晶圆的测试分析方法、装置、设备、介质及产品与流程

本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆的测试分析方法、装置、设备、介质及产品。

背景技术：

1、晶圆的晶圆测试是芯片制造过程中用于验证晶圆每个晶粒电气性能的关键测试，该测试有助于在晶粒封装成芯片之前识别和剔除不合格的晶粒，从而提高生产效率和良率。如果晶圆的晶圆测试结果较差即晶圆存在良率失效，通常需要结合晶圆的缺陷量测结果进行深入分析。

2、相关技术中通常基于对某一工艺步骤后的缺陷量测结果和晶圆测试结果，计算该缺陷量测结果中缺陷的缺陷失效率(defect killratio，dkr)，即计算该缺陷量测结果中造成晶粒失效的缺陷占总缺陷的比例。当所计算的比例越高，表明该工艺步骤为造成晶圆良率失效的可能性越大。但是该方案中缺陷失效率计算的准确性较低，仅可用于初步的定性分析。因此，当前需要解决的问题是如何提高晶圆测试结果分析的准确性。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种晶圆的测试分析方法、装置、设备、介质及产品，用以提高晶圆测试结果分析的准确性。

2、第一方面，本技术实施例提供一种晶圆的测试分析方法，包括：获取第一晶圆的晶圆测试结果和多个缺陷量测结果；其中，每个缺陷量测结果与第一晶圆的工艺步骤一一对应，缺陷量测结果包括至少一个缺陷；针对每个缺陷量测结果，在晶圆测试结果中检测每个晶粒的状态，状态包括：该晶粒的晶圆测试结果是否通过和该晶粒所在的晶粒区域中是否存在该缺陷量测结果中的缺陷；根据每个晶粒的状态，确定缺陷量测结果对应的特征指标；缺陷量测结果对应的特征指标表征晶圆测试结果中晶粒的测试结果与该缺陷量测结果中的缺陷之间的相关性；选择超过预设阈值的特征指标所对应的第一缺陷量测结果，并将第一缺陷量测结果所对应的工艺步骤，作为测试分析结果。

3、在一种可能的实施方式中，根据每个晶粒的状态，确定缺陷量测结果对应的特征指标，包括：确定第一晶粒和第二晶粒，第一晶粒所在的晶粒区域中存在该缺陷量测结果中的缺陷，第二晶粒所在的晶粒区域中不存在该缺陷量测结果中的缺陷；计算第一晶粒中晶圆测试结果为第一结果的晶粒的数量与第一晶粒的数量之间的第一比值，并计算第二晶粒中晶圆测试结果为第一结果的晶粒的数量与第二晶粒的数量之间的第二比值；根据第一比值和第二比值，确定缺陷量测结果对应的特征指标；第一结果表征晶圆测试结果为通过或者不通过。

4、在一种可能的实施方式中，第一结果表征晶圆测试结果为不通过。

5、在一种可能的实施方式中，根据第一比值和第二比值，确定缺陷量测结果对应的特征指标，包括：计算第二比值与修正值的乘积，并将乘积作为更新后的第二比值；修正值越大表征第一晶圆的缺陷越多、不通过晶粒的数量越多；将第一比值与更新后的第二比值之差，作为缺陷量测结果对应的特征指标。

6、在一种可能的实施方式中，方法还包括：计算第一晶粒的数量与第二晶粒中晶圆测试结果为不通过的晶粒的数量的第一乘积，并计算第二晶粒的数量与第一晶粒中晶圆测试结果为不通过的晶粒的数量的第二乘积；基于第一乘积与第二乘积计算修正值。

7、在一种可能的实施方式中，方法还包括：统一晶圆测试结果所在的坐标系和多个缺陷量测结果所在的坐标系。

8、在一种可能的实施方式中，统一晶圆测试结果所在的坐标系和多个缺陷量测结果所在的坐标系，包括：获取缺陷量测结果所在的坐标系的坐标原点在晶圆测试结果所在的坐标系中的第一坐标；基于第一坐标，将晶圆测试结果中每个晶粒的坐标转换至在缺陷量测结果所在的坐标系中的坐标。

9、在一种可能的实施方式中，若不存在超过预设阈值的特征指标，方法还包括：获取多个第二晶圆的晶圆测试结果，第二晶圆与第一晶圆满足以下至少一项：产品类型相同，晶圆测试时间相同；针对第一晶圆和每个第二晶圆中每个晶粒，计算该晶粒对应的特征值；特征值表征晶粒的临近预设范围区域中晶圆测试结果为不通过的晶粒的密度；基于晶粒对应的特征值，计算第一晶圆与每个第二晶圆之间的相似度；确定相似度超过相似阈值的第二晶圆，并将该第二晶圆的多个缺陷量测结果，作为第一晶圆的多个缺陷量测结果。

