用于互补金属氧化物半导体模拟多路复用器开关的电压测量的原位泄漏电流补偿技术的制作方法

摘要: 本公开总体上涉及互补金属氧化物半导体(cmos)模拟多路复用器开关的电压测量,以及用于cmos模拟多路复用器开关的电压测量的原位泄漏电流补偿技术。背景技术:1、...
用于互补金属氧化物半导体模拟多路复用器开关的电压测量的原位泄漏电流补偿技术的制作方法

本公开总体上涉及互补金属氧化物半导体(cmos)模拟多路复用器开关的电压测量,以及用于cmos模拟多路复用器开关的电压测量的原位泄漏电流补偿技术。

背景技术:

1、cmos模拟多路复用器开关是集成电路,它使用cmos晶体管(也被称为开关或门)以选择性地将多个模拟输入信号中的一个路由到单个输出(或反之亦然)。

技术实现思路

1、在一些实施方式中,电压测量系统包括:第一模拟缓冲放大器;第二模拟缓冲放大器;电阻器;单刀双掷开关(spdt);数模转换器(dac);以及模数转换器(adc),其中:adc的第一输入经由第一模拟缓冲放大器被连接到cmos模拟多路复用器开关的输出,当spdt是在第一位置中时,dac可操作以经由电阻器连接到cmos模拟多路复用器开关的输出并且经由第二模拟缓冲放大器连接到adc的第二输入,并且当spdt是在第二位置中时,dac可操作以不经由电阻器连接到cmos模拟多路复用器开关的输出并且不经由第二模拟缓冲放大器连接到adc的第二输入。

2、在一些实施方式中,微机电系统(mems)设备包括:电阻器;spdt开关;dac;adc;以及控制器,其中:adc的第一输入被连接到mems设备的cmos模拟多路复用器开关的输出,并且当spdt是在第一位置中时,dac可操作以经由电阻器连接到cmos模拟多路复用器开关的输出并且连接到adc的第二输入。

3、在一些实施方式中,方法包括:当cmos模拟多路复用器开关是在去激活状态中并且选择器开关是在第一位置中时,通过电压测量系统的控制器,使得该电压测量系统的、经由选择器开关可操作地被连接到cmos模拟多路复用器开关的输出的dac执行电压扫描操作;通过控制器,使得经由选择器开关可操作地被连接到dac并且被连接到cmos模拟多路复用器开关的输出的adc,获取与dac及电压扫描操作相关联的第一adc计数,以及与cmos模拟多路复用器开关的输出及电压扫描操作相关联的第二adc计数;在电压扫描操作完成之后并且当选择器开关是在第二位置中时,通过控制器,使得cmos模拟多路复用器开关执行顺序输入开关激活操作;通过控制器,使得adc获取与cmos模拟多路复用器开关的输入开关及顺序输入开关激活操作相关联的第三adc计数;以及通过控制器,基于第一adc计数、第二adc计数和第三adc计数,确定与cmos模拟多路复用器开关的输入开关相关联的第四adc计数。

1.一种电压测量系统,包括:

2.根据权利要求1所述的电压测量系统,还包括:

3.根据权利要求2所述的电压测量系统,其中所述第一adc计数指示针对所述电压扫描操作的dac计数的所述dac处的测量电压。

4.根据权利要求2所述的电压测量系统,其中所述第二adc计数指示针对所述电压扫描操作的dac计数的所述cmos模拟多路复用器开关的所述输出处的测量电压。

5.根据权利要求2所述的电压测量系统,其中针对所述电压扫描操作的特定dac计数,所述第一adc计数中的特定第一adc计数与所述第二adc计数中的相对应第二adc计数之间的差,指示由于所述cmos模拟多路复用器开关中的泄漏电流导致的adc计数误差。

6.根据权利要求2所述的电压测量系统,其中所述控制器还被配置为:

7.根据权利要求6所述的电压测量系统,其中所述第三adc计数指示在所述cmos模拟多路复用器开关的所述输出处的测量电压,每个第三adc计数与在所述顺序输入开关激活操作期间被激活的所述cmos模拟多路复用器开关的相应输入开关相关联。

8.根据权利要求6所述的电压测量系统,其中所述控制器还被配置为:

9.根据权利要求8所述的电压测量系统,其中所述第四adc计数指示所述cmos模拟多路复用器开关的所述输入开关的泄漏电流校正电压。

10.根据权利要求1所述的电压测量系统,其中所述电压测量系统被包括在微机电系统mems设备中。

11.一种微机电系统mems设备,包括:

12.根据权利要求11所述的mems设备,其中所述控制器被配置为:

13.根据权利要求12所述的mems设备,其中所述控制器被配置为:

14.根据权利要求13所述的mems设备,其中所述控制器被配置为:

15.根据权利要求14所述的mems设备,其中所述第四adc计数指示所述cmos模拟多路复用器开关的所述输入的泄漏电流校正电压。

16.一种方法,包括:

17.根据权利要求16所述的方法,其中所述第一adc计数指示针对所述电压扫描操作的dac计数的所述dac处的测量电压。

18.根据权利要求16所述的方法,其中所述第二adc计数指示针对所述电压扫描操作的dac计数的所述cmos模拟多路复用器开关的所述输出处的测量电压。

19.根据权利要求16所述的方法,其中所述第三adc计数指示在所述cmos模拟多路复用器开关的所述输出处的测量电压,每个第三adc计数与在所述顺序输入开关激活操作期间被激活的所述cmos模拟多路复用器开关的相应输入开关相关联。

20.根据权利要求16所述的方法,其中所述第四adc计数指示所述cmos模拟多路复用器开关的所述输入开关的泄漏电流校正电压。