防止开裂的玻璃基板结构与玻璃基板制法的制作方法

本技术涉及一种玻璃基板，尤其涉及一种防止开裂的玻璃基板结构与玻璃基板制法。

背景技术：

1、在于玻璃基板上制造电路的技术领域中，玻璃基板与其他介电材料的载板形成于同一平面，并且该玻璃基板与该载板之间留有供切割的切割道。当将电路形成于该玻璃基板上后，即可通过捞边(铣边)机(router；分板切割机)沿着该切割道将该玻璃基板切下，以利切割后形成多个载板单元。

2、然而，该玻璃基板上与该载板之间所留有的该切割道，时常与该玻璃基板上承载的重新布线层(redistribution layer；rdl)的材料之间，例如在铜线和介电材之间，存在有热膨胀系数(coefficients of thermal expansion；cte)的不同(mismatch)。当该切割道和该重新布线层之间出现温度偏移(thermal excursion)时，不同热膨胀系数的材料之间会产生固化收缩的应力(stress)，进而在该切割道上的该玻璃基板与该重新布线层交界处之间因为多层结构应力的累积而产生所谓的seware缺陷。并且此后，开裂的seware缺陷将会随着时间的演进而逐步向该玻璃基板内侧延伸，造成更大、更明显的破裂裂痕，最终造成该玻璃基板再也无法稳固承载该重新布线层。

3、补充说明，seware缺陷一词乃引用自于scott r.mccann于ieee transactions ondevice and materials reliability期刊所发表多篇学术论文中记载的seware。此些学术论文解释了seware缺陷的产生机制，并且探讨了材料应力的传导机制。

4、请参阅图4a与图4b所示的剖面示意图，目前玻璃基板制造电路的工艺，先形成一玻璃基板结构100，再以激光ls(laser scribing)沿着该玻璃基板结构100上所保留的切割道102通过开槽切割(grooving)该玻璃基板结构100，使该玻璃基板结构100分割化为多个玻璃基板单元结构101。详细来说，该玻璃基板结构100于一玻璃基板103上设有电路层104，而当该玻璃基板结构100的该切割道102受到该激光ls切割时，因为激光冲击该切割道102的能量会造成该切割道102内该玻璃基板103与该电路层104的交界处105之间承受极大应力，也就是不同热膨胀系数的材料受到加热之后所产生固化收缩的应力，故该切割道102内该玻璃基板103与该电路层104的交界处105会产生seware缺陷106，并且此seware缺陷106将会持续开裂延伸而影响该玻璃基板103，使该玻璃基板103无法稳固承载电路层104。

5、请参一并阅图5与图6所示的俯视示意图，在一实验中，图5的该玻璃基板结构100由两条的切割道102预划分为四个玻璃基板单元结构101，并且该玻璃基板结构100承载了ajinomoto build-up film(abf)介电材料。重点是，即便图5的该玻璃基板结构100的切割道102未受到切割，经过约3日的平面置放后，图5的该玻璃基板结构100将会自发性的剥蚀(ablation)而开裂为图6所示的状态。

6、此实验的结果，证明了即便是该切割道102内该玻璃基板103与该电路层104的交界处105未受到激光的加热，基于该交界处105所承受该玻璃基板103与该电路层104之间多层结构应力的累积，该玻璃基板结构100还是会自发性的于该交界处105产生seware缺陷106，而最终开裂成图6所示的状态而使该玻璃基板103不再可以稳固承载该电路层104。

技术实现思路

1、本发明提供防止开裂的玻璃基板结构与玻璃基板制法，使得电路层更为稳固的设置于玻璃基板上。

2、本发明所述的防止开裂的玻璃基板结构，包括：

3、一玻璃基板，具有一第一表面；

4、一第一缓冲层，设置于该第一表面上，且第一缓冲层具有一第一缓冲层开口及一第一缓冲区，该第一缓冲层开口暴露该玻璃基板的该第一表面，且该第一缓冲区设置于该第一缓冲层开口的边缘；

5、一第一电路层，设置于该第一缓冲层上；其中，该第一电路层包括：

6、一第一侧壁面；

7、一第一内凹结构，自该第一侧壁面内凹形成，且该第一内凹结构暴露该第一缓冲区。

8、在本发明的一个较佳的实施方式中，所述玻璃基板具有相对于所述第一表面的一第二表面；

9、其中，所述防止开裂的玻璃基板结构还包括：

10、一第二缓冲层，设置于所述第二表面上，且所述第二缓冲层具有一第二缓冲层开口及一第二缓冲区，所述第二缓冲层开口暴露所述玻璃基板的所述第二表面，且所述第二缓冲区设置于所述第二缓冲层开口的边缘；

