图像传感器及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种图像传感器，包括：光电探测器，设置在半导体衬底内；介电结构，设置在所述半导体衬底的第一侧上；以及隔离结构，从所述介电结构延伸到所述半导体衬底的所述第一侧中，其中，所述隔离结构横向环绕所述光电探测器并且包括设置在所述半导体衬底的所述第一侧之上并且直接接触所述介电结构的侧壁的上部部分，并且其中，所述隔离结构包括不同于所述介电结构的第二材料的第一材料。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离结构包括沟槽填充层和设置在所述半导体衬底和所述沟槽填充层之间的第一衬垫层，其中，所述沟槽填充层包括所述第一材料并且所述第一衬垫层包括不同于所述第一材料的第三材料，其中，所述第一材料包括金属。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第三材料不同于所述第二材料。4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述隔离结构还包括设置在所述沟槽填充层和所述第一衬垫层之间的第二衬垫层，其中，所述第二衬垫层包括所述第二材料。5.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：金属栅格结构，置于所述隔离结构上并且直接接触所述隔离结构的顶表面。6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述隔离结构的所述上部部分的高度大于所述金属栅格结构的高度。7.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述隔离结构的高度大于所述半导体衬底的高度。8.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：钝化层，设置在所述介电结构和所述半导体衬底的所述第一侧之间，其中，所述隔离结构的顶表面垂直地位于所述钝化层的顶表面之上。9.一种图像传感器，包括：光电探测器，设置在半导体衬底内，其中，所述半导体衬底包括与第二侧相对的第一侧；互连结构，设置在所述半导体衬底的所述第一侧上；介电结构，设置在所述半导体衬底的所述第二侧上；金属栅格结构，设置在所述介电结构内，其中，所述金属栅格结构从所述半导体衬底的所述第二侧垂直地偏离第一距离，其中，所述光电探测器在所述金属栅格结构的相对侧壁之间间隔开；以及隔离结构，设置在所述半导体衬底中，其中，所述隔离结构包括从所述半导体衬底的所述第二侧沿着所述第一距离连续地延伸到所述金属栅格结构的底表面的上部部分。10.一种形成图像传感器的方法，所述方法包括：在半导体衬底中形成光电探测器，其中，所述半导体衬底包括与背侧表面相对的前侧表面；在所述半导体衬底的所述前侧表面上形成互连结构；在所述半导体衬底的所述背侧表面上沉积第一介电层和第二介电层；以及形成延伸到所述半导体衬底的所述背侧表面中的隔离结构，其中，所述隔离结构包括
垂直地设置在所述背侧表面之上并且接触所述第二介电层的侧壁的上部部分，其中，所述隔离结构包括不同于所述第二介电层的第二材料的第一材料。

技术总结
本发明的各个实施例针对具有设置在半导体衬底内的光电探测器的图像传感器。介电结构设置在半导体衬底的第一侧上。隔离结构从介电结构延伸到半导体衬底的第一侧中。隔离结构横向地环绕光电探测器并且包括设置在半导体衬底的第一侧之上并且直接接触介电结构的侧壁的上部部分。隔离结构包括不同于介电结构的第二材料的第一材料。本发明的实施例还提供了形成图像传感器的方法。成图像传感器的方法。成图像传感器的方法。


技术研发人员：何承颖 王文德 周耕宇 许凯钧 许慈轩 刘人诚
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2023.03.10
技术公布日：2023/8/8