用于基板表面颗粒去除的水基高效率化学试剂的制作方法

背景技术：

1、领域

2、本公开内容的实施例总体上涉及半导体基板处理，并且更具体地涉及半导体基板处理工具和其方法。

3、相关技术描述

4、在包括化学机械抛光(chemical mechanical polishing, cmp)、单切工艺、粘结以及平版印刷术的半导体制造工艺中，从基板表面彻底去除不期望颗粒是半导体制造的每个步骤之后必不可少的。例如，其中使用基板划片技术来诸如用金刚石刀片、激光或等离子体将每个晶粒切割为单独芯片的单切工艺可能会在基板表面上产生不期望颗粒和碎屑。

5、未充分清洁的基板表面直接危及半导体制造中后续的芯片到基板粘结的成功。污染物和残留颗粒充当物理阻挡物，从而妨碍正确的粘合接触且导致薄弱粘结。这些薄弱粘结导致结构完整性降低，其中粘结的结构变得易受机械应力、热循环和振动的影响，从而增加器件故障或性能降级的风险。另外，导电污染物（诸如离子杂质）为粘结的基板之间的漏电流创建了通路，从而破坏信号完整性，增加功耗，并且潜在地损坏敏感的电路系统。附加地，污染物的存在可能会诱发缺陷（如错位、开裂和针孔）的形成，从而充当潜在的故障位点并且显著地影响良率和可靠性。

6、因此，需要一种能够在各种处理阶段清洁基板的方法和设备，该方法和设备是高效的且可有效地去除广泛范围的污染物颗粒。

技术实现思路

1、本文描述的实施例总体上涉及用于半导体基板处理的系统和方法，并且更特别地，涉及用于在化学机械抛光(cmp)工艺之后清洁半导体基板的系统和方法。

2、在实施例中，提供一种清洁基板的方法。该方法包括旋转安置在基板支撑件上的基板，通过前侧喷嘴组件使用清洁剂来喷涂基板的前侧，以及通过背侧分配器组件使用清洁剂来喷涂基板的背侧。该清洁剂包含一种或多种螯合剂。

3、在另一个实施例中，提供一种清洁基板的方法。该方法包括旋转基板支撑件，以及通过前侧喷嘴组件使用包含一种或多种螯合剂的清洁剂从基板上方喷涂基板的前侧。

4、在又一个实施例中，提供一种清洁基板的方法。该方法包括旋转安置在基板支撑件上的基板，通过安置在基板支撑件上方的前侧喷嘴组件使用包含一种或多种螯合剂的清洁剂来喷涂基板的前侧，以及通过安置在基板支撑件下方的背侧分配器组件使用清洁剂来喷涂基板的背侧。

1.一种清洁基板的方法，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其中喷涂所述基板的所述前侧包括在所述基板支撑件上方施加所述清洁剂的射流。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种螯合剂包括三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵、2-二甲氨基乙醇、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇或它们的组合。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述清洁剂进一步包含有机溶剂。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述有机溶剂包括二甲基亚砜、二甲基乙酰胺、n-甲基-2-吡咯烷酮、二乙二醇丁醚或它们的组合。

6.如权利要求4所述的方法，其中所述清洁剂进一步包含水。

7.如权利要求1所述的方法，其中喷涂所述基板的所述背侧包括通过安置在所述基板下方的背板的中心开口喷涂所述清洁剂。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁剂进一步包含有机碱。

9.如权利要求1所述的方法，其中喷涂所述基板的所述背侧包括通过背板的多个孔隙喷涂所述清洁剂。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包括将兆声能量施加到所述基板，其中一个或多个换能器安置在背板内。

11.如权利要求1所述的方法，其中分配所述清洁剂包括以约800 ml/min至约2000 ml/min的冲洗流率分配所述清洁剂。

12.如权利要求1所述的方法，进一步包括通过分配异丙醇来干燥所述基板。

13.一种清洁基板的方法，包括：

14.如权利要求13所述的方法，进一步包括使用所述清洁剂来喷涂所述基板的背侧。

15.如权利要求13所述的方法，进一步包括将兆声能量施加到所述基板，其中一个或多个换能器安置在背板内。

16.如权利要求13所述的方法，其中所述清洁剂进一步包含有机溶剂、有机碱和水。

17.如权利要求13所述的方法，其中喷涂所述基板的所述前侧包括使用安置在所述基板支撑件上方的前侧喷嘴组件。

18.如权利要求14所述的方法，其中喷涂所述基板的所述背侧包括使用安置在所述基板支撑件下方的背侧分配器组件。

19.一种清洁基板的方法，包括：

20.如权利要求19所述的方法，其中所述清洁剂进一步包含有机溶剂、有机碱和水。