积体装置及其形成方法与流程

本发明的实施例是有关于一种积体装置及其制造方法。

背景技术：

1、许多现代积体装置包括内存组件。内存组件在复数个记忆胞中储存信息。某些形式的记忆胞，例如随机存取内存（ram），用于在电路操作期间暂时储存信息。某些类型的ram包括动态ram（dram）和静态ram（sram）。dram的某些实施例包括使用一个晶体管和一个电容器来储存信息的胞元。这些通常被称为1t1c dram胞元。

技术实现思路

1、本发明的实施例提供一种积体装置，包括：覆盖基底并具有第一闸极、具有围绕第一闸极的内侧壁的第一通道、以及将第一通道与第一闸极分离的第一介电质的第一晶体管；覆盖读取晶体管并具有第二闸极、具有围绕第二闸极的内侧壁的第二通道、以及将第二通道与第二闸极分离的第二介电质的第二晶体管；将第一闸极耦合至第二通道的通孔；围绕第一晶体管并具有通过第一空隙与第一晶体管间隔的内侧壁的第一绝缘层；以及围绕第二晶体管并具有通过第二空隙与第二晶体管间隔的内侧壁的第二绝缘层。

2、本发明的实施例提供一种形成积体装置的方法，包括：在基底之上形成第一字符线，第一字符线在第一方向上与基底分离并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；形成覆盖第一字符线的第一绝缘层；在第一绝缘层之上形成第一位线，通过第一绝缘层在第一方向上与第一字符线分离，第一位线在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上延伸；蚀刻穿过第一位线并进入第一字符线的第一开口；在第一开口中连续形成第一通道、第一介电质和第一闸极，填充第一开口；蚀刻围绕第一通道的第一绝缘层的部分，产生从第一通道的最外侧壁延伸至第一位线的第一空隙；在第一绝缘层之上形成层间介电质，覆盖第一空隙；在第一闸极之上形成并电性耦合至第一闸极的通孔和源极/汲极连接件；形成在源极/汲极连接件之上延伸并与源极/汲极连接件间隔的第二位线；蚀刻穿过第二位线并暴露源极/汲极连接件的第二开口；在第二开口中连续形成第二通道、第二介电质和第二闸极，填充第二开口；以及形成在第二闸极之上延伸并电性耦合至第二闸极的第二字符线。

3、本发明的实施例提供一种形成积体装置的方法，包括：在基底之上形成第一字符线；在第一字符线之上形成第一绝缘层；在第一绝缘层之上形成第一位线；形成从第一位线延伸至第一字符线的第一晶体管闸极堆叠，包括第一通道、第一介电质和第一闸极；蚀刻围绕第一晶体管闸极堆叠的第一绝缘层以在第一绝缘层的内侧壁与第一晶体管闸极堆叠之间形成第一空隙；在第一绝缘层和第一晶体管闸极堆叠之上形成第二绝缘层；在第二绝缘层之上形成第二位线；形成在第二位线与第一闸极之间延伸的第二晶体管闸极堆叠，包括第二通道、第二介电质和第二闸极；蚀刻围绕第二晶体管闸极堆叠的第二绝缘层以在第二绝缘层的内侧壁与第二晶体管闸极堆叠之间形成第二空隙；以及形成电性耦合至第二闸极的第二字符线。

1.一种积体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的积体装置，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的积体装置，其特征在于，当从第一剖视图观看时，所述第一空隙在第一方向上与所述第二空隙分离，且所述第一空隙具有在垂直于所述第一方向的第二方向上测量的第一厚度；

4.根据权利要求1所述的积体装置，其特征在于，还包括层间介电层，围绕所述通孔并在所述第一空隙与所述第二空隙之间延伸。

5.根据权利要求1所述的积体装置，其特征在于，所述第一晶体管还包括：

6.一种形成积体装置的方法，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，蚀刻围绕所述第一通道的所述第一绝缘层的部分还包括：

8.一种形成积体装置的方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一通道具有第一厚度，且所述第二通道具有小于所述第一厚度的第二厚度。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述第二晶体管闸极堆叠之后，大致垂直于所述基底表面延伸的轴延伸穿过所述第一闸极和所述第二闸极。