一种C型槽高可靠性磁敏微距传感器的制作方法

本技术属于传感器，尤其涉及一种c型槽高可靠性磁敏微距传感器。

背景技术：

1、现有的气缸磁性传感器通常为长方体外形，通过卡箍固定在气缸的安装沟槽（如c型槽）内，其内部电路通常包含磁性感应元件（如霍尔芯片）、信号处理电路、状态指示灯（led）和基本的保护电路。安装时，需要将传感器塞入气缸的c型槽中，并用螺丝锁紧卡箍进行固定。虽然气缸磁性传感器颞部具备基本保护，但在复杂的工业现场（特别是使用大感性负载如电磁阀时），电压突变、电源反接或线缆上的感应浪涌仍可能损坏内部精密的感应芯片，影响传感器寿命和系统可靠性。因此，亟需提供一种c型槽高可靠性磁敏微距传感器，来解决上述存在问题。

技术实现思路

1、针对上述问题，本实用新型提供一种c型槽高可靠性磁敏微距传感器，具备多重保护、能适应恶劣电气环境的高可靠性电路，能清晰地显示状态和便于观察，可有效解决现有磁性传感器在安装便捷性、环境适应性和电气可靠性方面的不足。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

3、本实用新型提供了一种c型槽高可靠性磁敏微距传感器，包括外壳和设置在所述外壳一端的三芯电缆，所述三芯电缆包括电源线和信号线，所述外壳另一端内设置有与所述三芯电缆连接的pcb板，所述pcb板包括极性反接保护单元、浪涌吸收保护单元、电源滤波单元、感应驱动单元和信号输出单元，所述极性反接保护单元、所述浪涌吸收保护单元、所述电源滤波单元均通过所述电源线连接电源输入端，所述浪涌吸收保护单元、所述极性反接保护单元、所述感应驱动单元均与所述电源滤波单元连接，所述极性反接保护单元与所述信号输出单元连接，所述信号输出单元与所述信号线连接；

4、其中，所述感应驱动单元用于感应气缸活塞上的磁环移动到预设感应区域的磁场信号控制所述信号输出单元输出所述磁场信息对应的电信号。

5、作为上述技术方案的优选，所述感应驱动单元包括传感器芯片u1和外围电路，所述电源滤波单元、所述外围电路均与所述传感器芯片u1连接，所述信号输出单元、所述极性反接保护单元均与所述外围电路连接。

6、作为上述技术方案的优选，所述极性反接保护单元包括二极管d1，所述二极管d1的阳极与所述电源输入端的正极连接，所述二极管d1的阴极与所述电源滤波单元、所述信号输出单元连接。

7、作为上述技术方案的优选，所述浪涌吸收保护单元包括二极管tvs1，所述二极管tvs1并联在所述二极管d1的阳极和所述电源输入端的负极之间，所述二极管tvs1用于吸收所述电源线上的瞬间高压浪涌脉冲信号。

8、作为上述技术方案的优选，所述二极管d1的型号为ips79sb30，所述二极管tvs1的型号为smf4l30a。

9、作为上述技术方案的优选，所述电源滤波单元包括电容c2和电容c3，电容c2一端与电容c3一端、二极管d1的阴极、外围电路、信号输出单元、传感器芯片u1连接，电容c3另一端与电容c2另一端、电源输入端的负极连接并接地，所述电源滤波单元用于给所述传感器芯片u1提供稳定工作电压。

10、作为上述技术方案的优选，所述pcb板还包括与所述传感器芯片u1连接的状态指示单元，所述状态指示单元包括电阻r3和二极管d2，电阻r3一端与传感器芯片u1连接，电阻r3另一端与二极管d2的阳极连接，二极管d2的阴极接地。

11、作为上述技术方案的优选，所述外壳表面还设置有透明窗口，所述透明窗口用于显示二极管d2，其中，所述二极管d2为红色发光二极管。

12、作为上述技术方案的优选，所述外围电路包括电阻r1和电容c1，所述信号输出单元包括晶体管q1和电阻r2，电阻r1一端、电容c1一端、晶体管q1的基极与传感器芯片u1连接，电阻r1另一端与二极管d1的阴极、晶体管q1的发射极连接，电容c1另一端接地，晶体管q1的集电极与电阻r2一端连接，电阻r2另一端与所述信号线连接。

