体声波谐振器的制作方法

本公开大体来说涉及无线通信装置，且特定来说涉及体声波(baw)谐振器。

背景技术：

1、电谐振器可用于现代电子装置中。举例来说，在无线通信装置中，射频(rf)谐振器可用于滤波器中，例如，具有电连接串联及分流谐振器的滤波器，从而形成梯形及晶格结构。滤波器可包含在连接于天线与收发器之间的电路中，用于对所接收及所传输信号进行滤波。

2、各种类型的滤波器使用机械谐振器，例如体声波(baw)谐振器(包含薄膜体声学谐振器(fbar)及固态安装式谐振器(smr))，或表面声波(saw)谐振器。谐振器可将电信号转换成机械信号(例如，振动)，且将机械信号转换成电信号。举例来说，baw谐振器是包括可在两个电极之间包含压电材料层的堆叠的声学装置。声波可实现跨越声学堆叠的谐振，其中波的谐振频率由声学堆叠中的材料及每一层(例如，压电层及电极层)的厚度决定。一种类型的baw谐振器可包含压电薄膜作为压电材料，可称为fbar，如上文所述。fbar可在ghz频率下谐振，且因此是相对小型的，例如，可具有大约数微米的厚度以及数百微米的长度及宽度尺寸。例如fbar等的baw谐振器可遭受声学损耗。声学损耗可对用于实施的谐振器及滤波器的性能及可靠性造成不利影响。因此，期望缓解谐振器(例如，电子装置中的滤波器所使用的谐振器)中的声学损耗。

技术实现思路

1、在一些实施例中，一种体声波(baw)谐振器可包含第一电极、第二电极及安置于所述第一电极与所述第二电极之间的压电层。所述baw谐振器可包含上面安置有所述第一电极、所述第二电极及所述压电层的衬底。所述第二电极可安置于所述衬底与所述压电层之间。所述baw谐振器可包含有源区，所述有源区包括所述第一电极、所述压电层及所述第二电极的重叠区域。所述baw谐振器可包含框架，所述框架安置于所述压电层上，环绕所述有源区。所述压电层可在所述有源区中具有第一厚度且在所述框架下方具有第二厚度，所述第二厚度不同于所述第一厚度。

2、在一些实施例中，一种集成电路(ic)可包含具有第一电极层、第二电极层及压电层的衬底。所述ic可包含包括第一有源区及第一框架的第一体声波(baw)谐振器。所述第一有源区可包含所述第一电极层、所述压电层及所述第二电极层的第一重叠区域。所述第一框架可安置于所述压电层上，环绕所述第一有源区。所述ic可包含包括第二有源区及第二框架的第二baw谐振器。所述第二有源区可包含所述第一电极层、所述压电层及所述第二电极层的第二重叠区域。所述第二框架可安置于所述压电层上，环绕所述第二有源区。所述压电层可在所述第一有源区及所述第二有源区中具有第一厚度且在所述第一框架及所述第二框架下方具有第二厚度，所述第二厚度不同于所述第一厚度。

3、在一些实施例中，一种设备可包含第一电路及耦合到所述第一电路的电滤波器。所述电滤波器可包含体声波(baw)谐振器。所述baw谐振器可包含第一电极、第二电极及安置于所述第一电极与所述第二电极之间的压电层。所述baw谐振器可包含上面安置有所述第一电极、所述第二电极及所述压电层的衬底。所述第二电极可安置于所述衬底与所述压电层之间。所述baw谐振器可包含有源区，所述有源区包括所述第一电极、所述压电层及所述第二电极的重叠区域。所述baw谐振器可包含框架，所述框架安置于所述压电层上，环绕所述有源区。所述压电层可在所述有源区中具有第一厚度且在所述框架下方具有第二厚度，所述第二厚度不同于所述第一厚度。

1.一种体声波baw谐振器，其包括：

2.根据权利要求1所述的baw谐振器，其中所述框架包含侧翼，并且其中所述压电层在所述侧翼下方具有所述第二厚度。

3.根据权利要求1所述的baw谐振器，其中所述框架包括第一材料，所述第一材料为介电材料或金属，所述第一材料的第一部分安置于所述压电层上。

4.根据权利要求1所述的baw谐振器，其中所述框架安置于所述压电层的具有所述第二厚度的第一部分与所述第一电极之间。

5.根据权利要求4所述的baw谐振器，其中所述压电层的所述第一部分安置于所述框架与所述第二电极之间。

6.根据权利要求5所述的baw谐振器，其中所述压电层的具有所述第二厚度的第二部分安置于所述衬底上所述第二电极的周界之外，并且其中所述框架安置于所述压电层的所述第二部分上。

7.根据权利要求6所述的baw谐振器，其中所述压电层的具有所述第二厚度的第三部分安置于所述衬底上所述框架的周界之外。

8.根据权利要求1所述的baw谐振器，其中所述衬底包括声学反射器，并且其中所述有源区与所述声学反射器重叠。

9.根据权利要求8所述的baw谐振器，其中所述声学反射器包括一或多个材料层或者腔。

10.一种集成电路ic，其包括：

11.根据权利要求10所述的ic，其中所述第一baw谐振器的第一电极电耦合到所述第二baw谐振器的第二电极，所述第一电极安置于所述第一电极层或所述第二电极层中的一者中，所述第二电极安置于所述第一电极层或所述第二电极层中的一者中。

12.根据权利要求10所述的ic，其中所述第一框架包含第一侧翼且所述第二框架包含第二侧翼，并且其中所述压电层在所述第一侧翼及所述第二侧翼下方具有所述第二厚度。

13.根据权利要求12所述的ic，其中所述第一框架及所述第二框架包括第一层，所述第一层为电介质或金属，并且其中所述第一侧翼及所述第二侧翼包括安置于所述压电层与所述第一介电层之间的第二介电层或腔。

14.根据权利要求10所述的ic，其中所述压电层包含位于所述第一baw谐振器与所述第二baw谐振器之间的部分，所述部分具有所述第二厚度。

15.根据权利要求14所述的ic，其中位于所述第一baw谐振器与所述第二baw谐振器之间的所述部分安置于所述第一框架及所述第二框架的周界之外。

16.根据权利要求10所述的ic，其中所述衬底包含第一声学反射器及第二声学反射器，并且其中所述第一有源区与所述第一声学反射器重叠且所述第二有源区与所述第二声学反射器重叠。

17.一种设备，其包括：

18.根据权利要求17所述的设备，其中所述第一电路包括收发器，并且其中所述电滤波器耦合于所述收发器与天线之间。

19.根据权利要求17所述的设备，其中所述框架安置于所述压电层的具有所述第二厚度的第一部分与所述第一电极之间。

20.根据权利要求19所述的设备，其中所述压电层的具有所述第二厚度的第二部分安置于所述衬底上所述第二电极的周界之外，并且其中所述框架安置于所述压电层的所述第二部分上。