固态成像装置、电子设备和固态成像装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种固态成像装置，包括：形成有多个光电转换部的基板；和形成在所述基板的光入射面上的光入射面层，其中，所述基板和所述光入射面层包含含有锗的化合物半导体，和在所述光入射面层内的锗的浓度朝向远离所述基板的表面增加。2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，所述光入射面层在光入射面侧具有凹凸结构，和在垂直于所述基板的光入射面的截面中，所述凹凸结构的凸部的截面形状具有倾斜成使所述凸部的宽度从所述凸部的顶侧朝向所述基板更宽的锥形形状。3.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，所述凹凸结构的所述凸部周期性地布置。4.根据权利要求1所述的固态成像装置，包括：cmos图像传感器，其中在所述光入射面层的光入射面侧顺次层叠具有多个滤色器的滤色器层和具有多个片上透镜的片上透镜层。5.根据权利要求1所述的固态成像装置，包括：spad传感器，其中在所述光入射面层的光入射面侧层叠具有多个片上透镜的片上透镜层。6.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括：形成在彼此相邻的所述光电转换部之间的元件隔离部，其中，所述元件隔离部的折射率低于所述基板的折射率。7.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括：形成在所述光入射面层的光入射面上的防反射膜。8.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，所述化合物半导体包括硅锗、硅锗锡或锗锡。9.一种电子设备，包括：固态成像装置，所述固态成像装置包括：形成有多个光电转换部的基板；和形成在所述基板的光入射面上的光入射面层，其中，所述基板和所述光入射面层包含含有锗的化合物半导体，和在所述光入射面层内的锗的浓度朝向远离所述基板的表面增加。10.一种固态成像装置的制造方法，包括：在基板的光入射面上形成光入射面层，所述基板包含含有锗的化合物半导体并且形成有多个光电转换部，所述光入射面层包含所述的化合物半导体并且具有朝向远离所述基板的特定面侧增加的锗的浓度；通过从所述特定面侧对所述光入射面层执行结晶性各向异性蚀刻，在所述光入射面层中形成具有格子状的凹槽，从而形成凹凸结构；和从所述特定面侧对所述光入射面层执行各向同性蚀刻，以使所述凹槽的宽度朝向所述凹槽的开口部侧更宽，从而使得在垂直于所述基板的光入射面的截面中，所述凹凸结构的凸部的截面形状具有倾斜成使所述凸部的宽度从所述凸部的顶侧朝向所述基板更宽的锥
形形状。11.根据权利要求10所述的固态成像装置的制造方法，其中，所述各向同性蚀刻包括各向同性湿法蚀刻。

技术总结
本发明提供一种固态成像装置，其允许在包含含有锗的化合物半导体的基板的光入射面上相对容易地形成具有锥形凸部的凹凸结构。其构成包括形成有多个光电转换部的基板和形成在所述基板的光入射面上的光入射面层。然后，所述基板和所述光入射面层包含含有锗的化合物半导体，和在所述光入射面层内的锗的浓度朝向远离所述基板的表面增加。因此，在固态成像装置的制造时，在光入射面层中形成格子状凹槽之后，执行各向同性蚀刻，使得由于起因于锗浓度导致的蚀刻速率的差异，格子状凹槽的沟槽宽度可以朝向光入射面层的光入射面侧增大，并且可以相对容易地形成具有锥形凸部的凹凸结构。以相对容易地形成具有锥形凸部的凹凸结构。以相对容易地形成具有锥形凸部的凹凸结构。


技术研发人员：服部浩之
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2021.11.01
技术公布日：2023/7/7