11、一第二电路层，设置于所述第二缓冲层上；其中，所述第二电路层包括：

12、一第二侧壁面；

13、一第二内凹结构，自所述第二侧壁面内凹形成，且所述第二内凹结构暴露所述第二缓冲区。

14、在本发明的一个较佳的实施方式中，所述第一侧壁面为一第一切割道的侧壁面，所述第一切割道贯穿所述第一电路层且连接所述第一缓冲层开口。

15、在本发明的一个较佳的实施方式中，所述第一侧壁面具有一第一斜度，所述第一斜度的一水平距离的延伸方向平行于所述玻璃基板的所述第一表面；

16、其中，所述第一内凹结构具有一内凹距离，且所述内凹距离大于所述第一斜度的所述水平距离。

17、在本发明的一个较佳的实施方式中，所述内凹距离介于250μm至300μm之间。

18、本发明所述的防止开裂的玻璃基板制法，包括以下步骤：

19、于一玻璃基板的一第一表面设置一第一缓冲层；

20、于该第一缓冲层上设置一第一电路层，该第一电路层包括一第一阻挡层，该第一阻挡层贴合该第一缓冲层；

21、于该第一电路层形成一第一切割道，该第一切割道穿越该第一电路层而接触该第一阻挡层；

22、湿蚀刻该第一阻挡层而形成一第一内凹结构；

23、光蚀刻暴露于该第一切割道中的该第一缓冲层，进而于该第一缓冲层中形成一第一缓冲层开口及一第一缓冲区；其中，该第一缓冲区设置于该第一缓冲层开口的边缘，且该第一内凹结构暴露该第一缓冲区。

24、在本发明的一个较佳的实施方式中，防止开裂的玻璃基板制法还包括以下步骤：

25、切割暴露于所述第一缓冲层开口中的所述玻璃基板，以分割防止开裂的玻璃基板结构。

26、在本发明的一个较佳的实施方式中，所述玻璃基板具有相对于所述第一表面的一第二表面，且所述防止开裂的玻璃基板制法还包括以下步骤：

27、于所述玻璃基板的所述第二表面设置一第二缓冲层；

28、于所述第二缓冲层上设置一第二电路层，所述第二电路层包括一第二阻挡层，所述第二阻挡层贴合所述第二缓冲层；

29、于所述第二电路层形成一第二切割道，所述第二切割道穿越所述第二电路层而接触所述第二阻挡层；

30、湿蚀刻所述第二阻挡层而形成一第二内凹结构；

31、光蚀刻暴露于所述第二切割道中的所述第二缓冲层，进而于所述第二缓冲层中形成一第二缓冲层开口及一第二缓冲区；其中，所述第二缓冲区设置于所述第二缓冲层开口的边缘，且所述第二内凹结构暴露所述第二缓冲区。

32、在本发明的一个较佳的实施方式中，所述第一切割道具有一第一侧壁面，所述第一侧壁面具有一第一斜度，所述第一斜度的一水平距离的延伸方向平行于所述玻璃基板的所述第一表面；

33、其中，所述第一内凹结构内凹形成于所述第一侧壁面，且所述第一内凹结构具有一内凹距离，所述内凹距离大于所述第一斜度的所述水平距离。

34、在本发明的一个较佳的实施方式中，所述内凹距离介于250μm至300μm之间。

35、本发明设有该第一缓冲层而缓冲了该第一电路层与该玻璃基板交界处的应力累积，进而大幅降低了seware缺陷自发性的产生于该第一电路层与该玻璃基板交界处的可能性。并且，当本发明防止开裂的该玻璃基板结构受到激光开槽切割(grooving)分割时，该第一内凹结构遮蔽了该第一电路层与该玻璃基板的交界处，即结构性的避免了激光照射到该第一电路层与该玻璃基板的交界处，进而使激光照射到该玻璃基板的热能远离该第一电路层与该玻璃基板的交界处，而避免了因为激光的开槽切割(grooving)导致该第一电路层与该玻璃基板交界处产生seware缺陷。如此，本发明可确保该第一电路层更为稳固的设置于该玻璃基板上。