温度分布监测方法、基板处理方法及基板处理装置与流程

本发明涉及一种温度分布监测方法、基板处理方法及基板处理装置。

背景技术：

1、半导体器件或显示器是通过对晶圆或玻璃基板等基板进行蚀刻、沉积等多种基板处理工艺而制造。在分别执行蚀刻、沉积等基板处理工艺的多个基板处理装置中依次对基板进行处理。

2、在基板处理装置中对基板进行处理的过程中，若基板温度不均匀或不适当，可能导致化学反应速度发生变化或工艺未能按预期执行，进而引发缺陷、降低产量并增加工艺时间。为防止此类问题，在基板处理装置中对基板进行处理时，需对基板温度进行监测。

3、过去，监测基板温度需要较多数量的温度传感器。并且，由于在基板处理工艺过程中基板处理装置内部处于高温真空环境，因此诸如热成像摄像头的可视化温度分布监测受到限制。因此，过去难以实现对基板整体温度分布的实时可视化监测。

技术实现思路

1、（一）要解决的技术问题

2、本发明所要解决的技术问题在于提供一种温度监测方法、基板处理方法及基板处理装置，其能够根据监测对象物的监测区域中包含的多个温度采集点的温度值，以图像形式可视化地表示监测区域的温度分布。

3、本发明要解决的技术问题不限于以上提及的内容，本领域技术人员可通过以下记载明确理解未提及的其他技术问题。

4、（二）技术方案

5、为了解决上述技术问题，根据本发明的一些实施例的温度分布监测方法由计算装置执行，该方法可以包括：收集步骤，收集温度值集合和图像值集合，所述温度值集合包括监测对象物的监测区域中包含的多个温度采集点的每一个温度采集点的温度值，所述图像值集合表示与所述温度值集合对应的所述监测区域的温度分布图像，并包括多个图像值；以及学习步骤，学习多个所述温度值集合和多个所述图像值集合，以生成表示所述温度值集合与所述图像值集合的相关关系的温度分布监测模型，其中，所述图像值集合中包含的图像值的数量大于所述温度值集合中包含的温度值的数量，所述温度值集合的数量与所述图像值集合的数量相同。

6、为了解决上述技术问题，根据本发明的一些实施例的基板处理方法为包括基板支承部和控制部的基板处理装置的基板处理方法，所述基板支承部包括多个加热器和多个温度传感器，所述控制部控制所述多个加热器，所述方法包括以下步骤：将由所述多个温度传感器测量的多个温度值输入到由所述控制部运行的温度分布监测模型；从所述温度分布监测模型输出基板的温度分布图像；以及所述控制部基于所述温度分布图像控制所述多个加热器。

7、为了解决上述技术问题，根据本发明的一些实施例的基板处理装置，包括：基板支承部，包括多个加热器和多个温度传感器；以及控制部，控制所述多个加热器，其中，所述控制部执行以下步骤：将由所述多个温度传感器测量的多个温度值输入到由所述控制部运行的温度分布监测模型；从所述温度分布监测模型输出基板的温度分布图像；以及基于所述温度分布图像控制所述多个加热器。

8、其他实施例的具体事项包括在具体实施方式和附图中。

1. 一种温度分布监测方法，所述方法由计算装置执行，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的温度分布监测方法，其中，

3.根据权利要求1所述的温度分布监测方法，其中，

4.根据权利要求1所述的温度分布监测方法，其中，

5.根据权利要求1所述的温度分布监测方法，还包括：

6.根据权利要求5所述的温度分布监测方法，其中，

7.根据权利要求6所述的温度分布监测方法，其中，

8.根据权利要求7所述的温度分布监测方法，其中，

9.根据权利要求5所述的温度分布监测方法，其中，

10.根据权利要求9所述的温度分布监测方法，其中，

11.根据权利要求5所述的温度分布监测方法，其中，

12.根据权利要求1所述的温度分布监测方法，还包括：

13.根据权利要求12所述的温度分布监测方法，其中，

14.根据权利要求12所述的温度分布监测方法，其中，

15.根据权利要求12所述的温度分布监测方法，还包括：

16. 根据权利要求15所述的温度分布监测方法，还包括：

17.一种基板处理方法，所述方法为包括基板支承部和控制部的基板处理装置的基板处理方法，所述基板支承部包括多个加热器和多个温度传感器，所述控制部控制所述多个加热器，所述方法包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中，模拟装置包括与所述基板支承部的所述多个温度传感器相对应的多个温度传感器、与所述基板支承部的所述多个加热器相对应的多个加热器、以及热感应传感器，

19.根据权利要求18所述的基板处理方法，其中，

20. 一种基板处理装置，包括：