显示设备的制作方法

显示设备
1.本技术要求于2021年8月2日在韩国知识产权局(kipo)提交的第10-2021-0101529号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
2.一个或更多个实施例涉及显示设备、包括该显示设备的电子装置以及制造该显示设备的方法。


背景技术：

3.显示设备可视地显示数据。近来，显示设备已经被用于各种目的。随着显示设备的厚度和重量已经减小，显示设备的应用范围已经增大。
4.为了增大被显示区域占据的面积且将各种功能添加到显示区域，已经对具有用于在显示区域内部添加除了图像显示之外的各种功能的区域的显示设备进行了研究。
5.在各种显示设备之中的有机发光显示设备具有宽视角、优异的对比度和快速响应的优点，因此有机发光设备的应用范围已经增大。


技术实现要素：

6.在现有技术中，在制造显示设备的工艺期间，诸如在显示设备中包括的有机层中产生的气体的杂质会渗透到发光器件(例如，有机发光二极管)中，从而使发光器件劣化。
7.本实用新型的一个目的是为了提供一种显示设备、包括该显示设备的电子装置以及制造该显示设备的方法，显示设备可以通过使发光器件的劣化最小化或减少发光器件的劣化来使显示质量劣化最小化或减少显示质量劣化。然而，实施例是示例，并且不限制公开的范围。
8.附加的方面将在下面的描述中部分地阐明，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过给出的实施例的实践来获知。
9.根据一个或更多个实施例，显示设备包括第一显示区域和包含透射区域的第二显示区域，其中，显示设备包括：第一像素电路，位于第一显示区域中；以及有机绝缘层，位于第一像素电路上且覆盖第一显示区域和第二显示区域，其中，第二显示区域中的有机绝缘层的厚度小于第一显示区域中的有机绝缘层的厚度。
10.根据一些实施例，有机绝缘层包括第一有机层和位于第一有机层上的第二有机层，并且其中，第二显示区域中的第二有机层的厚度小于第一显示区域中的第二有机层的厚度。
11.根据一些实施例，有机绝缘层还包括位于第二有机层上的第三有机层，并且其中，第二显示区域中的第三有机层的厚度小于第一显示区域中的第三有机层的厚度。
12.根据一些实施例，显示设备还包括：第一像素电极，位于第一显示区域中且位于有机绝缘层上；以及第二像素电极，位于第二显示区域中且位于有机绝缘层上，其中，第一显示区域中的第一有机层上的接触金属与第一像素电极之间的距离大于第二显示区域中的
第一有机层上的连接布线与第二像素电极之间的距离。
13.根据一些实施例，显示设备还包括：第一像素电极，位于第一显示区域中且位于有机绝缘层上；以及第二像素电极，位于第二显示区域中且位于有机绝缘层上，其中，在平面中，第二像素电极的面积大于第一像素电极的面积。
14.根据一些实施例，显示设备还包括像素限定膜，像素限定膜包括第一开口和第二开口，第一像素电极的一部分通过第一开口被暴露，第二像素电极的一部分通过第二开口被暴露，其中，在平面中，第二开口的面积大于第一开口的面积。
15.根据一些实施例，第二像素电极的水平低于第一像素电极的水平。
16.根据一些实施例，显示设备还包括与第二显示区域相邻的中间区域，显示设备还包括位于中间区域中且电连接到第二像素电极的第二像素电路。
17.根据一些实施例，显示设备还包括位于外围区域中且电连接到第二像素电极的第二像素电路。
18.根据一些实施例，中间区域中的每单位面积的第二像素电路的数量等于或小于第一显示区域中的单位面积的第一像素电路的数量。
19.根据一个或更多个实施例，包括第一显示区域、包含透射区域的第二显示区域以及在第一显示区域和第二显示区域外部的外围区域的显示设备包括：基底；第一像素电路，在基底上且在第一显示区域中；以及有机绝缘层，在第一像素电路上且覆盖第一显示区域和第二显示区域。第二显示区域中的有机绝缘层的厚度小于第一显示区域中的有机绝缘层的厚度。
20.有机绝缘层可以包括第一有机层和在第一有机层上的第二有机层。第二显示区域中的第二有机层的厚度小于第一显示区域中的第二有机层的厚度。
21.有机绝缘层还可以包括在第二有机层上的第三有机层。第二显示区域中的第三有机层的厚度小于第一显示区域中的第三有机层的厚度。
22.显示设备还可以包括：第一像素电极，在第一显示区域中、在有机绝缘层上且电连接到第一像素电路；以及第二像素电极，在第二显示区域中且在有机绝缘层上。第一显示区域中的第一有机层上的接触金属与第一像素电极之间的距离大于第二显示区域中的第一有机层上的连接布线与第二像素电极之间的距离。
23.显示设备还可以包括：第一像素电极，在第一显示区域中、在有机绝缘层上且电连接到第一像素电路；以及第二像素电极，在第二显示区域中且在有机绝缘层上。在平面中，第二像素电极的面积大于第一像素电极的面积。
24.显示设备还可以包括在第一像素电极和第二像素电极上的像素限定膜，像素限定膜包括第一开口和第二开口，第一像素电极的一部分和第二像素电极的一部分分别通过第一开口和第二开口被暴露。在平面中，第二开口的面积大于第一开口的面积。
25.像素限定膜可以包括阻光材料。
26.基底与第二像素电极之间的距离可以小于基底与第一像素电极之间的距离。
27.显示设备还可以包括在基底上、在外围区域中且电连接到第二像素电极的第二像素电路。
28.显示设备还可以包括在第一显示区域与第二显示区域之间的中间区域，并且还可以包括在基底上、在中间区域中且电连接到第二像素电极的第二像素电路。
29.第一像素电路可以包括：第一薄膜晶体管，包括第一半导体层和与第一半导体层至少部分地叠置的第一栅电极；以及第二薄膜晶体管，包括包含与第一半导体层的材料不同的材料的第二半导体层和与第二半导体层至少部分地叠置的第二栅电极。
30.第一薄膜晶体管的第一半导体层可以包括硅半导体材料。第二薄膜晶体管的第二半导体层可以包括氧化物半导体材料。
31.根据一个或更多个实施例，电子装置包括：显示设备，包括第一显示区域、包含透射区域的第二显示区域以及在第一显示区域和第二显示区域外部的外围区域；以及电子组件，与第二显示区域对应。显示设备包括：基底；第一像素电路，在基底上且在第一显示区域中；以及有机绝缘层，在第一像素电路上且覆盖第一显示区域和第二显示区域。第二显示区域中的有机绝缘层的厚度小于第一显示区域中的有机绝缘层的厚度。
32.显示设备的有机绝缘层可以包括第一有机层和在第一有机层上的第二有机层。第二显示区域中的第二有机层的厚度小于第一显示区域中的第二有机层的厚度。
33.显示设备的有机绝缘层还可以包括在第二有机层上的第三有机层。第二显示区域中的第三有机层的厚度小于第一显示区域中的第三有机层的厚度。
