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存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元与流程

2023-10-07 18:04:57 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种存储器管理方法,其特征在于,用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元,所述存储器管理方法包括:在初始化操作中,将所述多个实体单元中的第一实体单元设定为采用第一操作模式,其中在所述第一操作模式下,所述第一实体单元是基于第一程序化模式来程序化;从主机系统接收多个指令,其中所述多个指令包括第一指令与第二指令,所述第一指令指示将第一数据存储至第一逻辑单元,且所述第二指令指示将存储于第二逻辑单元的第二数据标记为无效数据;以及响应于目标条件被满足,根据所述第二指令,将所述第一实体单元设定为采用第二操作模式,其中在所述第二操作模式下,所述第一实体单元可基于第二程序化模式来程序化,且所述第一程序化模式不同于所述第二程序化模式。2.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中根据所述第二指令,将所述第一实体单元设定为采用所述第二操作模式的步骤包括:响应于所述第二指令的总数达到第一临界值或所述第二数据的总数据量达到第二临界值,将所述第一实体单元设定为采用所述第二操作模式。3.根据权利要求1所述的存储器管理方法,还包括:响应于所述第一数据的总数据量达到第三临界值及采用所述第二操作模式存储的第三数据的总数据量达到第四临界值的至少其中之一,判定所述目标条件被满足。4.根据权利要求1所述的存储器管理方法,还包括:在将所述第一实体单元设定为采用所述第二操作模式后,在一时间范围内,将所述第一实体单元维持于采用所述第二操作模式;以及在离开所述时间范围后,将所述第一实体单元回复为采用所述第一操作模式。5.根据权利要求4所述的存储器管理方法,还包括:在所述时间范围内,禁止或延迟执行数据整并操作,其中所述数据整并操作通过搬移有效数据来释放闲置实体单元。6.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中在基于所述第一程序化模式来程序化的一个实体单元中,一个存储单元用以存储m个比特,在基于所述第二程序化模式来程序化的一个实体单元中,一个存储单元用以存储n个比特,且m大于n。7.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中通过所述第二程序化模式执行的主机写入操作的写入效能高于通过所述第一程序化模式执行的主机写入操作的写入效能。8.一种存储器存储装置,其特征在于,包括:连接接口单元,用以连接至主机系统;可复写式非易失性存储器模块,其包括多个实体单元;以及存储器控制电路单元,连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块,其中所述存储器控制电路单元用以:在初始化操作中,将所述多个实体单元中的第一实体单元设定为采用第一操作模式,其中在所述第一操作模式下,所述第一实体单元是基于第一程序化模式来程序化;从所述主机系统接收多个指令,其中所述多个指令包括第一指令与第二指令,所述第
一指令指示将第一数据存储至第一逻辑单元,且所述第二指令指示将存储于第二逻辑单元的第二数据标记为无效数据;以及响应于目标条件被满足,根据所述第二指令,将所述第一实体单元设定为采用第二操作模式,其中在所述第二操作模式下,所述第一实体单元可基于第二程序化模式来程序化,且所述第一程序化模式不同于所述第二程序化模式。9.根据权利要求8所述的存储器存储装置,其中所述存储器控制电路单元根据所述第二指令,将所述第一实体单元设定为采用所述第二操作模式的操作包括:响应于所述第二指令的总数达到第一临界值或所述第二数据的总数据量达到第二临界值,将所述第一实体单元设定为采用所述第二操作模式。10.根据权利要求8所述的存储器存储装置,其中所述存储器控制电路单元还用以:响应于所述第一数据的总数据量达到第三临界值及采用所述第二操作模式存储的第三数据的总数据量达到第四临界值的至少其中之一,判定所述目标条件被满足。11.