支撑环的材料硬度在2.5到5之间，所述支撑环的表面粗糙度优于ra0.8μm。

6.如权利要求3所述的磨削工作台，其特征在于，所述支撑环的上表面的最高点和最低点处均设置有所述气孔，且所述最高点按照靠近磨削工件布置，以在磨削工位处提供更优的气浮支撑效果。

7.如权利要求1所述的磨削工作台，其特征在于，所述安装盘包括固定连接的上层和下层，所述上层包括分隔板和防水罩，所述下层包括分度盘；所述分隔板沿所述磨削工作台的半径方向将上表面分割成多个均匀的扇形区域，每个所述扇形区域均设置有所述防水罩，所述防水罩与相邻的两片所述分隔板固定连接，每个所述防水罩表面开设有用于安装所述吸盘的安装孔，所述分度盘在所述驱动机构的驱动下带动所述分隔板、所述防水罩和多个所述吸盘同步旋转。

8.如权利要求7所述的磨削工作台，其特征在于，所述吸盘通过圆周均布的三个支撑点支撑在所述分度盘上，三个所述支撑点中一处为固定支撑，另两处为高度可调支撑，以调节吸盘平面相对于磨削工件的角度。

9.一种晶圆减薄设备，其特征在于，包括：

10.如权利要求9所述的晶圆减薄设备，其特征在于，所述吸盘设有三个，三个所述吸盘的中心与所述磨削工作台的中心连线互成120°夹角，三个所述吸盘在粗磨工位、精磨工位和装卸工位之间轮转；所述磨削工件包括分别用于实现粗磨削和精磨削的两个砂轮，所述粗磨工位和所述精磨工位分别与两个所述砂轮的位置对应。