用于捕获图像并确定环境光强度的装置的制作方法

技术特征：
1.一种装置，包括：主体，其限定孔径；图像传感器，其包括感测元件的阵列；以及环境光传感器；其中，所述图像传感器和所述环境光传感器各自被布置成接收来自所述孔径的辐射。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述图像传感器的感测元件的阵列形成在图像传感器管芯上，并且所述环境光传感器形成在分立的环境光传感器管芯上。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述图像传感器和所述环境光传感器的分立的管芯两者均由共同支承基板支承。4.根据权利要求2或3所述的装置，其中，所述环境光传感器被放置在所述共同支承基板的相对于所述图像传感器的相对侧上。5.根据权利要求2或权利要求3所述的装置，其中，所述图像传感器管芯和所述环境光传感器管芯被堆叠以形成三维集成电路。6.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，使用不同的工艺节点形成所述图像传感器和所述环境光传感器。7.根据前述权利要求中任一项所述的装置，还包括由所述主体支承[并且设置在所述孔径附近]的光学元件，所述光学元件被布置成将通过所述孔径接收到的所述辐射的至少一部分投射到所述图像传感器上。8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述光学元件包括定焦透镜。9.根据权利要求7所述的装置，其中，所述光学元件包括透镜，所述透镜设置有能够操作以控制所述透镜的焦距和/或所述透镜相对于所述图像传感器的位置的调整机构。10.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述图像传感器被设置在限定在所述主体中的所述孔径与所述环境光传感器之间。11.根据前述权利要求中任一项所述的装置，还包括至少一个光导，所述至少一个光导被布置成接收来自所述孔径的光的一部分并且将光的所述一部分从所述孔径引导到所述环境光传感器。12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述装置包括多个光导，所述多个光导各自被布置成接收来自所述孔径的光的一部分并且将光的所述一部分从所述孔径引导到所述环境光传感器。13.根据权利要求11或权利要求12所述的装置，其中，所述装置包括漫射器，所述漫射器被布置成在由所述多个光导接收的光入射在所述环境光传感器上之前将所述光散射。14.根据权利要求11至13中任一项所述的装置，当直接或间接从属于权利要求7时，其中，所述至少一个光导被布置成接收散射到所述光学元件的侧或边缘的光的一部分，并且将散射到所述光学元件的侧或边缘的光的所述一部分引导到所述环境光传感器。15.根据权利要求11至13中任一项所述的装置，当直接或间接从属于权利要求7时，其中，所述至少一个光导被布置成接收来自所述孔径的光的没有入射在所述光学元件上的一部分，以将来自所述孔径的光的没有入射在所述光学元件上的所述一部分引导到所述环境光传感器。16.根据权利要求11至13中任一项所述的装置，当直接或间接从属于权利要求7时，其
中，所述至少一个光导被布置成接收来自所述孔径的光的被所述光学元件透射并且没有入射在所述图像传感器上的一部分，并且将光的所述一部分引导到所述环境光传感器。17.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述环境光传感器包括至少一个光感测元件，所述至少一个光感测元件被布置成接收来自所述孔径的光的被所述光学元件透射并且没有入射在所述图像传感器上的一部分。18.根据权利要求1至9中任一项所述的装置，其中，所述图像传感器被布置成接收来自所述孔径的辐射，并且其中，所述环境光传感器被布置成接收所述辐射的被所述图像传感器透射的一部分。19.根据权利要求18所述的装置，其中，所述图像传感器包括多层堆叠的cmos传感器的像素管芯，并且其中，所述环境光传感器被设置在所述多层堆叠的cmos传感器的其他管芯上。20.根据权利要求19所述的装置，其中，所述环境光传感器被设置在所述多层堆叠的cmos传感器的存储器管芯或逻辑电路管芯上。21.根据权利要求19或权利要求20所述的装置，其中，所述环境光传感器被设置在所述多层堆叠的cmos传感器的所述其他管芯的外围部分上。22.根据前述权利要求中任一项所述的装置还包括光谱滤波器，所述光谱滤波器被布置成限制由所述环境光传感器接收到的来自所述孔径的辐射的带宽。23.根据前述权利要求中任一项所述的装置还包括漫射器，所述漫射器被布置成将由所述环境光传感器接收到的来自所述孔径的辐射散射。24.一种移动电子设备，包括前述权利要求中任一项所述的装置。

技术总结
装置包括主体、图像传感器和环境光传感器。图像传感器包括感测元件的阵列。主体限定孔径。图像传感器和环境光传感器各自被布置成接收来自孔径的辐射。因此，装置包括图像传感器和环境光传感器两者，图像传感器和环境光传感器各自接收来自共同孔径的辐射(例如，可见光)。装置可以是在使用时能够形成移动电子设备(例如，移动电话或平板计算机)的一部分的组件或模块。件或模块。件或模块。


技术研发人员：刘剑 佐伊
受保护的技术使用者：ams国际有限公司
技术研发日：2021.12.17
技术公布日：2023/9/21