34.显示设备还可以包括：第一像素电极，在第一显示区域中、在有机绝缘层上且电连接到第一像素电路；以及第二像素电极，在第二显示区域中且在有机绝缘层上。在平面中，第二像素电极的面积大于第一像素电极的面积。
35.显示设备还可以包括在第一像素电极和第二像素电极上的像素限定膜，像素限定膜包括第一开口和第二开口，第一像素电极的一部分和第二像素电极的一部分分别通过第一开口和第二开口被暴露。在平面中，第二开口的面积大于第一开口的面积。
36.基底与第二像素电极之间的距离可以小于基底与第一像素电极之间的距离。
37.根据一个或更多个实施例，制造显示设备的方法包括以下步骤：准备包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域的基底；在基底的第一区域中形成第一像素电路；在第一像素电路上形成覆盖基底的第一区域和第二区域的有机绝缘层；以及在有机绝缘层上且在第一区域中形成第一像素电极，并且在有机绝缘层上且在第二区域中形成第二像素电极。形成有机绝缘层的步骤包括使用半色调掩模形成有机绝缘层，使得第二区域中的有机绝缘层的厚度小于第一区域中的有机绝缘层的厚度。
38.形成有机绝缘层的步骤可以包括：形成第一有机层；以及使用半色调掩模在第一有机层上形成第二有机层，使得第二区域中的第二有机层的厚度小于第一区域中的第二有机层的厚度。
39.形成有机绝缘层的步骤还可以包括使用半色调掩模在第二有机层上形成第三有机层，使得第二区域中的第三有机层的厚度小于第一区域中的第三有机层的厚度。
40.在平面中，第二像素电极的面积可以大于第一像素电极的面积。
41.该方法还可以包括在第一像素电极和第二像素电极上形成像素限定膜，像素限定膜包括第一开口和第二开口，第一像素电极的一部分和第二像素电极的一部分分别通过第一开口和第二开口被暴露。在平面中，第二开口的面积大于第一开口的面积。
42.根据本实用新型的显示设备，可以通过在制造工艺期间使发光器件的劣化的风险最小化或降低发光器件的劣化的风险来使显示质量劣化最小化或降低显示质量劣化。
43.通过详细描述、权利要求和附图，公开的其它方面、特征和优点将变得更加明显。
44.这些一般和具体实施例可以通过使用系统、方法、计算机程序或它们的组合来实现。
附图说明
45.通过以下结合附图的描述，某些实施例的以上和其它方面、特征及优点将更加明显，在附图中：
46.图1是示出了根据实施例的电子装置的透视图；
47.图2是示出了根据另一实施例的电子装置的透视图；
48.图3是示出了根据实施例的电子装置的一部分的剖视图；
49.图4是根据实施例的包括在电子装置中的像素电路的等效电路图；
50.图5a至图5g是示出了根据实施例的设置在电子装置中的显示设备的一部分的平面图；
51.图6a和图6b是示出了根据实施例的设置在电子装置中的显示设备的一些元件的平面图；
52.图7是示出了根据实施例的设置在电子装置中的显示设备的一部分的剖视图；
53.图8是示出了根据另一实施例的设置在电子装置中的显示设备的一部分的剖视图；以及
54.图9a至图9h是示出了根据实施例的制造设置在电子装置中的显示设备的方法的剖视图。
具体实施方式
55.现在将更详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例。同样的附图标记始终指同样的元件，并且可以不提供其重复的描述。在这方面，提出的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在此所阐述的描述。因此，下面仅通过参照图来描述实施例，以解释本公开的方面。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者它们的变型。
56.由于公开允许不同地改变和许多实施例，因此将在附图中示出且在详细描述中描述某些实施例。将参照以下参照附图更详细地描述的实施例来阐明公开的效果和特征以及实现它们的方法。然而，公开不限于以下实施例，并且可以以各种形式实现。
57.在下文中，将参照附图更详细地描述实施例，其中，同样或对应的元件始终由同样的附图标记表示，并且省略了其重复描述。
58.虽然可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
59.除非上下文另有明确说明，否则如在此所使用的，单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
60.将理解的是，术语“包括”、“具有”和“包含”旨在说明存在说明书中所描述的特征或元件，并且不旨在排除可以存在或可以添加一个或更多个其它特征或元件的可能性。
61.还将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”时，它可以
直接在所述另一层、区域或组件上，或者可以间接在所述另一层、区域或组件上且居间层、区域或组件位于其间。
62.当可以不同地实现某个实施例时，具体工艺顺序可以与所描述的顺序不同。例如，可以基本上同时执行或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
[0063]“a和/或b”在此用于选择仅a、选择仅b或者选择a和b两者。“a和b中的至少一个(种/者)”用于选择仅a、选择仅b或者选择a和b两者。
[0064]
将理解的是，当层、区域或元件被称为“连接”到另一层、区域或元件时，它可以“直接连接”到所述另一层、区域或元件，或者可以“间接连接”到所述另一层、区域或元件且其它层、区域或元件置于其间。例如，当层、区域或元件被称为“电连接”到另一层、区域或元件时，它可以直接电连接到所述另一层、区域或元件，或者可以间接电连接到所述另一层、区域或元件且居间层、区域或元件位于其间。
[0065]
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
[0066]
此外，在描述本公开的实施例时“可以(可)”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。
[0067]
在附图中，为了清楚起见，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。为了易于描述，诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“下”、“在
……
