一种LED芯片及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种led芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：提供生长衬底，于所述生长衬底的表面生长外延结构；于所述外延结构上形成金属反射层；于所述金属反射层上形成金属保护层；于所述金属保护层上形成n电极层；于所述n电极层上形成键合衬底；于所述外延结构的两侧形成p电极层；其中，所述金属保护层的材料选自tiw。2.根据权利要求1所述的led芯片的制备方法，其特征在于，所述于所述金属反射层上形成金属保护层的步骤，具体包括：将tiw溅射形成于所述金属反射层上，得到初始保护层；于所述初始保护层上光刻保护层图形；基于所述保护层图形腐蚀所述初始保护层，得到所述金属保护层。3.根据权利要求2所述的led芯片的制备方法，其特征在于，所述基于所述保护层图形腐蚀所述初始保护层的步骤，具体包括：采用20至50℃的氨水、双氧水、磷酸混合液，所述氨水、双氧水、磷酸的比例1:1:3，对所述初始保护层进行20-60min的湿法腐蚀。4.根据权利要求1所述的led芯片的制备方法，其特征在于，所述于所述n电极层上形成键合衬底的步骤，具体包括：于所述n电极层上依次形成阻挡层和键合层；提供支撑衬底，于所述支撑衬底的表面生长粘结层；将所述粘结层和所述键合层对准键合。5.根据权利要求1所述的led芯片的制备方法，其特征在于，所述于所述n电极层上形成键合衬底的步骤之后，还包括：去除所述生长衬底；对所述外延结构去除了所述生长衬底后的表面进行粗糙化处理；于粗糙化后的所述外延结构上光刻led图形；基于所述led图形腐蚀所述外延结构，得到led芯片发光面。6.根据权利要求5所述的led芯片的制备方法，其特征在于，所述对所述外延结构去除了所述生长衬底后的表面进行粗糙化处理的步骤，具体包括：采用溶液百分比浓度为0.5％至30％、温度为20℃至50℃的hcl水溶液对所述外延结构进行表面处理；采用溶液百分比浓度为2％至20％、温度为50℃至90℃的koh水溶液对所述外延结构进行粗化处理。7.根据权利要求5所述的led芯片的制备方法，其特征在于，所述于所述外延结构的两侧形成p电极层的步骤，具体包括：于所述led芯片发光面上沉积钝化层；于所述钝化层上光刻电极图形；基于所述电极图形腐蚀所述钝化层，以露出所述金属保护层；
于所述金属保护层上形成p电极层。8.根据权利要求1所述的led芯片的制备方法，其特征在于，所述于所述外延结构上形成金属反射层的步骤之前，还包括：于所述外延结构上形成透明导电层；其中，所述透明导电层的材料选自掺杂的zno；所述掺杂的元素包括ga、si、al、b、in中至少一种。9.根据权利要求8所述的led芯片的制备方法，其特征在于，所述于所述外延结构上形成透明导电层的步骤，具体包括：采用含锌合金靶材，在预设溅射气体下进行磁控溅射，在所述外延结构上形成zno，得到初始导电层；对初始导电层进行退火，得到透明导电层。10.一种led芯片，其特征在于，所述led芯片利用如权利要求1至9中任一项所述的led芯片的制备方法制备得到。

技术总结
本申请实施例属于半导体技术领域，涉及一种LED芯片及其制备方法。所述LED芯片的制备方法包括如下步骤：提供生长衬底，于所述生长衬底的表面生长外延结构；于所述外延结构上形成金属反射层；于所述金属反射层上形成金属保护层；于所述金属保护层上形成N电极层；于所述N电极层上形成键合衬底；于所述外延结构的两侧形成P电极层；其中，所述金属保护层的材料选自TiW。本申请中由TiW材料制成的金属保护层具有更强的导电性、可抗压性和质密性，可以使LED芯片成品的电压更低，改善整体电流结构，增强芯片的导电性，并对金属反射层的具有更好的保护性，避免后续工序作业时金属反射层被破坏，改善了VF和IR良率。善了VF和IR良率。善了VF和IR良率。


技术研发人员：李国强
受保护的技术使用者：河源市众拓光电科技有限公司
技术研发日：2023.05.19
技术公布日：2023/8/24