一种离子注入设备的制作方法

本申请涉及半导体工艺设备，尤其涉及一种离子注入设备。

背景技术：

1、离子注入是经过轰击将掺杂物或杂质引入至衬底中的过程。在半导体的制造过程中，离子注入是对晶圆进行掺杂的常用工艺，在离子注入过程中，会在离子源中通入掺杂源气体并产生等离子体（包括正离子和电子），正离子被引出极加速引出形成离子束，离子束经过后续的过滤、加速、聚焦、漂移、扫描和平行化，并注入到晶圆中。

2、在相关技术中，为增加离子注入工艺的产能，离子注入机目前正向着更高电流强度的方向设计和发展，然而，提高电流强度不可避免地会加剧离子束的发散，造成离子束的损失，不利于提升产能。

技术实现思路

1、本申请公开一种离子注入设备，以解决相关技术中存在的离子束发散的问题。

2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

3、本申请实施例公开了一种离子注入设备，所公开的离子注入设备包括抽真空装置、相互连通的离子产生室和离子加速聚焦室；

4、所述离子产生室用于产生离子束；

5、所述离子加速聚焦室用于对从所述离子产生室射出的离子束进行加速与聚焦；

6、所述抽真空装置与所述离子产生室和所述离子加速聚焦室中的至少一者相连，用于控制所述离子产生室和所述离子加速聚焦室的压强范围均处于5e-6torr ~5e-5torr。

7、本申请采用的技术方案能够达到以下技术效果：

8、本申请实施例公开的离子注入设备对相关技术进行改进，所公开的离子注入设备包括抽真空装置、相互连通的离子产生室和离子加速聚焦室。离子产生室用于产生离子束，离子加速聚焦室可对从离子产生室射出的离子束进行加速与聚焦，抽真空装置与离子发生室和离子加速聚焦室中的至少一者相连，抽真空装置能够控制离子发生室和离子加速聚焦室的压强范围均处于5e-6 torr ~5e-5torr，在该压强范围内，离子束与气体分子可发生碰撞并快速补充电子，从而可以有效地抑制离子束的发散，进而可实现更高电流强度的离子束传输，提高了离子注入设备的产能。

1.一种离子注入设备，其特征在于，包括抽真空装置（110）、相互连通的离子产生室（120）和离子加速聚焦室（130）；

2.根据权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述抽真空装置（110）用于控制所述离子产生室（120）的压强大于所述离子加速聚焦室（130）的压强。

3.根据权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述抽真空装置（110）用于控制所述离子产生室（120）的压强范围处于1e-5 torr ~5e-5torr，控制所述离子加速聚焦室（130）的压强范围处于5e-6 torr ~9e-6torr。

4.根据权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述离子注入设备还包括第一过滤室（140）和第二过滤室（150）；

5.根据权利要求4所述的离子注入设备，其特征在于，所述抽真空装置（110）用于控制所述第一过滤室（140）的压强范围处于1e-6 torr ~5e-6torr，控制所述第二过滤室（150）的压强范围处于3e-6 torr ~7e-6torr。

6.根据权利要求4所述的离子注入设备，其特征在于，所述离子注入设备还包括扫描室（160）和离子注入室（170），所述扫描室（160）和所述离子注入室（170）沿依次连通，且所述扫描室（160）与所述第二过滤室（150）的出口连通；

7.根据权利要求6所述的离子注入设备，其特征在于，所述抽真空装置（110）包括第一真空泵（111）和第二真空泵（112），所述第一真空泵（111）与所述离子产生室（120）相连，所述第二真空泵（112）与所述第一过滤室（140）相连。

8.根据权利要求7所述的离子注入设备，其特征在于，所述抽真空装置（110）还包括第三真空泵（113）和第四真空泵（114），所述第三真空泵（113）与所述扫描室（160）相连，所述第四真空泵（114）与所述离子注入室（170）相连。

9.根据权利要求8所述的离子注入设备，其特征在于，所述离子产生室（120）、所述第一过滤室（140）、所述扫描室（160）和所述离子注入室（170）均设有用于与所述抽真空装置（110）连通的过流孔（180），所述过流孔（180）设有调节机构（190），所述调节机构（190）用于控制所述过流孔（180）的开度。

10.根据权利要求6所述的离子注入设备，其特征在于，所述离子注入设备还包括第一通道（200）、第二通道（210）以及通道调节装置（220）；

11.根据权利要求10所述的离子注入设备，其特征在于，沿所述第一通道（200）径向，所述通道调节装置（220）的调节范围为30mm-80mm；

12.根据权利要求6所述的离子注入设备，其特征在于，所述离子注入设备还包括压力传感器（230），所述离子产生室（120）、所述第一过滤室（140）、所述离子加速聚焦室（130）、所述第二过滤室（150）、所述扫描室（160）和所述离子注入室（170）均设有所述压力传感器（230）。