上方”、“上”、“底部”、“顶部”等的空间相对术语在此可以用于描述如附图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语除了涵盖附图中描绘的方位以外还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”所述其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“在
……
下方”可以涵盖上方和下方两个方位。装置可以被另外定向(旋转90度或处于其它方位)，并且应相应地解释在此所使用的空间相对描述语。
[0068]
如在此所使用的，术语“基本上(基本)”、“大约(约)”和类似术语用作近似术语而不是用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。如在此所使用的，“大约(约)”或“近似”包括所陈述的值，并且指：考虑到所讨论的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，在如由本领域普通技术人员所确定的具体值的可接受偏差范围内。
[0069]
除非另外定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景下的含义相一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的含义来进行解释，除非在此明确地这样限定。
[0070]
图1是示出了根据实施例的电子装置的透视图。
[0071]
参照图1，电子装置1可以包括显示区域da和定位在显示区域da外部的外围区域pa。显示区域da可以包括第一显示区域da1和与第一显示区域da1相邻的第二显示区域da2。第一显示区域da1可以在第二显示区域da2的至少一部分周围(例如，围绕第二显示区域da2的至少一部分)。
[0072]
电子装置1可以通过二维地布置(例如，沿着第一方向和与第一方向交叉的第二方向布置)在显示区域da中的像素px的阵列来提供图像。例如，电子装置1可以通过使用从定
位在第一显示区域da1中的多个第一像素px1发射的光来提供第一图像，并且可以通过使用从定位在第二显示区域da2中的多个第二像素px2发射的光来提供第二图像。在一些实施例中，第一图像和第二图像中的每个可以是通过电子装置1的显示区域da提供的一个图像的一部分。可选地，在一些实施例中，第一图像和第二图像可以设置为独立的图像。
[0073]
例如，在图1中，一个第二显示区域da2定位在第一显示区域da1中。在另一实施例中，电子装置1可以包括两个或更多个第二显示区域da2，多个第二显示区域da2的形状和尺寸可以彼此不同。当在平面图中或在与电子装置1的顶表面基本上垂直的方向上观察时，第二显示区域da2可以具有各种合适的形状(诸如多边形形状(例如，四边形形状)、圆形形状、椭圆形形状、星形状或菱形形状)中的任何一种。在实施例中，第二显示区域da2相对于显示区域da的比可以小于第一显示区域da1相对于显示区域da的比。例如，第二显示区域da2在面积上可以小于第一显示区域da1。
[0074]
虽然在图1中当在与电子装置1的顶表面基本上垂直的方向上观察时，第二显示区域da2定位在具有基本上四边形形状的第一显示区域da1的上部(例如，在y方向上)的中心处，但是第二显示区域da2可以定位在具有四边形形状的第一显示区域da1的右上部或左上部处。此外，例如，第二显示区域da2可以如图1中所示地定位在第一显示区域da1内部，并且可以被第一显示区域da1完全地围绕。在另一示例中，第二显示区域da2可以定位在第一显示区域da1的一侧上或处，并且可以被第一显示区域da1部分地围绕。例如，第二显示区域da2可以定位在第一显示区域da1的拐角处，并且可以被第一显示区域da1部分地围绕。
[0075]
电子组件20(例如，见图3)可以定位在第二显示区域da2中。电子组件20可以定位在显示设备10(例如，见图3)下方以与第二显示区域da2对应。在一些实施例中，第二显示区域da2可以包括透射区域ta，从电子组件20输出到外部或从外部朝向电子组件20行进的光和/或声音可以通过透射区域ta透射。
[0076]
光可以通过其透射的透射区域ta可以是未定位像素px的区域。在根据实施例的电子装置1的情况下，当光通过包括透射区域ta的第二显示区域da2透射时，透光率可以等于或大于约10％，更优选地，等于或大于约25％、约40％、约50％、约85％或约90％。
[0077]
因为第二显示区域da2包括透射区域ta，所以布置在第一显示区域da1中的多个第一像素px1的阵列和布置在第二显示区域da2中的多个第二像素px2的阵列可以彼此不同。例如，透射区域ta可以定位在多个第二像素px2之中的相邻的第二像素px2之间。在这种情况下，第二显示区域da2的分辨率可以低于第一显示区域da1的分辨率。即，因为第二显示区域da2包括透射区域ta，所以可以在第二显示区域da2中每单位面积布置的第二像素px2的数量可以小于在第一显示区域da1中每单位面积布置的第一像素px1的数量。例如，第二显示区域da2的分辨率可以是第一显示区域da1的分辨率的约1/2、约3/8、约1/3、约1/4、约2/9、约1/8、约1/9或约1/16。例如，第一显示区域da1的分辨率可以是约400ppi或更大，第二显示区域da2的分辨率可以是约200ppi或约100ppi。
[0078]
未提供图像的外围区域pa可以完全地或部分地围绕显示区域da。例如，外围区域pa可以完全地或部分地围绕第一显示区域da1和/或第二显示区域da2。用于将电信号或电力提供到显示区域da的驱动器等可以定位在外围区域pa中。电子元件或印刷电路板可以连接(例如，电连接)到的垫(pad，或称为“焊盘”)可以定位在外围区域pa中。
[0079]
虽然为了便于解释，电子装置1被描述和描绘为智能电话，但是电子装置1不限于
此。电子装置1可以应用于各种产品(诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告板或物联网(iot)产品以及便携式电子装置(诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、移动通信终端、电子记事簿、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航装置或超移动pc(umpc)))中的任何一种。此外，根据实施例的电子装置1可以应用于诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器或头戴式显示器(hmd)的可穿戴装置。此外，根据实施例的电子装置1可以应用于定位在车辆的仪表面板、中央仪表板或仪表板上的中央信息显示器(cid)、代替车辆的侧视镜的室内镜子显示器或者定位在车辆的前座后部的用于后座的娱乐的显示屏。
