一种太阳能电池及改善其激光残留的方法与流程

本发明涉及太阳能电池，具体而言，涉及一种太阳能电池及改善其激光残留的方法。

背景技术：

1、现有技术中，在tbc电池的硼扩工艺时，需要满足较高的p-poly掺杂浓度，硼源沉积与推进过程中的高源高温条件下生长出的bsg意味着其中含有极为丰富的硼原子。当高能量密度的激光照射时，激光产生的局部高温会破坏掺杂多晶硅层原有的杂质平衡，导致硼原子向激光作用区表面迁移和聚集，形成一个杂质急剧增加的区域，最终在多晶硅层表面形成一层硼浓度极高的“富硼层”，富硼层对碱性溶液的化学侵蚀有极强的抵抗力，容易导致湿法刻蚀无法有效进行，最终形成难以清除的残留物。此外，激光的热效应使bsg和多晶硅层熔化后又迅速凝固，通过熔融和再结晶过程，从物理上改变了材料的致密性和晶体结构，重组后形成的物质变得更致密，常规湿法清洗难以渗透和剥落，成为另一种难以去除的残留物。

2、鉴于此，特提出本发明。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种太阳能电池及改善其激光残留的方法，以解决或改善上述技术问题。

2、本发明可这样实现：

3、第一方面，本发明提供一种改善太阳能电池激光残留的方法，包括以下步骤：对硼扩处理后的硅片进行酸洗，以去除硼扩形成的bsg层，得到第一硅片；于第一硅片的背面沉积低硼bsg层，随后进行第一次图形化处理，以在去除的部分低硼bsg层所在区域形成第一图形化凹槽；随后去除正面的bsg绕镀；通过碱抛去除第一图形化凹槽位置对应的掺杂多晶硅层以及第一隧穿氧化层，并使第一图形化凹槽的深度加深。

4、在可选的实施方式中，酸洗所用的酸洗液包括40l~60l的hf、35l~55l的hcl以及360l~400l的h2o；

5、和/或，酸洗时间为90s~120s。

6、在可选的实施方式中，沉积低硼bsg层包括：对第一硅片的背面依次进行高温沉积、低温沉积以及退火处理。

7、在可选的实施方式中，高温沉积的条件包括：o2的流量为20slm~40slm，n2的流量为500sccm~1500sccm，压力为700mbar~900mbar，沉积温度为920℃~940℃，沉积时间为40min~60min。

8、在可选的实施方式中，低温沉积的条件包括：o2流量为20slm~40slm，n2的流量为500sccm~1500sccm，压力为700mbar~900mbar，沉积温度为900℃~920℃，沉积时间为20min~40min。

9、在可选的实施方式中，退火处理的温度为700℃~730℃，退火处理的时间为10min~20min。

10、在可选的实施方式中，低硼bsg层的厚度为30nm~80nm；

11、和/或，低硼bsg层中b的含量为1.8×1019/cm3~2.3×1019/cm3。

12、在可选的实施方式中，第一图形化凹槽的深度为30nm~80nm，宽度为400μm~600μm；

13、和/或，碱抛后第一图形化凹槽的深度增加至2μm~3μm。

14、在可选的实施方式中，碱抛后还包括：于碱抛后所得的第二硅片的正面和背面沉积第二隧穿氧化层以及第二本征多晶硅层，随后进行磷扩处理；对磷扩处理后的硅片背面进行第二次图形化处理，以除去n区以外的区域对应的psg层；随后对n区以及p区对应的掺杂多晶硅层和隧穿氧化层以外的区域进行制绒，得到第三硅片；对第三硅片的表面进行钝化处理，随后制备电极。

15、第二方面，本发明提供一种太阳能电池，经前述实施方式任一项的方法制备得到。

16、本发明的有益效果包括：

17、本发明通过在硼扩后增加酸洗、沉积低硼bsg工序，能够减少激光诱导杂质再分布所形成的富硼层（brl），降低对化学刻蚀的阻挡能力以及引发材料的熔融重组等多种物理化学效应，改善激光处理后残留物的产生。通过该方法得到的太阳能电池具有较优的光电转换效率。

1.一种改善太阳能电池激光残留的方法，其特征在于，包括以下步骤：对硼扩处理后的硅片进行酸洗，以去除硼扩形成的bsg层，得到第一硅片；于所述第一硅片的背面沉积低硼bsg层，随后进行第一次图形化处理，以在去除的部分低硼bsg层所在区域形成第一图形化凹槽；随后去除正面的bsg绕镀；通过碱抛去除所述第一图形化凹槽位置对应的掺杂多晶硅层以及第一隧穿氧化层，并使所述第一图形化凹槽的深度加深。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，酸洗所用的酸洗液包括40l~60l的hf、35l~55l的hcl以及360l~400l的h2o；

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积低硼bsg层包括：对所述第一硅片的背面依次进行高温沉积、低温沉积以及退火处理。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，高温沉积的条件包括：o2的流量为20slm~40slm，n2的流量为500sccm~1500sccm，压力为700mbar~900mbar；沉积温度为920℃~940℃，沉积时间为40min~60min。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，低温沉积的条件包括：o2流量为20slm~40slm，n2的流量为500sccm~1500sccm，压力为700mbar~900mbar，沉积温度为900℃~920℃，沉积时间为20min~40min。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，退火处理的温度为700℃~730℃，退火处理的时间为10min~20min。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，低硼bsg层的厚度为30nm~80nm；

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一图形化凹槽的深度为30nm~80nm，宽度为400μm~600μm；

9.根据权利要求1~8任一项所述的方法，其特征在于，碱抛后还包括：于碱抛后所得的第二硅片的正面和背面沉积第二隧穿氧化层以及第二本征多晶硅层，随后进行磷扩处理；对磷扩处理后的硅片背面进行第二次图形化处理，以除去n区以外的区域对应的psg层；随后对n区以及p区对应的掺杂多晶硅层和隧穿氧化层以外的区域进行制绒，得到第三硅片；对所述第三硅片的表面进行钝化处理，随后制备电极。

10.一种太阳能电池，其特征在于，经权利要求1~9任一项所述的方法制备得到。