一种红光芯片及红光外延结构的制作方法

本技术实施例涉及发光芯片，尤其涉及一种红光芯片及红光外延结构。

背景技术：

1、在led显示应用的正面出光架构中，位于出光路径上的gaas衬底因其窄带隙对红光波段存在显著吸收，严重制约光输出效率。为缓解此问题，通常在完成n侧金属欧姆接触后，选择性湿法或干法刻蚀去除发光区域周边乃至部分下方的gaas层，以减少光吸收路径。

2、但欧姆接触区域仍不可避免地保留有gaas材料及覆盖其上的不透明金属电极，限制了器件整体的光提取效率和亮度表现。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种红光芯片及红光外延结构，实现提升红光芯片的有效出光面积与光提取效率。

2、第一方面，本实用新型实施例提供一种红光芯片，包括：

3、衬底；

4、在衬底一侧依次层叠设置的第一电极层、外延结构和透明电极层，其中，所述第一电极层邻近所述衬底；

5、所述外延结构包括依次层叠设置的第一导电层、发光层、第二导电层、隧穿层和第三导电层；所述第一导电层邻近所述衬底；

6、所述第一导电层和所述第三导电层为第一导电类型，所述第二导电层为第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型不同。

7、可选的，所述第一导电类型为p型，所述第二导电层为n型；或，所述第一导电类型为n型，所述第二导电层为p型。

8、可选的，所述红光芯片还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述透明电极层表面，以及所述外延结构在第一方向上的两个相对的第一侧表面和第二侧表面；所述第一方向与所述外延结构的堆叠方向垂直；

9、所述绝缘层包括第一通孔，所述第一通孔在所述衬底上的正投影与所述透明电极层在所述衬底上的正投影至少部分交叠；

10、所述红光芯片还包括第一电极和第二电极，所述第一电极至少覆盖所述第一电极层的部分侧壁，与所述第一电极层电连接；

11、所述第二电极通过所述第一通孔与所述透明电极层电连接。

12、可选的，所述第一电极层包括沿所述第一方向延伸并超出所述第一侧表面的第一平台；所述第一电极覆盖所述第一平台表面，并与所述第一电极层形成电连接。

13、可选的，所述第一电极层包括沿所述第一方向延伸并超出所述第二侧表面的第二平台；

14、所述绝缘层覆盖所述第二平台表面；

15、所述红光芯片还包括第四导电层，所述第四导电层覆盖所述第一通孔的内壁、所述第二侧表面和所述第二平台的表面；所述第四导电层与所述透明电极层电连接；

16、所述第二电极设置于所述第二平台上的所述第四导电层的表面，并通过所述第四导电层与所述透明电极层电连接。

17、可选的，所述第一通孔与所述第二侧表面相邻设置。

18、可选的，所述第一电极层、所述透明电极层和所述第四导电层包括氧化铟锡。

19、可选的，所述的红光芯片，还包括反射层，所述反射层位于所述衬底和所述第一电极层之间。

20、可选的，所述第一导电层的掺杂浓度与所述第三导电层的掺杂浓度相同或不同。

21、第二方面，本实用新型实施例提供一种红光外延结构，包括依次层叠设置的第一导电层、发光层、第二导电层、隧穿层和第三导电层；所述第一导电层和所述第三导电层为第一导电类型，所述第二导电层为第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型不同。

22、本实用新型实施例中提供的红光芯片，包括：衬底，以及在衬底一侧依次层叠设置的第一电极层、外延结构和透明电极层，其中，外延结构包括依次层叠设置的第一导电层、发光层、第二导电层、隧穿层和第三导电层；通过在外延结构中设置隧穿层和第三导电层，实现利用第三导电层与透明电极层形成欧姆接触，从而在芯片的发光表面无需设置金属电极，显著提升了有效出光面积与光提取效率。

1.一种红光芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的红光芯片，其特征在于，所述第一导电类型为p型，所述第二导电层为n型；或，所述第一导电类型为n型，所述第二导电层为p型。

3.根据权利要求1所述的红光芯片，其特征在于，所述红光芯片还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述透明电极层表面，以及所述外延结构在第一方向上的两个相对的第一侧表面和第二侧表面；所述第一方向与所述外延结构的堆叠方向垂直；

4.根据权利要求3所述的红光芯片，其特征在于，所述第一电极层包括沿所述第一方向延伸并超出所述第一侧表面的第一平台；所述第一电极覆盖所述第一平台表面，并与所述第一电极层形成电连接。

5.根据权利要求4所述的红光芯片，其特征在于，所述第一电极层包括沿所述第一方向延伸并超出所述第二侧表面的第二平台；

6.根据权利要求4所述的红光芯片，其特征在于，所述第一通孔与所述第二侧表面相邻设置。

7.根据权利要求5所述的红光芯片，其特征在于，所述第一电极层、所述透明电极层和所述第四导电层包括氧化铟锡。

8.根据权利要求1-7任一项所述的红光芯片，其特征在于，还包括反射层，所述反射层位于所述衬底和所述第一电极层之间。

9.根据权利要求1-7任一项所述的红光芯片，其特征在于，所述第一导电层的掺杂浓度与所述第三导电层的掺杂浓度相同或不同。

10.一种红光外延结构，其特征在于，包括依次层叠设置的第一导电层、发光层、第二导电层、隧穿层和第三导电层；所述第一导电层和所述第三导电层为第一导电类型，所述第二导电层为第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型不同。