[0080]
此外，虽然电子装置1包括有机发光二极管(oled)作为发光器件，但是本公开的电子装置1不限于此。在另一实施例中，电子装置1可以是包括无机发光二极管的发光显示设备，即，无机发光显示设备。在另一实施例中，电子装置1可以是量子点发光显示设备。
[0081]
图2是示出了根据另一实施例的电子装置的透视图。可以不描述与参照图1所描述的元件相同或基本上相同的元件，以下将集中于不同之处。
[0082]
参照图2，电子装置1可以是可折叠装置。例如，电子装置1可以包括铰链部hp，并且可以通过铰链部hp绕着与显示区域da交叉的折叠轴fax折叠。例如，如图2中所示，电子装置1可以被折叠为使得显示区域da的一部分面对显示区域da的另一部分(即，内折叠法)。在另一示例中，电子装置1可以被折叠为使得显示区域da的一部分背离显示区域da的另一部分(即，外折叠法)。换句话说，当根据外折叠法折叠时，显示区域da的一部分和显示区域da的另一部分可以面对彼此相反的方向。
[0083]
虽然折叠轴fax在图2中沿x方向延伸，但是在另一实施例中，折叠轴fax可以在y方向上延伸。在另一实施例中，折叠轴fax可以在xy平面(即，由x方向和y方向限定的平面)中沿与x方向和y方向相交的方向延伸。此外，虽然在图2中示出了一个折叠轴fax，但是在另一实施例中，电子装置1可以绕着与显示区域da交叉的多个折叠轴fax折叠多次。
[0084]
图3是示出了根据实施例的电子装置的一部分的剖视图。
[0085]
参照图3，电子装置1可以包括显示设备10和与显示设备10叠置的电子组件20。保护显示设备10的覆盖窗还可以定位在显示设备10上。
[0086]
显示设备10可以包括提供第一图像的第一显示区域da1以及提供第二图像且与电子组件20叠置的第二显示区域da2。显示设备10可以包括基底100、在基底100之上的显示层disl和触摸屏层tsl以及定位在基底100下面的面板保护构件pb。
[0087]
显示层disl可以包括包含像素电路pc的像素电路层pcl、包含发光器件le的发光器件层以及密封构件encm。例如，密封构件encm可以是薄膜封装层tfel。缓冲层111可以定位在基底100与显示层disl之间，绝缘层il可以定位在显示层disl中。在一些实施例中，绝缘层il可以定位在缓冲层111上。
[0088]
基底100可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料形成。基底100可以是刚性基底或者可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。
[0089]
在显示设备10的第一显示区域da1中，可以定位有多个第一像素电路pc1和分别连接(例如，电连接)到多个第一像素电路pc1的多个第一发光器件le1。第一像素电路pc1可以包括至少一个薄膜晶体管tft，并且可以控制第一发光器件le1的光发射。第一发光器件le1可以通过发射区域发射光，发射区域可以被限定为第一像素px1。即，第一像素px1可以通过第一发光器件le1的光发射来实现。
[0090]
多个第二发光器件le2可以定位在显示设备10的第二显示区域da2中。在一些实施例中，控制第二发光器件le2的光发射的第二像素电路pc2可以不定位在第二显示区域da2中，而是可以定位在外围区域pa中。在另一实施例中，第二像素电路pc2可以定位在第一显示区域da1的一部分中，或者可以定位在第一显示区域da1与第二显示区域da2之间。
[0091]
第二像素电路pc2可以包括至少一个薄膜晶体管tft'，并且可以通过连接布线cwl连接(例如，电连接)到第二发光器件le2。例如，连接布线cwl可以由透明导电材料形成。第二像素电路pc2可以控制第二发光器件le2的光发射。第二发光器件le2可以通过发射区域发射光，发射区域可以被定义为第二像素px2。即，第二像素px2可以通过第二发光器件le2的光发射来实现。
[0092]
此外，在第二显示区域da2中，未定位第二发光器件le2的部分可以包括透射区域ta。透射区域ta可以是从电子组件20(例如，被定位为与第二显示区域da2对应的电子组件20)发射的光和/或信号或者入射在电子组件20上的光和/或信号通过其透射的区域。
[0093]
将第二像素电路pc2连接(例如，电连接)到第二发光器件le2的连接布线cwl可以定位在透射区域ta中。因为连接布线cwl可以由具有高透射率的透明导电材料形成，所以虽然连接布线cwl定位在透射区域ta中，但是可以防止或减少透射区域ta的透光率的降低。
[0094]
此外，在实施例中，因为第二像素电路pc2不定位在第二显示区域da2中，所以可以充分地确保透射区域ta的面积，并且可以增大第二显示区域da2的透光率。
[0095]
发光器件le可以被薄膜封装层tfel覆盖。在一些实施例中，如图3中所示，薄膜封装层tfel可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，薄膜封装层tfel可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330以及在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
[0096]
触摸屏层tsl可以根据外部输入(例如，触摸事件)来获得坐标信息。触摸屏层tsl可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸布线。触摸屏层tsl可以通过使用自电容法或互电容法来检测外部输入。
[0097]
触摸屏层tsl可以形成在薄膜封装层tfel上。可选地，触摸屏层tsl可以单独地形成在触摸基底上，然后可以通过诸如光学透明粘合剂(oca)的粘合层结合到薄膜封装层tfel。在实施例中，触摸屏层tsl可以直接形成在薄膜封装层tfel上，在这种情况下，粘合层可以不定位在触摸屏层tsl与薄膜封装层tfel之间。
[0098]
面板保护构件pb可以附着到基底100的底部，并且可以支撑和保护基底100。面板保护构件pb可以具有与第二显示区域da2对应的孔pb_h。因为面板保护构件pb具有孔pb_h，所以可以增大第二显示区域da2的透光率。面板保护构件pb可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)或聚酰亚胺(pi)。
[0099]
第二显示区域da2可以大于定位有电子组件20的区域。在一些实施例中，面板保护构件pb的孔pb_h的面积可以与第二显示区域da2的面积不同。
