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一种基于H型DNA纳米结构荧光适配体传感器的制备方法

2023-09-15 09:15:26 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种基于h型dna纳米结构荧光适配体传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)h型dna纳米结构的形成:取一定量的互补链cdna1和cdna2以及置换链zh置于恒温振荡器中孵育一定时间,之后向上述混合液中加入一定量的黄曲霉毒素b1适配体链(afb1-apt)以及不同浓度的黄曲霉毒素b1(afb1)孵育一定时间,最终得到h型dna纳米结构;(2)荧光适配体传感器的构建:向上述步骤(1)体系中加入一定浓度淬灭材料,在恒温振荡器中孵育一定时间,当afb1不存在时,afb1-apt将zh置换下来从而被淬灭材料吸附致使其荧光被淬灭,当加入afb1时,afb1优先与afb1-apt结合,此时参与形成h型dna纳米结构的zh由于双链结构游离在溶液中维持荧光信号,至此荧光适配体传感器制备完成;最后用缓冲液定容并经涡旋仪充分混合;设置固定激发波长、测量范围和测量电压,用荧光分光光度计记录发射波长的荧光强度;通过加入afb1前后响应信号的变化实现对afb1的定量分析。2.根据权利要求书1所述一种基于h型dna纳米结构荧光适配体传感器的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述zh的序列为5
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aatgtgtgttggttctctctgtc-3’,其中3’端标记的荧光基团为alexa fluor 594、fam、rox、cy3、cy5的一种。3.根据权利要求书1所述一种基于h型dna纳米结构荧光适配体传感器的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,恒温振荡器处理的条件均为:温度25~50℃,时间≤3h。4.根据权利要求书1所述一种基于h型dna纳米结构荧光适配体传感器的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述cdna1的序列为5
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gagacacagagagactgagaagcgcatcacaacacgtcca-3’。5.根据权利要求书1所述一种基于h型dna纳米结构荧光适配体传感器的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述cdna2的序列为5
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gagacacagagagatgatgcgcttctcggcaacacgtcca-3’。6.根据权利要求书1所述一种基于h型dna纳米结构荧光适配体传感器的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述的淬灭材料为氧化石墨烯、三维氮掺杂碳纳米片、氮掺杂碳纳米棒、空心碳球中的一种。7.根据权利要求书1所述一种基于h型dna纳米结构荧光适配体传感器的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述的淬灭材料浓度为0.1~0.5 mg/ml。8.根据权利要求书1所述一种基于h型dna纳米结构荧光适配体传感器的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述缓冲溶液为tris-hcl、pbs、hepes中的一种或两种,体积范围在10~200 μl,ph范围在6.0~8.0。

技术总结
本发明属于生物传感检测技术领域,公开了一种基于H型DNA纳米结构荧光适配体传感器的制备方法及其应用,取一定量的cDNA1、cDNA2以及置换链ZH混合孵育,之后加入黄曲霉毒素B1适配体链(AFB1-Apt)孵育后得到H型DNA纳米结构,向上述混合体系中加入空心碳球混合孵育;当AFB1不存在时,AFB1-Apt与ZH发生链置换游离在体系中,此时ZH被淬灭材料吸附致使其荧光被淬灭;当AFB1存在时,AFB1优先与AFB1-Apt结合,此时参与形成H型结构的ZH由于双链结构游离在体系中维持荧光信号,至此荧光适配体传感器制备完成;根据响应信号变化对AFB1进行定量分析。并按照上述步骤检测实际加标样品,计算得到回收率。所制备的荧光适配体传感器表现出高灵敏度、良好的选择性及优秀的实际应用能力。良好的选择性及优秀的实际应用能力。


技术研发人员:卫敏 乔梦想 索志光 金华丽 何保山
受保护的技术使用者:河南工业大学
技术研发日:2023.06.17
技术公布日:2023/9/14
再多了解一些

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