全晶体谐振器及其制造方法与流程

本申请涉及谐振器，尤其涉及一种全晶体谐振器及其制造方法。

背景技术：

1、晶体谐振器在制作的过程中，如应力、温度等因素的影响会导致同一批生产的多个晶体谐振器中，部分晶体谐振器的振荡频率较高符合标准，但是剩余部分晶体谐振器的振荡频率较低不符合标准，导致晶体谐振器的生产良率低。

2、为提升晶体谐振器的生产良率，通常需要对同一批生产的多个晶体谐振器的振荡频率进行检测，且在晶体谐振器的振荡频率低于预设振荡频率阈值时（也即不符合标准），需要对晶体谐振器的谐振主体进行减薄处理，以提高晶体谐振器的振荡频率。但是，考虑到在晶体谐振器的谐振主体进行减薄处理的过程中会产生四处飞溅的废料（如熔融的液滴），飞溅的废料由于其运动方向具有不确定性而堆积在晶体谐振器的谐振主体中未进行减薄处理的部分，从而影响晶体谐振器的谐振主体的性能。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种全晶体谐振器及其制造方法，能够解决相关技术中因飞溅的废料堆积在晶体谐振器的谐振主体中未进行减薄处理的部分，从而影响晶体谐振器的谐振主体的性能的问题。

2、第一方面，本申请实施例提供一种全晶体谐振器；该全晶体谐振器包括晶体基座、谐振主体和晶体封装盖，谐振主体包括具有容置空间的框体、以及位于容置空间且与框体连接的晶体支撑部，晶体封装盖与晶体基座分别密封连接于框体相对设置的两侧，以与晶体基座围合形成密封腔，晶体密封盖和晶体基座中的至少一者设有隔挡件，隔挡件位于密封腔内以将密封腔分隔成待加工区域和主区域，隔挡件与晶体支撑部相间隔以形成振荡间隙，且隔挡件用于阻挡晶体支撑部于待加工区域内的部分在减薄处理过程中所产生的废料。

3、第二方面，本申请实施例提供一种全晶体谐振器的制造方法；该制造方法包括以下步骤：制作晶体基座母片，晶体基座母片具有多个第一区域，每个第一区域具有一个晶体基座，多个第一区域的晶体基座连接在一起；制作谐振主体母片，谐振主体母片具有多个第二区域，每个第二区域具有一个谐振主体，多个第二区域的谐振主体连接在一起，每个谐振主体包括具有容置空间的框体、以及位于容置空间且与框体连接的晶体支撑部；制作晶体封装盖母片，晶体封装盖母片具有多个第三区域，每个第三区域具有一个晶体封装盖，多个第三区域的晶体封装盖连接在一起，每个晶体封装盖和每个晶体基座中的至少一者设有隔挡件；将晶体基座母片、谐振主体母片及晶体封装盖母片依次密封连接在一起以形成具有多个密封腔的封装母片，且第一区域、第二区域、第三区域和密封腔一一对应，每个隔挡件位于一个密封腔内以将对应的密封腔分隔成待加工区域和主区域，每个隔挡件与对应的晶体支撑部相间隔以形成振荡间隙；对所有第二区域的谐振主体的振荡频率进行检测；当存在至少部分第二区域的谐振主体的振荡频率低于预设振荡频率阈值，对振荡频率低于预设振荡频率阈值的谐振主体的晶体支撑部于待加工区域内的部分进行减薄处理；对封装母片进行切割获得多个全晶体谐振器，其中，每个全晶体谐振器包括一个晶体基座、一个谐振主体和一个晶体封装盖。

4、基于本申请实施例的全晶体谐振器及其制造方法，通过设计隔挡件，隔挡件将密封腔分隔成待加工区域和主区域，当检测到全晶体谐振器的振荡频率低于预设振荡频率阈值而不符合标准时，只需要对晶体支撑部于待加工区域内的部分进行减薄处理，通过减小晶体支撑部于待加工区域内的部分的厚度来提高全晶体谐振器的振荡频率，且隔挡件用于阻挡晶体支撑部于待加工区域内的部分在减薄处理过程中产生的废料，可有效降低甚至避免飞溅的废料堆积在晶体支撑部于主区域内的部分，从而降低甚至避免对谐振主体的性能的影响。

1.一种全晶体谐振器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的全晶体谐振器，其特征在于，

3.如权利要求2所述的全晶体谐振器，其特征在于，

4.如权利要求3所述的全晶体谐振器，其特征在于，

5.如权利要求2所述的全晶体谐振器，其特征在于，

6.如权利要求2所述的全晶体谐振器，其特征在于，

7.如权利要求1所述的全晶体谐振器，其特征在于，

8.如权利要求1-7中任一项所述的全晶体谐振器，其特征在于，

9.一种全晶体谐振器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述对所述封装母片进行切割获得多个所述全晶体谐振器，其中，每个所述全晶体谐振器包括一个所述晶体基座、一个所述谐振主体和一个所述晶体封装盖的步骤之前，还包括：