[0100]
电子组件20可以定位在第二显示区域da2中。电子组件20可以是使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以是测量距离的传感器(诸如接近传感器)、识别用户的身体部位(例如，指纹、虹膜或面部)的传感器、输出光的小灯或捕获图像的图像传感器(例如，相机)。使用光的电子元件可以使用诸如可见光、红外光或紫外光的各种合适的波长带中的任何波长带的光。使用声音的电子元件可以使用超声波或另一频率带的声音。在一些实施例
中，多个电子组件20可以定位在第二显示区域da2中。在这种情况下，多个电子组件20可以具有彼此不同的功能。然而，本公开不限于此。
[0101]
在一些实施例中，底部金属层bml可以定位在第二显示区域da2中。底部金属层bml可以定位在基底100与第二发光器件le2之间。底部金属层bml可以与第二发光器件le2叠置(例如，在基底100的厚度方向上叠置)。底部金属层bml可以包括阻光材料，并且可以防止或基本上防止外部光到达第二发光器件le2。
[0102]
图4是根据实施例的包括在电子装置中的像素电路的等效电路图。
[0103]
参照图4，像素电路pc可以包括第一薄膜晶体管至第七薄膜晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7、第一电容器cst和第二电容器cbt。此外，像素电路pc可以连接到多条信号线、第一初始化电压线vil1和第二初始化电压线vil2以及电源电压线pl。信号线可以包括数据线dl、第一扫描线sl1、第二扫描线sl2、第三扫描线sl3、第四扫描线sl4和发射控制线el。在另一实施例中，信号线、第一初始化电压线vil1和第二初始化电压线vil2以及电源电压线pl中的至少一条可以被相邻的像素电路pc共享。
[0104]
电源电压线pl可以将驱动电源电压elvdd传输到第一薄膜晶体管t1。第一初始化电压线vil1可以将用于使第一薄膜晶体管t1初始化的第一初始化电压vint1传输到像素电路pc。第二初始化电压线vil2可以将用于使发光器件le初始化的第二初始化电压vint2传输到像素电路pc。
[0105]
例如，第一薄膜晶体管t1至第七薄膜晶体管至t7之中的第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4可以被实现为nmos，第一薄膜晶体管t1至第七薄膜晶体管至t7中的其余部分可以被实现为pmos。然而，本公开不限于此。
[0106]
第一薄膜晶体管t1可以经由第五薄膜晶体管t5连接到电源电压线pl，并且可以经由第六薄膜晶体管t6连接(例如，电连接)到发光器件le。第一薄膜晶体管t1可以用作驱动薄膜晶体管，并且可以接收数据信号dm且可以根据第二薄膜晶体管t2的开关操作将驱动电流id供应到发光器件le。
[0107]
作为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管t2可以连接到第一扫描线sl1和数据线dl，并且可以经由第五薄膜晶体管t5连接到电源电压线pl。第二薄膜晶体管t2可以根据通过第一扫描线sl1接收的第一扫描信号sn导通，并且可以执行将通过数据线dl传输的数据信号dm传输到第一节点n1的开关操作。
[0108]
作为补偿薄膜晶体管的第三薄膜晶体管t3可以连接到第四扫描线sl4，并且可以经由第六薄膜晶体管t6连接到发光器件le。第三薄膜晶体管t3可以根据通过第四扫描线sl4接收的第四扫描信号sn'导通，并且可以使第一薄膜晶体管t1二极管连接。
[0109]
作为第一初始化薄膜晶体管的第四薄膜晶体管t4可以连接到作为前一扫描线的第三扫描线sl3和第一初始化电压线vil1，并且可以根据通过第三扫描线sl3接收的作为前一扫描信号的第三扫描信号sn-1导通，并且可以通过将第一初始化电压vint1从第一初始化电压线vil1传输到第一薄膜晶体管t1的栅电极来使第一薄膜晶体管t1的栅电极的电压初始化。
[0110]
第五薄膜晶体管t5可以是操作控制薄膜晶体管，第六薄膜晶体管t6可以是发射控制薄膜晶体管。第五薄膜晶体管t5和第六薄膜晶体管t6连接到发射控制线el，并且根据通过发射控制线el接收的发射控制信号en同时地(例如，并发地)导通，并且形成电流路径，使
得驱动电流id从电源电压线pl流到发光器件le。
[0111]
作为第二初始化薄膜晶体管的第七薄膜晶体管t7可以连接到作为下一扫描线的第二扫描线sl2和第二初始化电压线vil2，并且可以根据通过第二扫描线sl2接收的作为下一扫描信号的第二扫描信号sn 1而导通，并且可以通过将第二初始化电压vint2从第二初始化电压线vil2传输到发光器件le来使发光器件le初始化。在一些实施例中，可以省略第七薄膜晶体管t7。
[0112]
第一电容器cst可以包括第一电极ce1和第二电极ce2。第一电极ce1可以连接到第一薄膜晶体管t1的栅电极，第二电极ce2可以连接到电源电压线pl。第一电容器cst可以通过存储且保持与第一薄膜晶体管t1的栅电极与电源电压线pl的两端的电压之间的差对应的电压来保持施加到第一薄膜晶体管t1的栅电极的电压。
[0113]
第二电容器cbt可以包括第三电极ce3和第四电极ce4。第三电极ce3可以连接到第一扫描线sl1和第二薄膜晶体管t2的栅电极。第四电极ce4可以连接到第一薄膜晶体管t1的栅电极和第一电容器cst的第一电极ce1。第二电容器cbt是升压电容器，当第一扫描线sl1的第一扫描信号sn是用于使第二薄膜晶体管t2截止的电压时，第二电容器cbt可以通过增大第二节点n2的电压来减小显示黑色的电压(即，黑色电压)。
[0114]
作为有机发光二极管oled的发光器件le可以包括像素电极和对电极，对电极可以接收共电源电压elvss。发光器件le通过从第一薄膜晶体管t1接收驱动电流id且发射光来显示图像。
[0115]
根据实施例的每个像素电路pc的详细操作如下。
[0116]
在第一初始化时段期间，当通过第三扫描线sl3施加第三扫描信号sn-1时，第四薄膜晶体管t4可以响应于第三扫描信号sn-1而导通，第一薄膜晶体管t1可以通过从第一初始化电压线vil1供应的第一初始化电压vint1而被初始化。
[0117]
