半导体发光装置和制造该半导体发光装置的方法与流程

技术特征：
1.一种半导体发光装置，包括：第一导电类型半导体层，其包括下部和所述下部上的上部，所述上部包括彼此间隔开的杆；有源层，其分别位于所述杆的上表面上；第二导电类型半导体层，其分别位于所述有源层的上表面上；绝缘间隔件，其在所述杆之间共形地延伸，所述绝缘间隔件围绕所述有源层中的每一个的所有侧壁，并且覆盖所述第二导电类型半导体层中的每一个的侧壁的一部分；第一电极层，其与所述第一导电类型半导体层的下部接触；以及第二电极层，其填充所述绝缘间隔件的内部空间并且与所述第二导电类型半导体层接触。2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述绝缘间隔件的最上表面的水平在竖直方向上高于所述有源层中的每一个的最上表面的水平。3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第一导电类型半导体层的下部具有与所述杆的下表面接触的平板形状。4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第二电极层与所述第二导电类型半导体层中的每一个的上表面以及所述第二导电类型半导体层中的每一个的侧表面的一部分接触。5.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其中，当从侧截面观看时，所述第二电极层具有凹凸形状。6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第一导电类型半导体层包括n型氮化镓，所述第二导电类型半导体层包括p型氮化镓，并且所述有源层中的每一个包括量子阱层和量子势垒层。7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述杆之间的距离为100nm至2μm，并且所述杆中的每一个具有圆柱形、四边形或六边形杆形状。8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中，所述杆中的每一个的高度为100nm至10μm，并且所述杆的上表面中的每一个的直径为100nm至10μm。9.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中，所述绝缘间隔件具有50nm至1μm的厚度，所述绝缘间隔件包括氧化硅、氮化硅或氧化铝。10.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第二导电类型半导体层中的每一个的接触所述绝缘间隔件的侧壁在竖直方向上的长度为至少50nm。11.一种半导体发光装置，包括：第一导电类型半导体层，其包括彼此间隔开的台面结构；有源层，其位于所述台面结构中的每一个的上表面上；第二导电类型半导体层，其位于所述有源层的上表面上；绝缘间隔件，其在所述台面结构之间共形地延伸，所述绝缘间隔件围绕所述有源层的所有侧壁，覆盖所述第二导电类型半导体层的侧壁的下端，并且具有圆的上外壁；第一电极层，其与所述第一导电类型半导体层接触；以及第二电极层，其填充所述绝缘间隔件的内部空间，并且与所述第二导电类型半导体层的上表面和所述第二导电类型半导体层的侧壁的上端接触。
12.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其中，所述有源层和所述第二导电类型半导体层位于由所述台面结构和所述绝缘间隔件限定的空间中。13.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其中，所述第二电极层的下表面具有凹凸形状，并且所述第二电极层的上表面具有平坦的形状。14.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其中，所述有源层和所述第二导电类型半导体层具有实质上相同的面积。15.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其中，所述有源层和所述第二导电类型半导体层在所述台面结构中的每一个上对准以限定圆柱形柱，所述绝缘间隔件沿着所述圆柱形柱的侧壁延伸。16.一种半导体发光装置，包括：蓝宝石衬底；未掺杂的氮化镓层，其位于所述蓝宝石衬底上；n型氮化镓层，其包括彼此间隔开的杆，所述杆位于所述n型氮化镓层的上部中；有源层，其位于所述杆的上表面上；p型氮化镓层，其分别位于所述有源层的上表面上；绝缘间隔件，其在所述杆之间共形地延伸，所述绝缘间隔件围绕所述有源层中的每一个的所有侧壁，并且覆盖所述p型氮化镓层中的每一个的侧壁的一部分；n电极层，其与所述n型氮化镓层的下部接触；以及p电极层，其填充所述绝缘间隔件的内部空间，并且与所述p型氮化镓层接触。17.根据权利要求16所述的半导体发光装置，其中：所述绝缘间隔件的最上表面的竖直水平高于所述杆的上表面中的每一个的竖直水平，所述绝缘间隔件的最上表面的竖直水平高于所述有源层的上表面中的每一个的竖直水平，并且所述绝缘间隔件的最上表面的竖直水平低于所述p型氮化镓层中的每一个的上表面的竖直水平。18.根据权利要求16所述的半导体发光装置，其中：所述有源层中的每一个具有交替地设置有量子阱层和量子势垒层的结构，所述量子阱层包括氮化铟镓层，并且所述量子势垒层包括氮化镓层或氮化铟铝镓层。19.根据权利要求16所述的半导体发光装置，其中，所述杆中的每一个的高度为100nm至10μm，所述杆的上表面中的每一个的直径为100nm至10μm，所述杆之间的距离为100nm至2μm，并且所述绝缘间隔件的厚度为50nm至1μm。20.根据权利要求16所述的半导体发光装置，其中，所述绝缘间隔件的上外壁是圆的侧壁，并且所述有源层中的每一个和所述p型氮化镓层中的每一个具有实质上相同的面积。

技术总结
提供半导体发光装置和制造该半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层，其在其上部中具有彼此间隔开的多个杆；多个有源层，其分别形成在多个杆的上表面上；多个第二导电类型半导体层，其分别形成在多个有源层的上表面上；绝缘间隔件，其共形地形成在多个杆之间，围绕多个有源层中的每一个的所有侧壁，并且覆盖多个第二导电类型半导体层中的每一个的侧壁的一部分；第一电极层，其与第一导电类型半导体层的下部接触；以及第二电极层，其填充绝缘间隔件的内部空间并且与多个第二导电类型半导体层接触。多个第二导电类型半导体层接触。多个第二导电类型半导体层接触。


技术研发人员：崔容硕 李守烈 李庭旭 崔荣进
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2023.01.17
技术公布日：2023/8/8