半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体层，其具有主面；开关元件，其形成于上述半导体层；第一电极，其配置在上述主面之上，且与上述开关元件电连接；第二电极，其从上述第一电极空出间隔地配置在上述主面之上，且与上述开关元件电连接；第一端子电极，其具有在俯视时与上述第一电极重叠的部分、以及与上述第二电极重叠的部分，且与上述第一电极电连接；以及第二端子电极，其具有在俯视时与上述第二电极重叠的部分，且与上述第二电极电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述半导体层包含sic。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，上述第一端子电极以第一面积与上述第一电极连接，且具有超过上述第一面积的电极面。4.根据权利要求1～3任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述第二端子电极在俯视时具有上述第一端子电极以上的面积。5.根据权利要求1～4任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述第一端子电极在俯视时与上述第一电极的至少一部分交叉。6.根据权利要求1～5任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述第二端子电极具有在俯视时与上述第一电极重叠的部分。7.根据权利要求1～6任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述第一电极是传递上述开关元件的控制信号的控制电极，上述第二电极是非控制电极。8.根据权利要求1～7任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述开关元件包含栅极以及源极，上述第一电极与上述栅极电连接，上述第二电极与上述源极电连接。9.根据权利要求1～8任一项中所述的半导体装置，其特征在于，还包含包覆上述第二电极的第一绝缘体，上述第一端子电极具有隔着上述第一绝缘体而与上述第二电极对置的部分，上述第二端子电极具有隔着上述第一绝缘体而与上述第二电极对置的部分。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，上述第一端子电极具有以隔着上述第一绝缘体而与上述第二电极对置的方式配置在上述第二电极的上方的侧面，上述第二端子电极具有以隔着上述第一绝缘体而与上述第二电极对置的方式配置在上述第二电极的上方、而且在与上述第一端子电极的侧面之间形成使上述第一绝缘体露出的间隙的侧面。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
还包含第二绝缘体，该第二绝缘体在上述间隙内包覆上述第一绝缘体，且隔着上述第一绝缘体而与上述第二电极对置。12.根据权利要求9～11任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述第一绝缘体包覆上述第一电极，上述第一端子电极具有隔着上述第一绝缘体而与上述第一电极对置的部分，上述第二端子电极具有隔着上述第一绝缘体而与上述第一电极对置的部分。13.根据权利要求1～12任一项中所述的半导体装置，其特征在于，还包括：有源区域，其设于上述半导体层；以及非有源区域，其在上述半导体层中设于上述有源区域外的区域，上述开关元件形成于上述有源区域，上述第一电极配置于在俯视时与上述非有源区域重叠的区域，上述第二电极配置于在俯视时与上述有源区域重叠的区域，上述第一端子电极配置于在俯视时与上述有源区域以及上述非有源区域重叠的区域，上述第二端子电极配置于在俯视时与上述有源区域重叠的区域。14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，上述有源区域包含设于上述半导体层的主单元区域，上述非有源区域包含感测单元区域，该感测单元区域在上述半导体层中设置在与上述主单元区域不同的区域，上述开关元件包括：以生成主电流的方式形成于上述主单元区域的主开关元件；以及以生成检测上述主电流的监视电流的方式形成于上述感测单元区域的感测开关元件。15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，上述第一电极与上述主开关元件电连接，上述第二电极配置于在俯视时与上述主单元区域重叠的区域，且与上述主开关元件电连接，上述第一端子电极配置于在俯视时与上述主单元区域以及上述非有源区域重叠的区域，上述第二端子电极配置于在俯视时与上述主单元区域重叠的区域。16.根据权利要求14或15所述的半导体装置，其特征在于，上述第一电极与上述感测开关元件电连接。17.根据权利要求14～16任一项中所述的半导体装置，其特征在于，还包括：第三电极，其在俯视时从上述第一电极以及上述第二电极空出间隔地配置在与上述感测单元区域重叠的区域，且与上述感测开关元件电连接；以及第三端子电极，其具有在俯视时与上述第三电极重叠的部分，且与上述第三电极电连接。18.根据权利要求13～17任一项中所述的半导体装置，其特征在于，还包括：二极管，其形成于上述非有源区域；以及
极性端子电极，其具有在俯视时与上述二极管重叠的部分，且与上述二极管电连接。19.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体层，其具有主面；主元件，其形成于上述半导体层，生成主电流；感测元件，其在上述半导体层中形成于与上述主元件不同的区域，生成监视上述主电流的监视电流；第一电极，其配置在上述主面之上，且与上述主元件电连接；第二电极，其从上述第一电极空出间隔地配置在上述主面之上，且与上述主元件电连接；第三电极，其从上述第一电极以及上述第二电极空出间隔地配置在上述主面之上，且与上述感测元件电连接；第一端子电极，其在上述第一电极之上与上述第一电极电连接；第二端子电极，其在上述第二电极之上与上述第二电极电连接；以及第三端子电极，其具有在俯视时与上述第三电极重叠的部分、以及与上述第二电极重叠的部分，且与上述第三电极电连接。20.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体层，其具有主面；开关元件，其形成于上述半导体层；二极管，其在上述半导体层中形成于与上述开关元件不同的区域；第一电极，其配置在上述主面之上，且与上述开关元件电连接；第二电极，其从上述第一电极空出间隔地配置在上述主面之上，且与上述开关元件电连接；第一端子电极，其在上述第一电极之上与上述第一电极电连接；第二端子电极，其在上述第二电极之上与上述第二电极电连接；以及极性端子电极，其具有在俯视时与上述二极管重叠的部分、以及与上述第二电极重叠的部分，且与上述二极管电连接。

技术总结
半导体装置(1)包括：半导体层(10)，其具有主面(11)；开关元件(2)，其形成于上述半导体层；第一电极(50)，其配置在上述主面之上，且与上述开关元件电连接；第二电极(55)，其从上述第一电极空出间隔地配置在上述主面之上，且与上述开关元件电连接；第一端子电极(70)，其具有在俯视时与上述第一电极重叠的部分、以及与上述第二电极重叠的部分，且与上述第一电极电连接；以及第二端子电极(75)，其具有在俯视时与上述第二电极重叠的部分，且与上述第二电极电连接。电连接。电连接。


技术研发人员：日笠旭纮
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：2021.09.09
技术公布日：2023/4/25