具有槽体四周包金空腔的封装基板制作方法及封装基板与流程

本申请涉及电路板，具体而言，涉及一种具有槽体四周包金空腔的封装基板制作方法及封装基板。

背景技术：

1、在印刷电路板行业中，激光槽沉金作为芯片封装工艺的核心技术，激是实现高密度互连的关键工艺。

2、相关技术中，激光槽沉金通常是先开槽、后沉金，但该工艺仍存在以下问题，如激光能量控制不当易造成槽底铜层损伤，损伤后的铜层与化学镀的结合力低；或侧壁树脂残胶，导致后续化学镀的厚度无法保证。更关键的是，该工艺无法独立调控化学镀层的厚度，导致总金属厚度会超出槽体的上表面，影响后续工艺的进行。

技术实现思路

1、为了至少解决相关技术中提及的部分缺陷，本申请提供一种具有槽体四周包金空腔的封装基板制作方法及封装基板。

2、本申请提供一种具有槽体四周包金空腔的封装基板制作方法，包括：

3、提供芯板，所述芯板划定有预设槽体区域；

4、在所述芯板上真空压合绝缘积层膜，使绝缘积层膜覆盖所述预设槽体区域；

5、沿所述预设槽体区域的非线路边缘对所述绝缘积层膜进行激光切割并揭除，且不损伤所述芯板表面的基础铜层，使得所述芯板和未揭除的所述绝缘积层膜形成槽体；

6、对所述槽体进行金属化处理，形成沉铜层、镀铜层及沉金层，对所述槽体的底面及侧面形成五面包覆；

7、所述槽体的总深度为h，所述沉铜层的厚度为h1，所述镀铜层的厚度为h2，所述沉金层的厚度为h3，满足：h＞h1+h2+h3；所述沉铜层的厚度、所述镀铜层的厚度以及所述沉金层的厚度可按需调节，以调节所述槽体的实际深度。

8、进一步地，在设置所述绝缘积层膜之前，在所述芯板的预设槽体区域内，通过图形电镀预先形成基础铜层，作为后续金属化的底层。

9、进一步地，所述基础铜层的厚度计入所述沉铜层的厚度或所述镀铜层的厚度中，确保所述槽体的底部初始铜厚不低于2微米。

10、进一步地，在形成所述沉铜层后、进行所述镀铜层之前，在所述芯板表面贴覆干膜，经曝光、显影后在所述槽体对应位置开窗，其余区域被干膜保护；通过图形电镀在所述槽体的底面和侧面选择性加厚形成镀铜层；镀铜完成后褪除干膜。

11、进一步地，将所述绝缘积层膜设置为具有超薄铜层的树脂膜，所述超薄铜层的厚度为d，满足：d≤3μm；

12、在真空压合后，所述树脂膜与所述芯板粘接，所述超薄铜层位于所述芯板上，形成连续的外层铜面；在激光揭除所述槽体位置对应的所述绝缘积层膜后，其余区域保留的所述超薄铜层构成所述外层铜面。

13、进一步地，在设置所述绝缘积层膜之后、激光切割之前，在所述芯板表面预贴干膜，并通过显影工艺在所述预设槽体区域进行开窗，露出下方铜面。

14、采用msap工艺对开窗区域进行图形填孔电镀，使所述开窗区域的铜层凸起形成台阶式的镀铜层。

15、在芯板上再次真空压合绝缘积层膜，使绝缘积层膜覆盖所述芯板的表面。

16、进一步地，激光切割步骤作用于第二次压合的绝缘积层膜，使所述镀铜层裸露。所述激光切割沿所述槽体的非线路边缘切割，不触及功能线路。

17、进一步地，激光切割步骤之后，在所述绝缘积层膜上形成所述槽体，使所述镀铜层形成所述槽体的底面，使所述绝缘积层膜形成所述槽体的侧面。对所述芯板进行沉铜，在所述绝缘积层膜及所述槽体上形成沉铜层。

18、进一步地，在所述沉铜层上进行沉金，以形成沉金层。在所述槽体在完成沉金后，去除所有残留干膜，露出完整的外层铜面。

19、本申请还提供一种封装基板，由上述实施例中任一项所述方法制得，所述封装基板包含至少一个槽体，所述槽体的底面为所述芯板的表面，所述槽体的侧面为所述绝缘积层膜。所述槽体的底面及侧面被连续的沉铜层、镀铜层与沉金层包覆，沉铜层的厚度、镀铜层的厚度与沉金层的厚度可按需配置，以调节所述槽体的实际深度。

20、通过上述技术方案，本申请先压合绝缘积层膜，再沿预设槽体区域的非线路边缘进行激光切割并揭除，激光仅作用于绝缘积层膜，不直接烧蚀芯板上的功能铜层或底层结构。避免先开槽、后沉金的工艺中，因激光能量控制不当导致的槽底铜层损伤或树脂残胶问题，保证铜层与化学镀层的结合可靠性，准确控制化学镀层的厚度。

21、通过在激光揭膜后形成的槽体上依次进行沉铜、镀铜和沉金，可确保金属层连续覆盖槽体的底面及四个侧壁，形成完整的五面包覆结构，避免出现沉金不均、漏镀或镍层腐蚀等情况。

22、本申请还明确限定了槽体总深度大于沉铜层、镀铜层和沉金层的厚度之和，同时允许沉铜层、镀铜层和沉金层的厚度按需调节，来灵活控制最终封装基板上槽体的实际深度。既保证化学镀层的总金属厚度不会超出槽体的上表面，又可根据不同应用场景灵活调整各化学镀层的功能配比，提高本申请封装基板制作方法的灵活性和适用性。

23、本申请的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

1.一种具有槽体四周包金空腔的封装基板制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在设置所述绝缘积层膜（200）之前，在所述芯板（100）的预设槽体（110）区域内，通过图形电镀预先形成基础铜层，作为后续金属化的底层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述基础铜层的厚度计入所述沉铜层（300）的厚度或所述镀铜层（400）的厚度中，确保所述槽体（110）的底部初始铜厚不低于2微米。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在形成所述沉铜层（300）后、进行所述镀铜层（400）之前；

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，将所述绝缘积层膜（200）设置为具有超薄铜层的树脂膜，所述超薄铜层的厚度为d，满足：d≤3μm；

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在设置所述绝缘积层膜（200）之后、激光切割之前；

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，激光切割步骤作用于第二次压合的绝缘积层膜（200），使所述镀铜层（400）裸露；

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，激光切割步骤之后，在所述绝缘积层膜（200）上形成所述槽体（110），使所述镀铜层（400）形成所述槽体（110）的底面，使所述绝缘积层膜（200）形成所述槽体（110）的侧面；

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述沉铜层（300）上进行沉金，以形成沉金层（600）；

10.一种封装基板，由权利要求1至9中任一项所述方法制得，其特征在于，所述封装基板包含至少一个槽体（110），所述槽体（110）的底面为所述芯板（100）的表面，所述槽体（110）的侧面为所述绝缘积层膜（200）；