改善蚀刻均匀性的静电吸附盘的制作方法

本申请涉及半导体，具体涉及一种改善蚀刻均匀性的静电吸附盘。

背景技术：

1、随着晶圆尺寸的增大，对反应工艺腔体的蚀刻均匀性提出更高的要求。在蚀刻工艺腔体设计中，为了确保蚀刻片内均匀性，主流干法蚀刻腔体会在晶圆周围设计聚焦环，其材质一般和需要蚀刻的晶圆表面材质类似。

2、聚焦环设置于静电吸附盘的边缘区域，在蚀刻的过程中，随着腔体rf增加，聚焦环会逐渐耗损，导致聚焦环变薄，边缘蚀刻速率增大，在一个mtbc 期间（两次清洗之间的蚀刻过程），晶圆内圈和外圈（中央和边缘区域）的蚀刻率变化不一样，内圈蚀刻率基本不变，外圈蚀刻率增加迅速，腔体蚀刻均匀性变差。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种改善蚀刻均匀性的静电吸附盘，用于解决现有技术中随着腔体rf增加腔体蚀刻均匀性变差的问题。

2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种改善蚀刻均匀性的静电吸附盘，包括表层、中间层和基座，中间层具有两个独立温控区，即中心区和边缘区，其中，中心区为中央圆形区域，对应晶圆中心部分，边缘区为外围环形区域，对应晶圆外围边缘区域。

3、优选的，位于中心区的加热线圈为同心圆绕组，位于边缘区的加热线圈为环形绕组。

4、优选的，两组加热线圈完全绝缘、互不导通，分别设定加热功率、启停、升温斜率。

5、优选的，两组加热线圈之间填充隔热陶瓷填料。

6、优选的，表层内部埋设用于吸住晶圆的静电吸附电极。

7、优选的，静电吸附电极按照上述两个独立温控区做分区吸附电压控制。

8、优选的，基座设置有两套独立不互通的冷却通路。

9、优选的，两套冷却通路中间设置金属隔离筋，并预留真空隔热微缝隙。

10、如上所述，本申请提供的改善蚀刻均匀性的静电吸附盘，具有以下有益效果：使原本无法支持中心/边缘单独控制温度的静电吸附盘变更为可以支持中心/边缘单独控制温度，在腔体高时数时通过调整边缘温度来补偿聚焦环边缘变薄导致的晶圆面内蚀刻均匀性变差的问题。

1.一种改善蚀刻均匀性的静电吸附盘，其特征在于，所述静电吸附盘包括表层、中间层和基座，所述中间层具有两个独立温控区，即中心区和边缘区，其中，所述中心区为中央圆形区域，对应晶圆中心部分，所述边缘区为外围环形区域，对应晶圆外围边缘区域。

2.根据权利要求1所述的静电吸附盘，其特征在于，位于所述中心区的加热线圈为同心圆绕组，位于所述边缘区的加热线圈为环形绕组。

3.根据权利要求2所述的静电吸附盘，其特征在于，所述两组加热线圈完全绝缘、互不导通，分别设定加热功率、启停、升温斜率。

4.根据权利要求2所述的静电吸附盘，其特征在于，所述两组加热线圈之间填充隔热陶瓷填料。

5.根据权利要求1所述的静电吸附盘，其特征在于，所述表层内部埋设用于吸住晶圆的静电吸附电极。

6.根据权利要求5所述的静电吸附盘，其特征在于，所述静电吸附电极按照所述两个独立温控区做分区吸附电压控制。

7.根据权利要求1所述的静电吸附盘，其特征在于，所述基座设置有两套独立不互通的冷却通路。

8.根据权利要求7所述的静电吸附盘，其特征在于，所述两套冷却通路中间设置金属隔离筋，并预留真空隔热微缝隙。