在数据编程时段期间，当分别通过第一扫描线sl1和第四扫描线sl4施加第一扫描信号sn和第四扫描信号sn'时，第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3可以响应于第一扫描信号sn和第四扫描信号sn'而导通。在这种情况下，第一薄膜晶体管t1可以通过导通的第三薄膜晶体管t3而被二极管连接，并且可以被正向偏置。接下来，通过从从数据线dl施加的数据信号dm减去第一薄膜晶体管t1的阈值电压vth而获得的补偿电压可以被施加到第一薄膜晶体管t1的栅电极。驱动电源电压elvdd和补偿电压可以被施加到第一电容器cst的两端，与两端之间的电压差对应的电荷被存储在第一电容器cst中。
[0118]
在发射时段期间，第五薄膜晶体管t5和第六薄膜晶体管t6可以通过从发射控制线el施加的发射控制信号en而导通。驱动电流id可以根据第一薄膜晶体管t1的栅电极的电压与驱动电源电压elvdd之间的电压差而产生，并且可以通过第六薄膜晶体管t6供应到发光器件le。
[0119]
在第二初始化时段期间，当通过第二扫描线sl2施加第二扫描信号sn 1时，第七薄膜晶体管t7响应于第二扫描信号sn 1而导通，发光器件le通过从第二初始化电压线vil2供应的第二初始化电压vint2而被初始化。
[0120]
在实施例中，多个薄膜晶体管(例如，t1至t7)可以包括包含硅半导体的硅类薄膜晶体管。在另一实施例中，多个薄膜晶体管(例如，t1至t7)中的至少一个可以包括包含氧化物半导体的氧化物类薄膜晶体管，多个薄膜晶体管中的其余部分可以包括包含硅半导体的
硅类薄膜晶体管。
[0121]
更详细地，直接影响显示设备10(例如，见图3)的亮度的第一薄膜晶体管t1可以是包括由具有高可靠性的多晶硅形成的硅半导体的硅类薄膜晶体管，从而实现具有高分辨率的显示设备。
[0122]
因为氧化物半导体具有高的载流子迁移率和小的漏电流，所以即使当驱动时间长时，电压降也可以不大。即，因为即使在低频驱动期间，由于电压降引起的图像的颜色变化也不大，所以可以执行低频驱动。如此，因为氧化物半导体可以具有小的漏电流，所以当连接到第一薄膜晶体管t1的栅电极的第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4中的至少一个包括氧化物半导体时，可以防止或减少会流到第一薄膜晶体管t1的栅电极的漏电流，并且可以减小功耗。
[0123]
为了便于解释，将假设第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2、第五薄膜晶体管t5、第六薄膜晶体管t6和第七薄膜晶体管t7是包括硅半导体的硅类薄膜晶体管，并且第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4是包括氧化物半导体的氧化物类薄膜晶体管来描述下文。
[0124]
图5a至图5g是示出了根据实施例的设置在电子装置中的显示设备的一部分的平面图。
[0125]
参照图5a，显示设备10的各种元件可以定位在基底100上。显示设备10可以包括显示区域da和定位在显示区域da外部的外围区域pa。显示区域da可以包括第一显示区域da1和包含透射区域ta的第二显示区域da2。
[0126]
诸如有机发光二极管oled的第一发光器件le1可以定位在第一显示区域da1中。第一发光器件le1可以通过第一像素px1(例如，见图1)发射特定颜色的光。即，第一像素px1可以由第一发光器件le1实现，第一像素px1可以是子像素。第一发光器件le1可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。驱动第一发光器件le1的第一像素电路pc1可以定位在第一显示区域da1中，并且可以连接(例如，电连接)到第一发光器件le1。例如，第一像素电路pc1可以与第一发光器件le1叠置。
[0127]
如图5a中所示，第二显示区域da2可以定位在显示区域da的一侧上或处，并且可以被第一显示区域da1部分地围绕。诸如有机发光二极管oled的第二发光器件le2可以定位在第二显示区域da2中。第二发光器件le2可以通过第二像素px2(例如，见图1)发射特定颜色的光。即，第二像素px2可以由第二发光器件le2实现，第二像素px2可以是子像素。第二发光器件le2可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
[0128]
驱动第二发光器件le2的第二像素电路pc2可以定位在外围区域pa中，并且可以连接(例如，电连接)到第二发光器件le2。例如，第二像素电路pc2可以定位在与第二显示区域da2相邻的外围区域pa中。即，第二像素电路pc2可以定位为与第二显示区域da2的外侧相邻。如图5a中所示，当第二显示区域da2定位在显示区域da的上部中时，第二像素电路pc2可以定位在外围区域pa的上部中。第二像素电路pc2和第二发光器件le2可以通过例如在y方向上延伸的连接布线cwl彼此连接(例如，电连接)。例如，连接布线cwl可以在与数据线dl延伸所沿的方向相同的方向上延伸。在一个或更多个实施例中，数据线dl可以在y方向上延伸。
[0129]
第二显示区域da2可以包括透射区域ta。透射区域ta可以围绕第二发光器件le2。
可选地，透射区域ta可以与多个第二发光器件le2以格子形状布置。
[0130]
第一像素电路pc1和第二像素电路pc2可以分别连接(例如，电连接)到定位在外围区域pa中的外部电路。第一扫描驱动电路sdrv1、第二扫描驱动电路sdrv2、端子单元pad、驱动电压供应线11和共电压供应线13可以定位在外围区域pa中。
[0131]
第一扫描驱动电路sdrv1可以通过扫描线sl将扫描信号施加到驱动第一发光器件le1的第一像素电路pc1中的每个。扫描线sl可以是图4的第一扫描线至第四扫描线sl1、sl2、sl3和sl4。第一扫描驱动电路sdrv1可以通过发射控制线el将发射控制信号施加到第一像素电路pc1中的每个。第二扫描驱动电路sdrv2和第一扫描驱动电路sdrv1可以彼此相对地定位并且显示区域da(例如，第一显示区域da1和/或第二显示区域da2)位于其间，并且可以基本上彼此平行。第一显示区域da1的第一像素电路pc1中的一些可以连接(例如，电连接)到第一扫描驱动电路sdrv1，其余部分可以连接(例如，电连接)到第二扫描驱动电路sdrv2。
[0132]
在一些实施例中，驱动第二发光器件le2的第二像素电路pc2也可以通过从扫描线sl和/或发射控制线el延伸的单独的布线从第一扫描驱动电路sdrv1和/或第二扫描驱动电路sdrv2接收扫描信号和发射控制信号。
[0133]
端子单元pad可以定位在基底100的一侧上。端子单元pad可以被暴露而不被绝缘层覆盖，并且可以连接到显示电路板30。显示驱动器31可以定位在显示电路板30上。
[0134]
