光电器件及其制备方法与流程

本申请涉及半导体，尤其涉及一种光电器件及其制备方法。

背景技术：

1、光电器件通过电子与空穴复合释放能量发光，是一种常用的发光器件，在照明、显示等领域应用广泛。但目前的光电器件仍存在着载流子注入平衡性欠佳的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供一种光电器件及其制备方法。

2、本申请实施例是这样实现的：

3、第一方面，本申请实施例提供一种光电器件，包括层叠的底电极、电子传输层及顶电极，所述光电器件还包括第一界面层，所述第一界面层设于所述电子传输层朝向所述底电极的一侧或者设于所述电子传输层朝向所述顶电极的一侧；

4、所述第一界面层的材料包括至少一种半导体化合物，所述半导体化合物的化学式为axbycz，a选自ⅰb族元素中的至少一种，b选自in、ga中的至少一种，c选自s、se、te中的至少一种，x、y、z满足化合物内价态平衡。

5、第二方面，本申请实施例提供一种光电器件的制备方法，包括以下步骤：

6、提供底电极；

7、在所述底电极的一侧设置多个功能层；

8、在所述多个功能层背离所述底电极的一侧设置顶电极；

9、所述多个功能层的制备包括：

10、沉积n型半导体材料，得到电子传输层；

11、沉积第一界面材料，得到第一界面层；

12、其中，所述第一界面材料包括至少一种半导体化合物，所述半导体化合物的化学式为axbycz，a选自ⅰb族元素中的至少一种，b选自in、ga中的至少一种，c选自s、se、te中的至少一种，x，y，z满足化合物内价态平衡。

13、第三方面，本申请提出一种显示装置，包括如上所述的光电器件，或者包括由如上所述的制备方法制得的光电器件。

14、本申请技术方案提供的光电器件具有良好的载流子注入平衡性，表现出较好的发光性能和寿命等。

1.一种光电器件，其特征在于，包括层叠的底电极、电子传输层及顶电极，所述光电器件还包括第一界面层，所述第一界面层设于所述电子传输层朝向所述底电极的一侧或者设于所述电子传输层朝向所述顶电极的一侧；

2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，x为0～1；和/或，

3.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述半导体化合物的化学式为cuinnga1-nse2，n为0～1。

4.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第一界面层的平均厚度为1～5nm；和/或，

5.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述底电极为阳极和阴极中的一个，所述顶电极为所述阳极和所述阴极中的另一个；

6.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极，所述第一界面层设于所述电子传输层和所述发光层之间；和/或，所述光电器件还包括设于所述电子传输层和所述阴极之间的第二界面层，所述第二界面层的材料包括至少一种所述半导体化合物；

7.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点材料，所述有机发光材料包括二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpa荧光材料、tbrb荧光材料、及dbp荧光材料中的至少一种；所述量子点材料包括单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种，所述核壳结构量子点的壳层包括一层或者多层，所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料分别包括ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种；所述ii-vi族化合物包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种；所述iv-vi族化合物包括sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种；所述iii-v族化合物包括gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种；所述i-iii-vi族化合物包括cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；所述钙钛矿型半导体材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3，其中a为cs+离子，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，选自cl-、br-、i-中的至少一种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为bmx3，其中b为有机胺阳离子，选自ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，选自cl-、br-、i-中的至少一种；和/或，

8.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法满足以下条件(1)至(3)中的至少一个：

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述至少一个金属源包括cu、ag、in、ga、gain、cuga、agin、agga、cuinga中的一种或多种；和/或，