半导体装置以及电力转换装置的制作方法

摘要: 本公开涉及半导体装置以及电力转换装置。背景技术:1、作为半导体装置的一例,日本特开2012-142465号公报(专利文献1)中记载了一种半导体装置,该半导体装置...
半导体装置以及电力转换装置的制作方法

本公开涉及半导体装置以及电力转换装置。

背景技术:

1、作为半导体装置的一例,日本特开2012-142465号公报(专利文献1)中记载了一种半导体装置,该半导体装置包括:在密封件的一个面上使金属板露出的半导体模块;以及经由接合材料与金属板的露出面接合的散热构件。该半导体装置中,半导体模块中露出的金属板与冷却装置通过接合材料接合。金属板具有被接合的接合区域和未接合的非接合区域。该半导体装置具有树脂剂。树脂剂设置于非接合区域、接合材料的周围区域以及冷却装置中被接合的部分周围的接合周围区域。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2012-142465号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的技术问题

2、根据上述专利文献1中记载的半导体模块,由于冷却器与套部被紧固时产生的冷却器的变形,树脂剂有时会从冷却装置剥离。因此,树脂剂会无法防止接合材料的劣化。其结果是,半导体装置的可靠性降低。

3、本公开是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种能够提高可靠性的半导体装置以及电力转换装置。

4、解决技术问题所采用的技术方案

5、本公开的半导体装置包括冷却器、接合材料、第一半导体模块和紧固部。冷却器具有第一主面。接合材料设置于第一主面上。第一半导体模块设置于接合材料上。紧固部对冷却器和套部进行紧固。在第一主面上设有槽。沿着从接合材料朝向第一主面的第一方向观察时,槽的一部分设置于紧固部与接合材料之间。冷却器具有被紧固区域。被紧固区域由与紧固部接触的冷却器的区域构成。在将从被紧固区域以最短的方式朝向接合材料的第二方向上的槽与接合材料之间的距离设为第一距离,被紧固区域与槽之间的距离设为第二距离的情况下,第一距离短于第二距离。

6、发明效果

7、根据本公开的半导体装置,在冷却器与套部被紧固时,能够抑制与接合材料接触的冷却器的部分的变形。由此,能提供一种能够提高可靠性的半导体装置以及电力转换装置。

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,还包括:

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置,其特征在于,

7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

10.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

11.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

13.根据权利要求12所述的半导体装置,其特征在于,

14.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

15.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

16.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

17.根据权利要求16所述的半导体装置,其特征在于,

18.根据权利要求16或17所述的半导体装置,其特征在于,

19.根据权利要求4至7中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

20.根据权利要求1至19中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

21.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

22.根据权利要求21所述的半导体装置,其特征在于,

23.根据权利要求21或22所述的半导体装置,其特征在于,

24.根据权利要求4至7中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

25.根据权利要求4至7中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

26.一种电力转换装置,其特征在于,包括: