一种电流和增益可调的低噪声放大器的制作方法

技术特征：
1.一种电流和增益可调的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器包括：偏置调节模块，用于调节所述低噪声放大器的工作电流以及增益；输入模块，包括输入晶体管，用于放大射频输入信号；输出模块，包括输出晶体管，用于输出射频信号；输入匹配调节模块，与所述输入晶体管的基极与发射极连接，用于调节所述低噪声放大器的输入匹配阻抗和增益；输出匹配调节模块，与所述输出晶体管的集电极连接，用于调节所述低噪声放大器的输出匹配阻抗和增益；主反馈调节模块，连接于所述输入模块与所述偏置调节模块之间，包括反馈开关以及第一反馈电阻调节电路，所述反馈开关与所述第一反馈电阻调节电路串联连接；次反馈调节模块，同时与所述主反馈模块以及所述输出模块连接，包括反馈电容以及所述第二反馈电阻调节电路，所述反馈电容与所述第二反馈电阻调节电路串联连接。2.根据权利要求1所述的一种电流和增益可调的低噪声放大器，其特征在于：所述偏置调节模块包括电流调节电路以及偏置单元，所述电流调节电路与所述偏置单元连接，所述电流调节电路包括至少一条电流支路，所述电流支路包括至少一个开关s11以及至少一个晶体管m11，在同一所述电流支路中的所述开关s11与所述晶体管m11串联连接。3.根据权利要求1所述的一种电流和增益可调的低噪声放大器，其特征在于，所述输入匹配调节模块以及所述输出匹配调节模块均包括电阻调节电路、电感调节电路以及电容调节电路中的一种或多种的组合。4.根据权利要求3所述的一种电流和增益可调的低噪声放大器，其特征在于，所述电阻调节电路包括：电阻调节支路，所述电阻调节支路包括电阻调节开关以及调节电阻，所述电阻调节开关与所述调节电阻串联连接，不同的所述电阻调节支路之间为并联连接，或所述电阻调节开关与所述调节电阻并联连接，不同的所述电阻调节支路之间串联连接，同一所述电阻调节支路中的电阻调节开关控制所述电阻调节支路的通断。5.根据权利要求3所述的一种电流和增益可调的低噪声放大器，其特征在于，所述电容调节电路包括：电容调节支路，所述电容调节支路包括电容调节开关以及调节电容，所述电容调节开关与所述调节电容串联连接，不同的所述电容调节支路之间为并联连接，或所述电容调节开关与所述调节电容并联连接，不同的所述电容调节支路之间串联连接，同一所述电容调节支路中的电容调节开关控制所述电容调节支路的通断。6.根据权利要求3所述的一种电流和增益可调的低噪声放大器，其特征在于，所述电感调节电路包括：电感调节支路，所述电感调节支路包括电感调节开关以及调节电感，所述电感调节开关与所述调节电感串联连接，不同的所述电感调节支路之间为并联连接，或所述电感调节开关与所述调节电感并联连接，不同的所述电感调节支路之间串联连接，同一所述电感调节支路中的电感调节开关控制所述电感调节支路的通断。7.根据权利要求1所述的一种电流和增益可调的低噪声放大器，其特征在于，所述输入晶体管的集电极与所述输出晶体管的发射极相连。
8.根据权利要求1所述的一种电流和增益可调的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器应用于ic、rfic、数模混合ic以及asic中的一种或多种。9.根据权利要求1所述的一种电流和增益可调的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器包括基于sige hbt、cmos、soi、gaas-phemt、gaas-hbt、gan以及bjt中的一种或多种实现的放大器。10.一种射频接收设备，其特征在于，所述射频接收设备装配有低噪声放大器，所述低噪声放大器为权利要求1至9中任意一项所述的一种电流和增益可调的低噪声放大器。

技术总结
本申请涉及射频前端技术领域，特别是涉及一种电流和增益可调的低噪声放大器。所述低噪声放大器包括：偏置调节模块，输入匹配调节模块，输出匹配调节模块，用于对所述低噪声放大器的增益、输出匹配阻抗以及增益相位进行调节；主反馈调节模块，包括反馈开关以及反馈电阻调节电路；次反馈调节模块，包括反馈电容以及所述反馈电阻调节电路；输入晶体管，用于放大射频输入信号；输出晶体管，用于输出射频信号，并提高所述射频输入信号与所述射频输出信号的隔离。采用本方法能够实现灵活的增益调节和电流调节，满足不同增益下的匹配和噪声要求，从而使得接收机系统具有较大的动态输入范围，以及在不同增益莫斯下较好的电流利用率和线性度。线性度。线性度。


技术研发人员：魏越 何杨 唐壮 张俊波 黄成熊 罗显云 余超
受保护的技术使用者：江苏卓胜微电子股份有限公司
技术研发日：2023.03.24
技术公布日：2023/7/31