具有源极/漏极区环绕栅极结构的半导体元件的制作方法

本申请案主张美国第63/793,841号专利申请案的优先权（即优先权日为“2025年4月24日”）及美国第19/407,563号专利申请案的优先权（即优先权日为“2025年12月3日”），其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开是有关于一种具有源极/漏极区环绕栅极结构的半导体元件，更具体而言，是有关于一种具有源极/漏极区环绕栅极结构的半导体元件，其能有效地在晶体管中形成较宽通道。

背景技术：

1、半导体元件在许多现代应用中为必要元件。随着电子技术的进步，半导体元件的尺寸逐渐变小，同时提供更佳的功能性且包含更多的集成电路。

2、在半导体功率元件中，横向扩散金属氧化物半导体（lateral diffused metal-oxide-semiconductor， ldmos）、双扩散金属氧化物半导体（double diffused metal-oxide-semiconductor，ddmos）以及垂直扩散金属氧化物半导体（vertical diffusedmetal-oxide-semiconductor，vdmos）常用于射频（radio frequency，rf）功率放大器以及高频功率放大器等电路中。由于ldmos、ddmos以及vdmos各有不同特性和优势，可根据应用情境的需求设计与挑选适合的元件。然而，在快速发展的半导体领域中，元件尺寸逐渐缩小的同时性能要求也变得更加严苛（例如，在相同的单位面积中产生更高的导通电流）。因此，在特定的情境中，仅依赖传统ldmos、ddmos或vdmos元件的优势已不足以满足新技术节点的需求。因此，克服传统元件的限制已成为此领域中的重要议题。

3、上文的“先前技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

1、本公开的一方面提供一种半导体元件。该半导体元件包括栅极结构、第一源极/漏极区、第二源极/漏极区以及通道区。栅极结构有中心部分及多个连接部分。自俯视观之，多个连接部分自中心部分突出。自俯视观之，第一源极/漏极区环绕栅极结构。第二源极/漏极区由栅极结构环绕。自截面观之，通道区在第一源极/漏极区下方，且自俯视观之，其环绕栅极结构。

2、本公开的另一方面提供一种半导体元件，包括第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管与第二晶体管各包括栅极结构、第一源极/漏极区、第二源极/漏极区以及通道区。栅极结构有中心部分及多个连接部分。自俯视观之，多个连接部分自中心部分突出。自俯视观之，第一源极/漏极区环绕栅极结构。第二源极/漏极区由栅极结构环绕。自截面观之，通道区在第一源极/漏极区下方，且自俯视观之，其环绕栅极结构。第一晶体管与第二晶体管并联连接。

3、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。

1.一种半导体元件，包括：

2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

3.如权利要求2所述的半导体元件，自俯视观之，其中该第一接触区呈现长方形或四分之一圆形。

4.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该通道区自该第一源极/漏极区的一底面沿该栅极结构的一第二侧壁延伸至该栅极结构的该底面。

6.如权利要求4所述的半导体元件，还包括：

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该栅极结构包括；

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中，自截面观之，该栅极导体包括：

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该弯曲侧壁向外弯曲。

10.如权利要求8所述的半导体元件，自俯视观之，其中该栅极导体为环型。

11.如权利要求7所述的半导体元件，其中该栅极结构的该中心部分为椭圆形，并且该栅极导体为椭圆形。

12.如权利要求7所述的半导体元件，其中该栅极结构的该中心部分为六边形，并且该栅极导体为六边形。

13.如权利要求1所述的半导体元件，其中该栅极结构的该中心部分为圆形。

14.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二源极/漏极区为椭圆形。

15.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二源极/漏极区为六边形。

16.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一源极/漏极区以及该第二源极/漏极区为n型掺杂区。

17.一种半导体元件，包括：

18.如权利要求17所述的半导体元件，其中该第一晶体管的该多个连接部分之一与该第二晶体管的该多个连接部分之一连接，

19.如权利要求17所述的半导体元件，其中该第一晶体管的该第一源极/漏极区与该第二晶体管彼此连接。

20.如权利要求17所述的半导体元件，其中该第一晶体管与该第二晶体管各还包括：