13、作为上述技术方案的优选，所述传感器芯片u1的型号为tmr1355pd。

14、与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

15、通过在pcb板上设置极性反接保护单元、浪涌吸收保护单元、电源滤波单元、感应驱动单元和信号输出单元，感应驱动单元可感应气缸活塞上的磁环移动到预设感应区域的磁场信号控制信号输出单元输出磁场信息对应的电信号，具备多重保护、能适应恶劣电气环境的高可靠性电路，能清晰地显示状态和便于观察，可有效解决现有磁性传感器在安装便捷性、环境适应性和电气可靠性方面的不足，提升了磁敏微距传感器在复杂应用场景中的耐用性和可靠性。

1.一种c型槽高可靠性磁敏微距传感器，包括外壳和设置在所述外壳一端的三芯电缆，所述三芯电缆包括电源线和信号线，所述外壳另一端内设置有与所述三芯电缆连接的pcb板，其特征在于，所述pcb板包括极性反接保护单元、浪涌吸收保护单元、电源滤波单元、感应驱动单元和信号输出单元，所述极性反接保护单元、所述浪涌吸收保护单元、所述电源滤波单元均通过所述电源线连接电源输入端，所述浪涌吸收保护单元、所述极性反接保护单元、所述感应驱动单元均与所述电源滤波单元连接，所述极性反接保护单元与所述信号输出单元连接，所述信号输出单元与所述信号线连接；

2.根据权利要求1所述的c型槽高可靠性磁敏微距传感器，其特征在于，所述感应驱动单元包括传感器芯片u1和外围电路，所述电源滤波单元、所述外围电路均与所述传感器芯片u1连接，所述信号输出单元、所述极性反接保护单元均与所述外围电路连接。

3.根据权利要求2所述的c型槽高可靠性磁敏微距传感器，其特征在于，所述极性反接保护单元包括二极管d1，所述二极管d1的阳极与所述电源输入端的正极连接，所述二极管d1的阴极与所述电源滤波单元、所述信号输出单元连接。

4.根据权利要求3所述的c型槽高可靠性磁敏微距传感器，其特征在于，所述浪涌吸收保护单元包括二极管tvs1，所述二极管tvs1并联在所述二极管d1的阳极和所述电源输入端的负极之间，所述二极管tvs1用于吸收所述电源线上的瞬间高压浪涌脉冲信号。

5.根据权利要求4所述的c型槽高可靠性磁敏微距传感器，其特征在于，所述二极管d1的型号为ips79sb30，所述二极管tvs1的型号为smf4l30a。

6.根据权利要求5所述的c型槽高可靠性磁敏微距传感器，其特征在于，所述电源滤波单元包括电容c2和电容c3，电容c2一端与电容c3一端、二极管d1的阴极、外围电路、信号输出单元、传感器芯片u1连接，电容c3另一端与电容c2另一端、电源输入端的负极连接并接地，所述电源滤波单元用于给所述传感器芯片u1提供稳定工作电压。

7.根据权利要求2所述的c型槽高可靠性磁敏微距传感器，其特征在于，所述pcb板还包括与所述传感器芯片u1连接的状态指示单元，所述状态指示单元包括电阻r3和二极管d2，电阻r3一端与传感器芯片u1连接，电阻r3另一端与二极管d2的阳极连接，二极管d2的阴极接地。

8.根据权利要求7所述的c型槽高可靠性磁敏微距传感器，其特征在于，所述外壳表面还设置有透明窗口，所述透明窗口用于显示二极管d2，其中，所述二极管d2为红色发光二极管。

9.根据权利要求2所述的c型槽高可靠性磁敏微距传感器，其特征在于，所述外围电路包括电阻r1和电容c1，所述信号输出单元包括晶体管q1和电阻r2，电阻r1一端、电容c1一端、晶体管q1的基极与传感器芯片u1连接，电阻r1另一端与二极管d1的阴极、晶体管q1的发射极连接，电容c1另一端接地，晶体管q1的集电极与电阻r2一端连接，电阻r2另一端与所述信号线连接。

10.根据权利要求2所述的c型槽高可靠性磁敏微距传感器，其特征在于，所述传感器芯片u1的型号为tmr1355pd。