基板处理装置、等离子体发光装置、半导体装置的制造方法以及程序与流程

技术特征：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理室，其对基板进行处理；以及等离子体生成部，其具备供给第一气体的第一气体供给管、被施加高频电力的施加电极、通过接地而被赋予基准电位的基准电极以及使所述第一气体光激发的发光管。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置具有基板保持部，该基板保持部在垂直方向上多层地保持多个所述基板，在所述垂直方向上分别保持所述施加电极、所述基准电极以及所述发光管。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述发光管包含氧化硅、氟化镁、氟化钙中的至少一个材料。4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一气体是被所述发光管光激发而成为活性种的气体。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一气体包含具有氧、氮、碳、氢和稀有气体中的至少一种元素的气体。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，对所述发光管连接了供给第二气体的第二气体供给管。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，对所述发光管连接了将所述第二气体封入所述发光管内的开闭阀。8.根据权利要求6或7所述的基板处理装置，其特征在于，对所述发光管连接了对所述第二气体进行排气的排气管。9.根据权利要求7或8所述的基板处理装置，其特征在于，所述发光管通过所述施加电极与所述基准电极的电的作用，利用被封入所述发光管的内部的所述第二气体的等离子体化而发光。10.根据权利要求7～9中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二气体在被封入所述发光管的内部的状态下，通过所述施加电极与所述基准电极的电的作用而等离子体化。11.根据权利要求6～10中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二气体包含氮气、氕气、氘气和稀有气体中的至少一种气体。12.根据权利要求1～11中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，利用所述发光管的发光，通过光激发使所述处理室内的气体活化来对所述基板进行处理。13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述发光管的发光包含110nm～5μm的波长。14.根据权利要求1～13中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述高频电力是高频或脉冲波。15.一种等离子体发光装置，其特征在于，具备：第一气体供给管，其供给第一气体；施加电极，其被施加高频电力；基准电极，其通过接地而被赋予基准电位；以及
发光管，其使所述第一气体光激发。16.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：向基板处理装置的处理室搬入基板的工序，其中，所述基板处理装置具有：所述处理室，其对所述基板进行处理；以及等离子体生成部，其具备供给第一气体的第一气体供给管、被施加高频电力的施加电极、通过接地而被赋予基准电位的基准电极以及使所述第一气体光激发的发光管；向所述处理室内供给所述第一气体的工序；以及使所述第一气体光激发而活化的工序。17.一种程序，其特征在于，通过计算机使基板处理装置执行如下步骤：向所述基板处理装置的处理室搬入基板的步骤，其中，所述基板处理装置具有：所述处理室，其对基板进行处理；以及等离子体生成部，其具备向所述处理室供给第一气体的第一气体供给管、被施加高频电力的施加电极、通过接地而被赋予基准电位的基准电极以及使所述第一气体光激发的发光管；向所述处理室内供给所述第一气体的步骤；以及使所述第一气体光激发而活化的步骤。

技术总结
提供一种技术，该技术具有：处理室，其对基板进行处理；以及等离子体生成部，其具有供给第一气体的第一气体供给管、被施加高频电力的施加电极、通过接地而被赋予基准电位的基准电极以及使所述第一气体光激发的发光管。极以及使所述第一气体光激发的发光管。极以及使所述第一气体光激发的发光管。


技术研发人员：竹田刚 原大介
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：2020.09.18
技术公布日：2023/5/14