一种集成霍尔元件的激励熔断器的制作方法

本发明涉及电力控制和电动汽车领域，尤其是需要实时监测电流变化进行电流分断场景下的激励熔断器。

背景技术：

1、目前，用于电路保护的激励熔断器，采用机械方式断开导体实现电路保护。一般激励熔断器包括激励源、活塞、导电排。激励源一般为气体发生装置，可以接收外部触发电路发送的触发信号动作，释放高压气体作为驱动力。导电排用于将激励熔断器串联进保护电路中，主电路中的电流经导电排流过。活塞对应导电排设置，激励源释放的高压气体驱动活塞位移，通过活塞切断导电排，实现电路保护。为了提高灭弧能力，在导电排上还可以并联熔体进行灭弧。

2、由于激励熔断器自身不具备实时电流监测能力，需要用户端在激励熔断器外部进行电流实时监测，当电流过载或短路时，通过用户端控制系统导通外部触发电路，通过外部触发电路发送触发信号，使激励源触发动作，导致现有的激励熔断器响应速度相对较慢，在一些需要高响应的场景下，无法满足工作需要。

技术实现思路

1、本发明的目的是通过在激励熔断器上集成实时监测电流变化的霍尔元件，结合pcb控制板，实现电流实时监测实时高速响应的激励熔断器。

2、为实现上述目的，本发明提供的技术方案是一种集成霍尔元件的激励熔断器，包括激励熔断器壳体、至少一路导电排和激励源；所述激励熔断器壳体与霍尔元件安装模组、控制模块集成，所述霍尔元件安装模组中设置有至少一个霍尔元件；所述霍尔元件对应设置有磁感应元件形成磁感应回路；所述导电排穿过对应的所述磁感应回路，所述磁感应元件用于感应穿过所述磁感应回路的所述导电排上的电流；并将感应的电流信号发送给所述控制模块，所述控制模块监控所述电流信号是否超过阈值，当超过阈值，所述控制模块向所述激励源发送触发信号，所述激励源动作，切断所述导电排。

3、优选地，当所述激励熔断器使用在直流系统中时，所述控制模块监控到其中一路所述导电排的电流信号超过阈值时，则控制模块向所述激励源发送触发信号。

4、优选地，当所述激励熔断器使用在交流系统中时，所述控制模块监控到至少两路所述导电排的电流信号超过阈值时，则控制模块向所述激励源发送触发信号。

5、优选地，所述霍尔元件为呈u型结构的硅钢片；所述导电排的一端穿过所述霍尔元件安装模组，所述霍尔元件围绕所述导电排设置。

6、优选地，所述霍尔元件埋设在所述霍尔元件安装模组中，在所述霍尔元件所在位置处形成u型槽结构，所述导电排的一端穿设在所述u型槽结构中，所述磁感应元件对应设置与所述霍尔元件的u型槽结构的开口端处，与所述霍尔元件之间形成磁感应回路。

7、优选地，所述霍尔元件与所述霍尔元件安装模组一体注塑成型。

8、优选地，当所述导电排为两路以上时，所述霍尔元件与所述导电排、所述磁感应元件分别一一对应设置。

9、优选地，所述磁感应元件设置在所述控制模块上，所述控制模块设置在所述霍尔元件安装模组上。

10、优选地，所述激励熔断器壳体与所述霍尔元件安装模组一体成型。

11、优选地，所述激励熔断器壳体至少由独立的两部分组成，其中一部分与所述霍尔元件安装模组一体成型。

12、优选地，所述导电排穿设在激励熔断器壳体上，所述激励源设置在所述激励熔断器壳体上，在所述激励熔断器壳体中设置有活塞，所述活塞的冲击端分别对应所述导电排设置；所述激励源释放的驱动力作用于所述活塞，驱动所述活塞位移切断所述导电排。

13、优选地，在所述导电排上分别并联有灭弧熔体。

14、优选地，在所述激励熔断器壳体中设置有灭弧腔室，所述灭弧腔室填充有灭弧介质，所述灭弧熔体穿设在所述灭弧介质中。

15、优选地，在所述活塞所在空腔及所述活塞位移路径的外侧的所述激励熔断器壳体上分别设置有灭弧腔室，所述灭弧腔室中填充灭弧介质，所述灭弧熔体穿设在灭弧介质中。

16、优选地，当所述灭弧熔体位于所述活塞断开所述导电排后继续位移的位移路径上或位移路径前方时，在所述灭弧腔室中设置有位移通道，所述灭弧熔体穿过所述位移通道，在所述位移通道中设置有熔体切刀组件，所述灭弧熔体位于所述熔体切刀组件的位移路径上，或所述灭弧熔体穿过所述熔体切刀组件；当所述活塞断开所述导电排继续位移时，驱动所述熔体切刀组件位移，断开所述灭弧熔体。

