图像传感器的制作方法
本公开涉及一种图像传感器。
背景技术:
1、随着图像传感器技术的不断发展,cmos图像传感器被广泛地应用于各种领域,诸如数码相机、智能手机、车辆、安保和生物医学。像素单元的转换增益(cg)是用于评估cmos图像传感器的重要指标之一。cg表示像素单元的电子可能引起的电压变化的幅度。浮动扩散(fd)的电容越小,cg就变得越大。通过改进cg,有利于提高图像传感器在低照度环境下的灵敏度并降低读取噪声。因此,需要一种可最小化浮动扩散的电容的图像传感器的电路设计结构。
技术实现思路
1、本公开的各方面提供了一种具有改进的性能和集成度的图像传感器。
2、然而,本公开的方面不限于本文阐述的一个方面。通过参照下面给出的本公开的具体实施方式,本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
3、根据本公开的各方面,提供了一种图像传感器,其包括构成共享像素的多个单位像素和将单位像素彼此隔离的dti(深沟槽隔离)结构,其中,dti结构包括设置在共享像素内的内部dti结构和围绕共享像素的外部dti结构,内部dti结构包括像素dti结构和光电dti结构,像素dti结构穿透共享像素的中心、在第一方向上或在与第一方向相交的第二方向上延伸并设置在相邻的单位像素之间,光电dti结构设置在单位像素中的相邻的光电二极管之间,单位像素中的每一个包括第一光电二极管、第二光电二极管、存储由第一光电二极管和第二光电二极管提供的电荷的浮动扩散区、第一光电二极管上的第一有源区和第二光电二极管上的第二有源区,第一单位像素包括第一有源区上的第一源极跟随器栅极,并且通过沿内部dti结构延伸第一源极跟随器栅极而一体形成的源极跟随器栅极电连接到单位像素中的每一个的浮动扩散区。
4、根据本公开的实施例,提供了一种图像传感器,其包括:四个单位像素,其按照2×2结构构成共享像素;以及dti(深沟槽隔离)结构,其将单位像素彼此隔离,其中,dti结构包括设置在共享像素内的内部dti结构以及围绕共享像素的外部dti结构,内部dti结构包括像素dti结构和光电dti结构,像素dti结构穿过共享像素的中心、在第一方向或与第一方向相交的第二方向上延伸并且设置在相邻的单位像素之间,光电dti结构设置在单位像素内的相邻的光电二极管之间,其中,单位像素中的每一个包括第一光电二极管、第二光电二极管、存储由第一光电二极管和第二光电二极管提供的电荷的浮动扩散区、第一光电二极管上的第一有源区和第二光电二极管上的第二有源区,第一单位像素包括第一有源区上的第一源极跟随器栅极,第二单位像素包括第一有源区上的第一复位栅极,第三单位像素包括第二有源区上的第二源极跟随器栅极,第一源极跟随器栅极和第二源极跟随器栅极一体形成,并且通过沿内部dti结构延伸第一源极跟随器栅极和第二源极跟随器栅极而一体形成的源极跟随器栅极与金属接触件直接接触并且电连接到单位像素中的每一个的浮动扩散区。
5、根据本公开的实施例,提供了一种图像传感器,其包括:四个单位像素,其按照2×2结构构成共享像素;以及dti(深沟槽隔离)结构,其将单位像素彼此隔离,其中,dti结构包括设置在共享像素内的内部dti结构和围绕共享像素的外部dti结构,内部dti结构包括像素dti结构和光电dti结构,像素dti结构穿过共享像素的中心、在第一方向或与第一方向相交的第二方向上延伸并且设置在相邻的单位像素之间,光电dti结构设置在单位像素内的相邻的光电二极管之间,其中,单位像素中的每一个包括第一光电二极管、第二光电二极管、存储由第一光电二极管和第二光电二极管提供的电荷的浮动扩散区、第一光电二极管上的第一有源区和第二光电二极管上的第二有源区,第一单位像素包括第一有源区上的第一源极跟随器栅极,第二单位像素包括第一有源区上的第一复位栅极,第三单位像素包括第二有源区上的第二源极跟随器栅极,第一源极跟随器栅极和第二源极跟随器栅极一体形成,并且通过沿内部dti结构延伸第一源极跟随器栅极和第二源极跟随器栅极而一体形成的源极跟随器栅极与金属接触件直接接触并且电连接到单位像素中的每一个的浮动扩散区。
1.一种图像传感器,包括:
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中:
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中:
4.根据权利要求2所述的图像传感器,其中:
5.根据权利要求1所述的图像传感器,
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中:
7.根据权利要求1所述的图像传感器,
8.根据权利要求7所述的图像传感器,
9.根据权利要求1所述的图像传感器,
10.根据权利要求1所述的图像传感器,
11.根据权利要求1所述的图像传感器,
12.一种图像传感器,包括:
13.根据权利要求12所述的图像传感器,还包括:
14.根据权利要求13所述的图像传感器,
15.根据权利要求13所述的图像传感器,
16.根据权利要求13所述的图像传感器,还包括:
17.根据权利要求12所述的图像传感器,
18.根据权利要求12所述的图像传感器,
19.根据权利要求12所述的图像传感器,
20.一种图像传感器,包括:
版权声明:本站专利文献数据主要来源于国家知识产权局等公开渠道,由 技术新讯 进行整理汇编。页面设计及数据汇编的著作权归本站所有。全部内容仅供个人学习、科研评估与技术交流参考,严禁用于任何商业用途(包括但不限于直接生产制造、技术转让、倒卖数据等)。
免责条款:专利技术具有时效性,本站不对资料的绝对准确性、完整性和可实施性提供任何明示或暗示的担保。因参考本站内容造成的直接或间接损失,本站不承担相关法律责任。若您认为本站内容有侵权问题,请及时提供权属证明与我们联系,本站将在核实后依法处理。反馈意见:yyfuon@163.com