电子设备的制作方法

本申请涉及电子产品，具体涉及一种电子设备。

背景技术：

1、随着通信技术的发展，信号的传输速率越来越高，多输入多输出（multiple inputmultiple output，mimo）技术要求的天线数量越来越多，频段数量也越来越多，这对于手机这种小体积的移动终端来说是一个艰难的挑战。

2、目前的手机天线方案已经实现了4只中高频段（mid-high band，mhb）天线、4只低频段（low band，lb）天线、两组无线保真（wireless fidelity，wifi）天线、全球定位系统（global positioning system，gps）导航天线和卫星通信天线集成在一台手机中，但是该方案还存在较多的问题，天线和天线之间距离很近，隔离度不够，天线性能受到相互的影响，尤其是相同频率的天线距离较近时，相互之间的影响尤为严重。可见，相关技术中的电子设备存在距离较近的相同频段的天线之间的隔离度较差的问题。

技术实现思路

1、本申请提供了一种电子设备，可以解决相关技术中的电子设备存在距离较近的相同频段的天线之间的隔离度较差的问题。

2、第一方面，本申请提供了一种电子设备，包括框体，所述框体包括第一金属段、第二金属段和第三金属段，所述第二金属段位于所述第一金属段和所述第三金属段之间，且所述第一金属段与所述第二金属段之间具有第一缝隙，所述第二金属段与所述第三金属段之间具有第二缝隙，所述第一金属段由所述框体的第一侧边延伸至所述框体的底边，所述第二金属段位于所述底边，所述第三金属段由所述底边延伸至所述框体的第二侧边，所述第一金属段的远离所述第一缝隙的一端接地，所述第三金属段的远离所述第一缝隙的一端接地，所述第一缝隙跨接有第一电感，和/或，所述第二缝隙跨接有第二电感；

3、所述第一金属段设有第一低频天线，所述第三金属段设有第二低频天线和中高频天线，所述第二金属段为所述中高频天线的寄生枝节。

4、本申请实施例中，由于第一金属段设有第一低频天线，第三金属段设有第二低频天线，而第一金属段和第三金属段之间的距离相对较近，基于此，本申请实施例通过在第一缝隙跨接第一电感，和/或，在第二缝隙跨接第二电感，这样，在第一电感和/或第二电感的作用下，可以使得其中一个低频天线工作过程中，在另一个低频天线上所产生的差模模式电流和共模模式电流可以相互抵消，即不会在另一个低频天线上产生电流，因此，可以提高第一低频天线与第二低频天线之间的隔离度。

1.一种电子设备，其特征在于，包括框体，所述框体包括第一金属段、第二金属段和第三金属段，所述第二金属段位于所述第一金属段和所述第三金属段之间，且所述第一金属段与所述第二金属段之间具有第一缝隙，所述第二金属段与所述第三金属段之间具有第二缝隙，所述第一金属段由所述框体的第一侧边延伸至所述框体的底边，所述第二金属段位于所述底边，所述第三金属段由所述底边延伸至所述框体的第二侧边，所述第一金属段的远离所述第一缝隙的一端接地，所述第三金属段的远离所述第一缝隙的一端接地，所述第一缝隙跨接有第一电感，和/或，所述第二缝隙跨接有第二电感；

2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第三金属段的位于所述底边的部分的电长度的取值范围为3/4倍高频频段对应的波长至3/4倍中频频段对应的波长。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述第三金属段的位于所述底边的部分设有第一馈电点，所述第一馈电点为所述中高频天线的馈电点，所述第一馈电点与所述第二缝隙之间的距离的取值范围为第一电长度的1/2至2/3倍，所述第一电长度为所述第三金属段的位于所述底边的部分的电长度。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述第三金属段的位于所述第二侧边的部分设有第二馈电点，所述第二馈电点为所述第二低频天线的馈电点，所述第二馈电点位于所述第三金属段的位于所述第二侧边的部分的中点位置。

5.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，所述第二低频天线包括第一馈电电路，所述第一馈电电路包括第一馈源、第一匹配网络和隔离电路，所述第二馈电点通过所述第一匹配网络与所述第一馈源电连接，且所述第二馈电点通过所述隔离电路接地；

6.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述第一馈电点还为所述第二低频天线的馈电点。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述第三金属段的位于所述第二侧边的部分的中点位置通过第一电容回地，所述第一电容的电容值大于3pf。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一金属段的结构和所述第三金属段的结构关于所述第二金属段对称。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述第一金属段的位于所述底边的部分设有第一调谐点，所述第三金属段的位于所述底边的部分设有第二调谐点，所述电子设备还包括第一调谐组件和第二调谐组件，所述第一调谐点通过所述第一调谐组件接地，所述第二调谐点通过所述第二调谐组件接地；所述第一调谐点与所述第一缝隙之间的距离的取值范围为4mm至8mm，所述第二调谐点与所述第二缝隙之间的距离的取值范围为4mm至8mm。

10.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述第一金属段的电长度为1/4倍低频频段对应的波长。