显示驱动器31可以产生传输到第一扫描驱动电路sdrv1和第二扫描驱动电路sdrv2的控制信号。显示驱动器31可以产生数据信号，所产生的数据信号可以通过扇出布线fw和连接到扇出布线fw的数据线dl传输到第一像素电路pc1。此外，数据信号也可以通过数据线dl或从数据线dl延伸的单独的布线传输到第二像素电路pc2。
[0135]
显示驱动器31可以将驱动电源电压elvdd供应到驱动电压供应线11，并且可以将共电源电压elvss供应到共电压供应线13。驱动电源电压elvdd可以通过连接到驱动电压供应线11的电源电压线pl施加到第一像素电路pc1，驱动电源电压elvdd也可以通过驱动电压供应线11或从驱动电压供应线11延伸的单独的布线施加到第二像素电路pc2。共电源电压elvss可以施加到共电压供应线13，并且可以施加到第一发光器件le1和第二发光器件le2中的每个的对电极。
[0136]
驱动电压供应线11可以定位在第一显示区域da1下方，并且可以在x方向上延伸。共电压供应线13可以具有带有开口侧的环形状，并且可以部分地围绕第一显示区域da1。
[0137]
参照图5b，第二像素电路pc2可以定位在与第一显示区域da1相邻的外围区域pa中。第二像素电路pc2可以定位为与第一显示区域da1的外侧相邻。在这种情况下，例如，第二像素电路pc2和第二发光器件le2可以通过在x方向和y方向上延伸的连接布线cwl彼此连接(例如，电连接)。例如，连接布线cwl可以在与扫描线sl延伸所沿的方向相同的方向上和/或在与数据线dl延伸所沿的方向相同的方向上延伸。在一个或更多个实施例中，连接布线cwl的一部分与扫描线sl在相同的方向上延伸，连接布线cwl的另一部分与数据线dl在相同的方向上延伸。
[0138]
参照图5c，第二显示区域da2可以定位在第一显示区域da1内部，并且可以被第一显示区域da1完全地围绕。第二发光器件le2可以定位在第二显示区域da2中，驱动第二发光器件le2的第二像素电路pc2可以定位在定位于第二显示区域da2之上的外围区域pa中。第
二像素电路pc2和第二发光器件le2可以通过连接布线cwl连接(例如，电连接)。在这种情况下，例如，连接布线cwl可以在与数据线dl的方向相同的方向上延伸。
[0139]
参照图5d，第二发光器件le2可以定位在定位于第一显示区域da1内部的第二显示区域da2中。例如，驱动第二发光器件le2的第二像素电路pc2可以定位在定位于第二显示区域da2的左上和/或右上处的外围区域pa中。第二像素电路pc2和第二发光器件le2可以通过连接布线cwl彼此连接(例如，电连接)，在这种情况下，例如，连接布线cwl可以在与扫描线sl延伸所沿的方向相同的方向上和/或在与数据线dl延伸所沿的方向相同的方向上延伸。在一个或更多个实施例中，连接布线cwl的一部分与扫描线sl在相同的方向上延伸，连接布线cwl的另一部分与数据线dl在相同的方向上延伸。
[0140]
参照图5e，第二显示区域da2可以定位在显示区域da的一侧上或处，并且可以被第一显示区域da1部分地围绕。在实施例中，中间区域ma(例如，电子装置1的显示设备10的中间区域ma)可以定位在第一显示区域da1与第二显示区域da2之间。中间区域ma可以围绕第二显示区域da2的至少一部分。例如，中间区域ma可以定位在第二显示区域da2的左侧和/或右侧处。可选地，中间区域ma可以定位在第二显示区域da2下方。
[0141]
第二发光器件le2可以定位在第二显示区域da2中，驱动第二发光器件le2的第二像素电路pc2可以定位在中间区域ma中。第二像素电路pc2和第二发光器件le2可以通过连接布线cwl彼此连接(例如，电连接)。例如，当中间区域ma定位在第二显示区域da2的左侧和/或右侧处时，连接布线cwl可以在与扫描线sl的方向相同的方向上延伸。
[0142]
在实施例中，定位在中间区域ma中的每单位面积的第二像素电路pc2的数量可以等于或小于定位在第一显示区域da1中的每单位面积的第一像素电路pc1的数量。
[0143]
参照图5f，第二显示区域da2可以定位在第一显示区域da1内部，并且可以被第一显示区域da1完全地围绕。中间区域ma可以定位在第一显示区域da1与第二显示区域da2之间。在实施例中，不仅第二显示区域da2而且中间区域ma可以被第一显示区域da1完全地围绕。
[0144]
在实施例中，中间区域ma可以完全地或部分地围绕第二显示区域da2。例如，如图5f中所示，中间区域ma可以定位在第二显示区域da2的左侧和/或右侧处。可选地，中间区域ma可以定位在第二显示区域da2上方和/或下方。
[0145]
第二发光器件le2可以定位在第二显示区域da2中，驱动第二发光器件le2的第二像素电路pc2可以定位在中间区域ma中。第二像素电路pc2和第二发光器件le2可以通过连接布线cwl彼此连接(例如，电连接)。例如，当中间区域ma定位在第二显示区域da2的左侧和/或右侧处时，连接布线cwl可以在与扫描线sl延伸的方向相同的方向上延伸。在一些实施例中，当中间区域ma定位在第二显示区域da2上方和/或下方时，例如，连接布线cwl可以在与扫描线sl延伸所沿的方向相同的方向上和在与数据线dl延伸所沿的方向相同的方向上延伸。然而，本公开不限于此。例如，在一些实施例中，当中间区域ma定位在第二显示区域da2上方和/或下方时，连接布线cwl可以在与数据线dl延伸所沿的方向相同的方向上延伸。
[0146]
在实施例中，定位在中间区域ma中的每单位面积的第二像素电路pc2的数量可以等于或小于每定位在第一显示区域da1中的单位面积的第一像素电路pc1的数量。
[0147]
如上所述，第二像素电路pc2的布置可以以各种合适的方式修改，因为第二像素电路pc2不定位在第二显示区域da2中，所以可以充分地确保透射区域ta的面积，因此可以增
大第二显示区域da2的透光率。
[0148]
虽然在图5a至图5f中第二像素电路pc2不定位在第二显示区域da2中，但是本公开不限于此。如图5g中所示，第二像素电路pc2可以定位在第二显示区域da2中。第二像素电路pc2和第二发光器件le2可以彼此叠置，并且可以通过接触电极彼此连接(例如，电连接)。在本实施例中，因为透射区域ta定位在第二显示区域da2中，所以可以确保足够的透光率。
[0149]
图6a和图6b是示出了根据实施例的设置在电子装置中的显示设备(具体地，显示设备的第一显示区域和第二显示区域)的一些元件的平面图。
[0150]
参照图6a，多个第一像素电极211可以定位在第一显示区域da1中，以在平面图中彼此分开。多个第一像素电极211可以包括具有彼此不同的面积的第1-1像素电极211-1、第1-2像素电极211-2和第1-3像素电极211-3。在实施例中，第1-1像素电极211-1的面积可以大于第1-2像素电极211-2的面积，第1-3像素电极211-3的面积可以大于第1-1像素电极211-1的面积。