17、本发明通过集成霍尔元件和控制模块，通过控制模块上的磁感应元件与霍尔元件配合，实时监测导电排流过的电流，当电流超过设定阈值时，控制模块可以第一时间直接向激励源发送触发信号，使激励源动作，切断导电排。由于霍尔元件集成在激励熔断器外侧，因此，响应速度快，分断迅速，同时避免了用户端设置外部触发电路及监测主电路电流的监测装置，节省了元器件数量及外部触发电路的设置，使激励熔断器使用起来更方便。

1.一种集成霍尔元件的激励熔断器，其特征在于，包括激励熔断器壳体、至少一路导电排和激励源；所述激励熔断器壳体与霍尔元件安装模组、控制模块集成，所述霍尔元件安装模组中设置有至少一个霍尔元件；所述霍尔元件对应设置有磁感应元件形成磁感应回路；所述导电排穿过对应的所述磁感应回路，所述磁感应元件用于感应穿过所述磁感应回路的所述导电排上的电流；并将感应的电流信号发送给所述控制模块，所述控制模块监控所述电流信号是否超过阈值，当超过阈值，所述控制模块向所述激励源发送触发信号，所述激励源动作，切断所述导电排。

2.根据权利要求1所述的激励熔断器，其特征在于，当所述激励熔断器使用在直流系统中时，所述控制模块监控到其中一路所述导电排的电流信号超过阈值时，则控制模块向所述激励源发送触发信号。

3.根据权利要求1所述的激励熔断器，其特征在于，当所述激励熔断器使用在交流系统中时，所述控制模块监控到至少两路所述导电排的电流信号超过阈值时，则控制模块向所述激励源发送触发信号。

4.根据权利要求1所述的激励熔断器，其特征在于，所述霍尔元件为呈u型结构的硅钢片；所述导电排的一端穿过所述霍尔元件安装模组，所述霍尔元件围绕所述导电排设置。

5.根据权利要求4所述的激励熔断器，其特征在于，所述霍尔元件埋设在所述霍尔元件安装模组中，在所述霍尔元件所在位置处形成u型槽结构，所述导电排的一端穿设在所述u型槽结构中，所述磁感应元件对应设置与所述霍尔元件的u型槽结构的开口端处，与所述霍尔元件之间形成磁感应回路。

6.根据权利要求1所述的激励熔断器，其特征在于，所述霍尔元件与所述霍尔元件安装模组一体注塑成型。

7.根据权利要求1所述的激励熔断器，其特征在于，当所述导电排为两路以上时，所述霍尔元件与所述导电排、所述磁感应元件分别一一对应设置。

8.根据权利要求1所述的激励熔断器，其特征在于，所述磁感应元件设置在所述控制模块上，所述控制模块设置在所述霍尔元件安装模组上。

9.根据权利要求1所述的激励熔断器，其特征在于，所述激励熔断器壳体与所述霍尔元件安装模组一体成型。

10.根据权利要求1至9任一项所述的激励熔断器，其特征在于，所述激励熔断器壳体至少由独立的两部分组成，其中一部分与所述霍尔元件安装模组一体成型。

11.根据权利要求10所述的激励熔断器，其特征在于，所述导电排穿设在激励熔断器壳体上，所述激励源设置在所述激励熔断器壳体上，在所述激励熔断器壳体中设置有活塞，所述活塞的冲击端分别对应所述导电排设置；所述激励源释放的驱动力作用于所述活塞，驱动所述活塞位移切断所述导电排。

12.根据权利要求11所述的激励熔断器，其特征在于，在所述导电排上分别并联有灭弧熔体。

13.根据权利要求12所述的激励熔断器，其特征在于，在所述激励熔断器壳体中设置有灭弧腔室，所述灭弧腔室填充有灭弧介质，所述灭弧熔体穿设在所述灭弧介质中。

14.根据权利要求13所述的激励熔断器，其特征在于，在所述活塞所在空腔及所述活塞位移路径的外侧的所述激励熔断器壳体上分别设置有灭弧腔室，所述灭弧腔室中填充灭弧介质，所述灭弧熔体穿设在灭弧介质中。

15.根据权利要求13所述的激励熔断器，其特征在于，当所述灭弧熔体位于所述活塞断开所述导电排后继续位移的位移路径上或位移路径前方时，在所述灭弧腔室中设置有位移通道，所述灭弧熔体穿过所述位移通道，在所述位移通道中设置有熔体切刀组件，所述灭弧熔体位于所述熔体切刀组件的位移路径上，或所述灭弧熔体穿过所述熔体切刀组件；当所述活塞断开所述导电排继续位移时，驱动所述熔体切刀组件位移，断开所述灭弧熔体。