阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置与流程

本申请属于显示设备，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术：

1、目前，有机发光二极管(organic light emitting display；oled)以及基于发光二极管(light emitting diode；led)等技术的平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用，成为显示装置中的主流。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置以解决现有技术存在的问题。

2、本申请实施例的第一方面提供了一种阵列基板，包括：衬底；位于所述衬底一侧的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层和第一栅极层，所述有源层包括沟道部和位于所述沟道部两侧的漏极部和源极部；所述漏极部、所述沟道部和所述源极部沿平行于所述衬底的第一方向依次设置，所述沟道部在所述衬底上的正投影位于所述第一栅极层在所述衬底上的正投影内；所述薄膜晶体管还包括与所述沟道部材料相同的第一凸起部，所述第一凸起部设置在所述沟道部的靠近所述第一栅极层的一侧表面；所述沟道部与所述第一凸起部在垂直于所述衬底的第二方向上的厚度之和大于所述漏极部的厚度和所述源极部的厚度；所述第一栅极层设有凹腔，所述第一凸起部至少部分位于所述第一栅极层的凹腔内，所述第一栅极层与所述第一凸起部至少三面耦合。

3、其中一实施例中，所述薄膜晶体管还包括第二栅极层，所述第二栅极层位于所述有源层的远离所述第一栅极层的一侧；所述沟道部在所述衬底上的正投影位于所述第二栅极层在所述衬底上的正投影内；优选地，所述薄膜晶体管还包括与所述沟道部材料相同的第二凸起部，所述第二凸起部设置在所述沟道部的靠近所述第二栅极层的一侧表面；所述第二栅极层设有凹腔，所述第二凸起部至少部分位于所述第二栅极层的凹腔内，所述第二栅极层与所述第二凸起部至少三面耦合；优选地，所述第一栅极层与所述第二栅极层通过导通孔电连接。

4、其中一实施例中，所述有源层的材料包括多晶硅和氧化铟镓锌中的至少一种。

5、其中一实施例中，所述阵列基板还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层沿远离所述衬底的方向依次层叠设置在所述衬底的一侧表面，所述第二绝缘层用于包裹所述有源层。

6、其中一实施例中，所述阵列基板还包括电路层和平坦层；所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述电路层和所述平坦层沿远离所述衬底的方向上依次层叠设置；所述漏极部、所述源极部和所述第一栅极层均与所述电路层电连接；优选地，所述电路层包括多个层叠设置的介电层和多个信号走线，所述介电层用于隔离所述信号走线。

7、其中一实施例中，所述电路层包括漏极电极和源极电极，所述漏极电极与所述漏极部一一对应，所述源极电极与所述源极部一一对应，所述漏极电极用于与对应的所述漏极部电连接，所述源极电极用于与对应的所述源极部电连接；优选地，所述漏极电极在所述衬底上的正投影与对应的漏极部在所述衬底上的正投影至少部分重叠，所述源极电极在所述衬底上的正投影与对应的源极部在所述衬底上的正投影至少部分重叠。

8、本申请实施例的第二方面提供了一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上形成第一绝缘层；形成位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层以及位于所述第二绝缘层内的有源层和第一凸起部；其中，所述有源层包括沟道部和位于所述沟道部两侧的漏极部和源极部；所述有源层与所述第一凸起部材料相同，所述第一凸起部设置在所述沟道部的靠近所述第一栅极层的一侧表面；所述沟道部与所述第一凸起部在垂直于所述衬底的第二方向上的厚度之和大于所述漏极部的厚度和所述源极部的厚度；所述漏极部、所述沟道部和所述源极部沿平行于所述衬底的第一方向依次设置，所述沟道部在所述衬底上的正投影在所述第一栅极层位于所述衬底上的正投影内；在所述第二绝缘层上形成第一栅极层；其中，所述第一栅极层设有凹腔，所述第一凸起部至少部分位于所述第一栅极层的凹腔内，所述第一栅极层与所述第一凸起部至少三面耦合。

9、其中一实施例中，所述制备方法还包括：在所述第一绝缘层上形成第二栅极层；其中，所述第二栅极层位于所述有源层的远离所述第一栅极层的一侧；所述沟道部在所述衬底上的正投影位于所述第二栅极层在所述衬底上的正投影内；优选地，所述形成位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层以及位于所述第二绝缘层内的有源层和第一凸起部，具体包括：形成位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层以及位于所述第二绝缘层内的有源层、第一凸起部和第二凸起部215；其中，所述有源层与所述第二凸起部材料相同，所述第二凸起部设置在所述沟道部的靠近所述第二栅极层的一侧表面；所述第二栅极层设有凹腔，所述第二凸起部至少部分位于所述第二栅极层的凹腔内，所述第二栅极层与所述第二凸起部至少三面耦合。

10、本申请实施例的第三方面提供了一种显示面板，包括如上述的阵列基板。优选地，所述显示面板还包括像素限定层，所述像素限定层设置在所述阵列基板的一侧。

11、本申请实施例的第四方面提供了一种显示装置，包括：如上述的显示面板。

12、本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：第一凸起部与沟道部材料相同，且第一凸起部设置在沟道部的靠近第一栅极层的一侧表面，第一凸起部与第一栅极层相接触，因此，第一凸起部可以视作沟道部延伸的一部分，通过第一栅极层的凹腔与第一凸起部三面耦合，可以增大第一栅极层与沟道部的耦合面积，进而增强薄膜晶体管的漏电流的控制能力。

1.一种阵列基板(10)，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的阵列基板(10)，其特征在于，所述薄膜晶体管(200)还包括第二栅极层(230)，所述第二栅极层(230)位于所述有源层(210)的远离所述第一栅极层(220)的一侧；

3.如权利要求1所述的阵列基板(10)，其特征在于，所述有源层(210)的材料包括多晶硅和氧化铟镓锌中的至少一种。

4.如权利要求1所述的阵列基板(10)，其特征在于，所述阵列基板(10)还包括第一绝缘层(300)和第二绝缘层(400)，所述第一绝缘层(300)和所述第二绝缘层(400)沿远离所述衬底(100)的方向依次层叠设置在所述衬底(100)的一侧表面，所述第二绝缘层(400)用于包裹所述有源层(210)。

5.如权利要求4所述的阵列基板(10)，其特征在于，所述阵列基板(10)还包括电路层(500)和平坦层(600)；

6.如权利要求5所述的阵列基板(10)，其特征在于，所述电路层(500)包括漏极电极(510)和源极电极(520)，所述漏极电极(510)与所述漏极部(212)一一对应，所述源极电极(520)与所述源极部(213)一一对应，所述漏极电极(510)用于与对应的所述漏极部(212)电连接，所述源极电极(520)用于与对应的所述源极部(213)电连接；

7.一种阵列基板(10)的制备方法，其特征在于，包括：

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

9.一种显示面板(20)，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板(10)；

10.一种显示装置(30)，其特征在于，包括：如权利要求9所述的显示面板(20)。