一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺的制作方法

技术特征：
1.一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺，其特征在于，包括以下步骤：s1、在碳化硅晶圆的背面键合玻璃载板，再在碳化硅晶圆的正面制作晶体管和ild层，然后在碳化硅晶圆的正面键合玻璃载板，再翻转晶圆和玻璃载板，再对碳化硅晶圆背面的玻璃载板进行解键合，并去除粘着剂；s2、对于步骤s1中得到的碳化硅晶圆，首先在碳化硅晶圆的背面沉积一层钛金属层，再在钛金属层表面沉积一层镍金属层，然后取一个底部开设有小孔的玻璃载盘，翻转碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆背面贴合在底部带有小孔的玻璃载盘上，最后对碳化硅晶圆正面的玻璃载板进行解键合；s3、对于步骤s2中得到的碳化硅晶圆，翻转碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆的正面贴合到玻璃载盘上，移除背面的玻璃载盘，再对碳化硅晶圆背面的金属层进行rta快速合金工艺，使碳化硅晶圆的背面形成欧姆接触，最后在碳化硅晶圆背面沉积一层银金属层；s4、对于步骤s3中得到的碳化硅晶圆，翻转晶圆，将碳化硅晶圆的背面贴合在玻璃载盘上，移除碳化硅晶圆正面的玻璃载盘，最后再在碳化硅晶圆正面沉积铝金属层；s5、对于步骤s4中得到的碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆正面所沉积的铝金属层制作成铝接触点，然后在碳化硅晶圆正面涂布聚酰亚胺，最后进行化镀工艺，在碳化硅晶圆正面的铝接触点表面制作金属连接点。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺，其特征在于，在所述步骤s1中，完成对碳化硅晶圆背面玻璃载板的解键合和去除黏着剂后，对碳化硅晶圆的背面进行研磨抛光。3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺，其特征在于，在所述步骤s2和s3中，对钛金属层的沉积、镍金属层和银金属层的沉积均采用溅镀工艺进行沉积。4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺，其特征在于，在所述步骤s2中，通过抽气设备从带有气孔的玻璃载盘下方进行抽气，对碳化硅晶圆进行真空吸附，在所述步骤s3中，移除背面的玻璃载板时，先停止抽气设备的抽气，此时即可移除玻璃载板。5.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺，其特征在于，在所述步骤s3中，在对碳化硅晶圆进行rta快速合金工艺时，对碳化硅晶圆进行恒温加热，加热温度的范围控制在600℃-800℃，恒温加热时间范围控制在10s-30s，加热后进行快速自动冷却。6.根据权利要求5所述的一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺，其特征在于，在所述步骤s4中，进行金属铝沉积时，采用溅镀工艺进行沉积，沉积金属铝时的温度需要大于400℃。7.根据权利要求6所述的一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺，其特征在于，在所述步骤s5中，在进行铝接触点制作时，其工艺步骤依次为在铝金属层表面涂布光阻、曝光显影、蚀刻，最后再去除光阻，得到铝接触点。8.根据权利要求7所述的一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺，其特征在于，在所述步骤s5中，金属连接点的自下至上依次为镍层、钯层和金层，镍层位于铝接触点表面。9.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺，其特征在于，在所述步骤s1-s5中，在键合玻璃载板或玻璃载盘时均采用粘着剂对玻璃载板或玻璃载盘进行键合，每次对玻璃载板或玻璃载盘进行解键合后，均采用溶剂去除粘着剂。

技术总结
本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺，本发明包括以下步骤：S1、在碳化硅晶圆的背面键合玻璃载板，再在碳化硅晶圆的正面制作晶体管和ILD层，然后在碳化硅晶圆的正面键合玻璃载板，再翻转晶圆和玻璃载板，再对碳化硅晶圆背面的玻璃载板进行解键合，并去除粘着剂；通过本发明的工艺可以在碳化硅晶圆上先制作钛金属层和镍金属层，由玻璃载盘进行承载，能够辅助碳化硅晶圆的加工和转移，使得进行RTA工艺时，能够对晶圆整体置于高温环境下整体进行加热，使得RTA合金工艺效果更好，欧姆接触效果更佳，最后再沉积铝金属层，完成碳化硅晶圆的RTA快速合金，避免因为RTA工艺的高温造成造成铝金属层融化。层融化。层融化。


技术研发人员：严立巍 文锺 刘文杰 林春慧
受保护的技术使用者：浙江同芯祺科技有限公司
技术研发日：2022.07.29
技术公布日：2022/11/25