制造半导体装置的方法与流程

技术特征：
1.一种制造具备半导体芯片的半导体装置的方法，其中，所述方法包括：形成临时固定层叠体的工序，所述临时固定层叠体具备载体及密封结构体，所述密封结构体设置于所述载体的主面上且包含多个半导体芯片和密封所述多个半导体芯片的密封部；及从所述临时固定层叠体去除所述载体的工序，所述半导体芯片具有：具有第1面及其相反侧的第2面的芯片主体部；及设置于所述第1面上的连接端子，所述密封部具有：覆盖所述多个半导体芯片的所述第2面且在所述临时固定层叠体中与所述载体相邻的一体型的保护层；及与所述保护层一起密封所述多个半导体芯片的密封材料层，所述保护层为固化的固化性树脂膜，通过对所述临时固定层叠体照射非相干光使所述保护层与所述载体分离，由此从所述临时固定层叠体去除所述载体。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非相干光的光源为氙灯。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述保护层为设置于所述半导体装置的永久膜。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括通过激光的照射在所述保护层的表面进行刻印的工序。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述载体具有：透射所述非相干光的支撑基板；及设置于该支撑基板上且包含吸收所述非相干光而产生热的导电体的光吸收层，在所述临时固定层叠体中所述光吸收层与所述保护层相邻。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述临时固定层叠体通过还依次包括如下工序的方法形成：将所述载体与所述固化性树脂膜贴合的工序；在所述固化性树脂膜的与所述载体相反侧的面上，将所述多个半导体芯片以所述第2面与所述固化性树脂膜接触的朝向配置的工序；通过固化所述固化性树脂膜，将所述多个半导体芯片固定于固化的所述固化性树脂膜即所述保护层上的工序；及将所述密封材料层形成于所述保护层上，由此形成具有所述保护层及所述密封材料层的所述密封部的工序。7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述临时固定层叠体通过还依次包括如下工序的方法形成：形成临时固定层叠体的工序，所述临时固定层叠体具有临时固定材料、以所述第1面朝向所述临时固定材料侧的朝向临时固定于所述临时固定材料上的所述多个半导体芯片、及将所述多个半导体芯片密封在所述临时固定材料上的所述密封材料层，且所述多个半导体芯片的所述第2面从所述密封材料层露出；
设置覆盖所述第2面和所述密封材料层的所述固化性树脂膜的工序；将所述固化性树脂膜与所述载体贴合的工序；固化所述固化性树脂膜以形成所述保护层的工序；及从所述临时固定层叠体去除所述临时固定材料的工序。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述固化性树脂膜具有粘性。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述固化性树脂膜在25℃温度条件下贴合于玻璃基板时，所述固化性树脂膜与所述玻璃基板之间的90度剥离强度在25℃下为10n/m以上。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，所述固化性树脂膜对波长355nm的光显示50％以下的透射率。11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，所述固化性树脂膜包含热塑性树脂，所述热塑性树脂的玻璃化转变温度为-40℃以上且40℃以下。12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，所述固化性树脂膜包含二氧化硅填料。13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中，所述固化性树脂膜实质上不包含具有聚硅氧烷链的硅酮化合物。14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，所述固化性树脂膜的剪切粘度在100℃下为5000～100000pa
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s。15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中，所述固化性树脂膜的固化后的储能模量在25℃下为300～6000mpa，在250℃下为0.1～200mpa。16.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括如下工序：从所述临时固定层叠体去除所述载体之后，分割所述密封结构体，由此形成单片化的半导体装置。17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述方法通过将具备所述多个半导体芯片及包含所述保护层的密封部的所述密封结构体进行分割，形成单片化的所述半导体装置。

技术总结
本发明公开一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：形成临时固定层叠体的工序，所述临时固定层叠体具备载体及密封结构体，所述密封结构体设置于该载体的主面上且包含多个半导体芯片和密封多个半导体芯片的密封部；及从临时固定层叠体去除所述载体的工序。半导体芯片具有：具有第1面及第2面的芯片主体部；及设置于第1面上的连接端子。密封部具有覆盖第2面且在临时固定层叠体中与载体相邻的一体型的保护层。保护层为固化的固化性树脂膜。通过对临时固定层叠体照射非相干光使保护层与载体分离，由此从临时固定层叠体去除载体。由此从临时固定层叠体去除载体。由此从临时固定层叠体去除载体。


技术研发人员：祖父江省吾 小川纱瑛子 池田大助 大河原奎佑
受保护的技术使用者：株式会社力森诺科
技术研发日：2021.12.03
技术公布日：2023/8/6