10、在一种可能的实施方式中，针对第一晶圆和每个第二晶圆中每个晶粒，计算该晶粒对应的特征值之前，还包括：针对第一晶圆和每个第二晶圆中每个晶粒，建立第一特征矩阵；第一特征矩阵的元素对应该晶粒以及该晶粒的邻域晶粒，且以该晶粒为中心元素；其中，第一特征矩阵的元素值表征晶粒的晶圆测试结果是否通过；基于第一特征矩阵，对该第一特征矩阵的元素值进行滤波处理，以获得该晶粒的修正后的晶圆测试结果。

11、在一种可能的实施方式中，基于第一特征矩阵，对该晶粒的元素值进行滤波处理，以获得该晶粒的修正后的晶圆测试结果，包括：计算第一特征矩阵中所有元素值的求和结果，若该求和结果大于对应的阈值，则将该晶粒的晶圆测试结果修正为不通过，若该求和结果小于对应的阈值，则将该晶粒的晶圆测试结果修正为通过。

12、在一种可能的实施方式中，针对第一晶圆和每个第二晶圆中每个晶粒，计算该晶粒对应的特征值之前，还包括：针对每个第二晶圆，基于该第二晶圆中晶圆测试结果为不通过的晶粒的分布情况，对该第二晶圆进行随机性检查；若该第二晶圆中晶圆测试结果为不通过的晶粒为随机分布，则删除该第二晶圆。

13、在一种可能的实施方式中，针对第一晶圆和每个第二晶圆中每个晶粒，计算该晶粒对应的特征值，包括：针对第一晶圆和每个第二晶圆中每个晶粒，计算该晶粒与每个晶圆测试结果为不通过的晶粒之间的第一距离，并计算每个晶圆测试结果为不通过的晶粒与该晶圆中中心晶粒的第二距离；根据第一距离、第二距离，该晶圆中晶粒的总数量，计算该晶粒对应的特征值。

14、在一种可能的实施方式中，基于晶粒对应的特征值，计算第一晶圆与每个第二晶圆之间的相似度，包括：针对第一晶圆的每个晶粒，计算晶粒与第二晶圆的每个晶粒之间的权重值，权重值基于第一晶圆的该晶粒及其邻域晶粒对应的特征值，以及第二晶圆的每个晶粒及其邻域晶粒对应的特征值确定；根据第一晶圆的该晶粒与第二晶圆的每个晶粒之间的权重值和距离，计算第一晶圆的该晶粒对应的中间特征值；基于第一晶圆的晶粒总数，计算第一晶圆的所有晶粒对应的中间特征值的均值，并将该均值作为第一晶圆与第二晶圆之间的相似度。

15、第二方面，本技术实施例提供一种晶圆的测试分析装置，包括：获取模块，用于获取第一晶圆的晶圆测试结果和多个缺陷量测结果；其中，每个缺陷量测结果与第一晶圆的工艺步骤一一对应，缺陷量测结果包括至少一个缺陷；检测模块，用于针对每个缺陷量测结果，在晶圆测试结果中检测每个晶粒的状态，状态包括：该晶粒的晶圆测试结果是否通过和该晶粒所在的晶粒区域中是否存在该缺陷量测结果中的缺陷；确定模块，用于根据每个晶粒的状态，确定缺陷量测结果对应的特征指标；缺陷量测结果对应的特征指标表征晶圆测试结果中晶粒的测试结果与该缺陷量测结果中的缺陷之间的相关性；分析模块，用于选择超过预设阈值的特征指标所对应的第一缺陷量测结果，并将第一缺陷量测结果所对应的工艺步骤，作为测试分析结果。

16、第三方面，本技术实施例提供一种电子设备，包括：存储器，处理器；存储器存储计算机执行指令；处理器执行存储器存储的计算机执行指令，使得处理器执行如上第一方面和/或第一方面各种可能的实施方式。

17、第四方面，本技术实施例提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，计算机执行指令被处理器执行时用于实现如上第一方面和/或第一方面各种可能的实施方式。

18、第五方面，本技术实施例提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上第一方面和/或第一方面各种可能的实施方式。

19、本技术实施例提供的晶圆的测试分析方法、装置、设备、介质及产品中，方法包括：依次基于第一晶圆的晶圆测试结果和每个缺陷量测结果，检测晶圆测试结果中每个晶粒的状态，并根据每个晶粒的状态确定表征晶圆测试结果中晶粒的测试结果与该缺陷量测结果中的缺陷之间的相关性的特征指标；将超过预设阈值的特征指标对应的缺陷量测结果所对应的工艺步骤，作为测试分析结果。本技术的方案，综合考虑了晶圆测试结果中每个晶粒的晶圆测试结果是否通过和该晶粒所在的晶粒区域中是否存在缺陷量测结果中的缺陷，并基于每个晶粒的状态确定特征指标，量化了晶圆测试结果与缺陷量测结果之间的相关性，从而提高了晶圆测试结果分析的准确性。