根据权利要求8所述的存储器存储装置,其中所述存储器控制电路单元还用以:在将所述第一实体单元设定为采用所述第二操作模式后,在一时间范围内,将所述第一实体单元维持于采用所述第二操作模式;以及在离开所述时间范围后,将所述第一实体单元回复为采用所述第一操作模式。12.根据权利要求11所述的存储器存储装置,其中所述存储器控制电路单元还用以:在所述时间范围内,禁止或延迟执行数据整并操作,其中所述数据整并操作通过搬移有效数据来释放闲置实体单元。13.根据权利要求8所述的存储器存储装置,其中在基于所述第一程序化模式来程序化的一个实体单元中,一个存储单元用以存储m个比特,在基于所述第二程序化模式来程序化的一个实体单元中,一个存储单元用以存储n个比特,且m大于n。14.根据权利要求8所述的存储器存储装置,其中通过所述第二程序化模式执行的主机写入操作的写入效能高于通过所述第一程序化模式执行的主机写入操作的写入效能。15.一种存储器控制电路单元,其特征在于,用以控制可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元,且所述存储器控制电路单元包括:主机接口,用以连接至主机系统;存储器接口,用以连接至所述可复写式非易失性存储器模块;以及存储器管理电路,连接至所述主机接口与所述存储器接口,其中所述存储器管理电路用以:在初始化操作中,将所述多个实体单元中的第一实体单元设定为采用第一操作模式,其中在所述第一操作模式下,所述第一实体单元是基于第一程序化模式来程序化;从所述主机系统接收多个指令,其中所述多个指令包括第一指令与第二指令,所述第一指令指示将第一数据存储至第一逻辑单元,且所述第二指令指示将存储于第二逻辑单元的第二数据标记为无效数据;以及响应于目标条件被满足,根据所述第二指令,将所述第一实体单元设定为采用第二操作模式,其中在所述第二操作模式下,所述第一实体单元可基于第二程序化模式来程序化,
且所述第一程序化模式不同于所述第二程序化模式。16.根据权利要求15所述的存储器控制电路单元,其中所述存储器管理电路根据所述第二指令,将所述第一实体单元设定为采用所述第二操作模式的操作包括:响应于所述第二指令的总数达到第一临界值或所述第二数据的总数据量达到第二临界值,将所述第一实体单元设定为采用所述第二操作模式。17.根据权利要求15所述的存储器控制电路单元,其中所述存储器管理电路还用以:响应于所述第一数据的总数据量达到第三临界值及采用所述第二操作模式存储的第三数据的总数据量达到第四临界值的至少其中之一,判定所述目标条件被满足。18.根据权利要求15所述的存储器控制电路单元,其中所述存储器管理电路还用以:在将所述第一实体单元设定为采用所述第二操作模式后,在一时间范围内,将所述第一实体单元维持于采用所述第二操作模式;以及在离开所述时间范围后,将所述第一实体单元回复为采用所述第一操作模式。19.根据权利要求18所述的存储器控制电路单元,其中所述存储器管理电路还用以:在所述时间范围内,禁止或延迟执行数据整并操作,其中所述数据整并操作通过搬移有效数据来释放闲置实体单元。20.根据权利要求15所述的存储器控制电路单元,其中在基于所述第一程序化模式来程序化的一个实体单元中,一个存储单元用以存储m个比特,在基于所述第二程序化模式来程序化的一个实体单元中,一个存储单元用以存储n个比特,且m大于n。21.根据权利要求15所述的存储器控制电路单元,其中通过所述第二程序化模式执行的主机写入操作的写入效能高于通过所述第一程序化模式执行的主机写入操作的写入效能。

技术总结
本发明提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括:在初始化操作中,将第一实体单元设定为采用第一操作模式,其中在第一操作模式下,第一实体单元是基于第一程序化模式来程序化;从主机系统接收多个指令,其包括第一指令与第二指令,第一指令指示将第一数据存储至第一逻辑单元,且第二指令指示将存储于第二逻辑单元的第二数据标记为无效数据;以及响应于目标条件被满足,根据第二指令,将第一实体单元设定为采用第二操作模式,以基于第二程序化模式来程序化。由此,可提高主机写入的写入效能。可提高主机写入的写入效能。可提高主机写入的写入效能。


技术研发人员:陈国荣
受保护的技术使用者:群联电子股份有限公司
技术研发日:2023.07.18
技术公布日:2023/10/6
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