[0151]
多个第二像素电极212可以定位在第二显示区域da2中，以在平面图中彼此分开。透射区域ta可以定位在多个第二像素电极212之间。多个第二像素电极212可以包括具有彼此不同的面积的第2-1像素电极212-1、第2-2像素电极212-2和第2-3像素电极212-3。在实施例中，第2-1像素电极212-1的面积可以大于第2-2像素电极212-2的面积，第2-3像素电极212-3的面积可以大于第2-1像素电极212-1的面积。
[0152]
在实施例中，每个第二像素电极212的面积可以大于每个第一像素电极211的面积。例如，第2-1像素电极212-1、第2-2像素电极212-2和第2-3像素电极212-3的面积可以大于第1-1像素电极211-1、第1-2像素电极211-2和第1-3像素电极211-3的面积。
[0153]
像素限定膜120可以定位在多个第一像素电极211和多个第二像素电极212上。因为多个像素电极210定位在像素限定膜120下面，所以每个像素电极210的边缘在图6a中由虚线标记。
[0154]
像素限定膜120可以包括多个第一开口op1和多个第二开口op2，多个第一像素电极211的部分(例如，中心部分)通过多个第一开口op1被暴露，多个第二像素电极212的部分(例如，中心部分)通过多个第二开口op2被暴露。
[0155]
多个第一开口op1可以包括分别与第1-1像素电极211-1、第1-2像素电极211-2和第1-3像素电极211-3对应的第1-1开口op1-1、第1-2开口op1-2和第1-3开口op1-3。在实施例中，第1-1开口op1-1的面积可以大于第1-2开口op1-2的面积，第1-3开口op1-3的面积可以大于第1-1开口op1-1的面积。
[0156]
多个第二开口op2可以包括分别与第2-1像素电极212-1、第2-2像素电极212-2和第2-3像素电极212-3对应的第2-1开口op2-1、第2-2开口op2-2和第2-3开口op2-3。在实施例中，第2-1开口op2-1的面积可以大于第2-2开口op2-2的面积，第2-3开口op2-3的面积可以大于第2-1开口op2-1的面积。
[0157]
在实施例中，在平面图中，每个第二开口op2的面积可以大于每个第一开口op1的面积。例如，第2-1开口op2-1、第2-2开口op2-2和第2-3开口op2-3的面积可以大于第1-1开口op1-1、第1-2开口op1-2和第1-3开口op1-3的面积。
[0158]
在一些实施例中，包括发射特定颜色的光的发射层的中间层可以定位在第一像素电极211和第二像素电极212上，并且可以定位在像素限定膜120的第一开口op1和第二开口
op2中。例如，包括红色发射层的中间层可以定位在第1-1开口op1-1和第2-1开口op2-1中，包括绿色发射层的中间层可以定位在第1-2开口op1-2和第2-2开口op2-2中，包括蓝色发射层的中间层可以定位在第1-3开口op1-3和第2-3开口op2-3中。
[0159]
对电极可以定位在像素限定膜120和中间层上，并且可以与多个像素电极210一体地形成。
[0160]
像素电极210、中间层和对电极的堆叠结构可以构成作为一个发光器件le的一个有机发光二极管oled。像素限定膜120的一个第一开口op1可以与一个第一发光器件le1(例如，见图3)对应，并且可以限定一个发射区域。即，像素限定膜120的第一开口op1可以限定第一像素px1。此外，像素限定膜120的一个第二开口op2可以与一个第二发光器件le2(例如，见图3)对应，可以限定一个发射区域，并且因此可以限定第二像素px2。
[0161]
多个第一像素px1可以定位在第一显示区域da1中，多个第二像素px2可以定位在第二显示区域da2中。在实施例中，多个第一像素px1可以包括红色第一像素pr1、绿色第一像素pg1和蓝色第一像素pb1。红色第一像素pr1、绿色第一像素pg1和蓝色第一像素pb1可以分别发射红光、绿光和蓝光。红色第一像素pr1可以与第1-1像素电极211-1叠置，并且可以由第1-1开口op1-1限定。绿色第一像素pg1可以与第1-2像素电极211-2叠置，并且可以由第1-2开口op1-2限定。蓝色第一像素pb1可以与第1-3像素电极211-3叠置，并且可以由第1-3开口op1-3限定。
[0162]
同样地，多个第二像素px2可以包括红色第二像素pr2、绿色第二像素pg2和蓝色第二像素pb2。红色第二像素pr2、绿色第二像素pg2和蓝色第二像素pb2可以分别发射红光、绿光和蓝光。红色第二像素pr2可以与第2-1像素电极212-1叠置，并且可以由第2-1开口op2-1限定。绿色第二像素pg2可以与第2-2像素电极212-2叠置，并且可以由第2-2开口op2-2限定。蓝色第二像素pb2可以与第2-3像素电极212-3叠置，并且可以由第2-3开口op2-3限定。红光可以是580nm至780nm的波长带中的光，绿光可以是495nm至580nm的波长带中的光，蓝光可以是400nm至495nm的波长带中的光。
[0163]
在实施例中，在平面图中，第二像素px2的面积可以大于第一像素px1的面积。例如，红色第二像素pr2的面积可以大于红色第一像素pr1的面积，绿色第二像素pg2的面积可以大于绿色第一像素pg1的面积，蓝色第二像素pb2的面积可以大于蓝色第一像素pb1的面积。为此，如上所述，第二像素电极212的面积可以大于第一像素电极211的面积，像素限定膜120的第二开口op2的面积可以大于第一开口op1的面积。
[0164]
因为第二显示区域da2包括透射区域ta，所以第二显示区域da2的分辨率会低于第一显示区域da1的分辨率。然而，如上所述，因为定位在第二显示区域da2中的第二像素px2的面积大于定位在第一显示区域da1中的第一像素px1的面积，所以第一显示区域da1和第二显示区域da2的亮度可以保持为相同或基本上相同。
[0165]
虽然在图6a中多个第一像素px1和多个第二像素px2以rgbg类型(例如，结构，是韩国三星显示器有限公司的注册商标)布置，但是多个第一像素px1和多个第二像素px2可以以诸如stripe(条纹)类型的各种合适类型中的任何一种布置。此外，第一像素px1和第二像素px2中的每个的平面形状不限于圆形形状，并且可以是诸如多边形形状(例如，三角形形状或四边形形状)或椭圆形形状的各种合适的形状中的任何一种。
[0166]
在第二显示区域da2中，像素限定膜120可以不定位在透射区域ta中。像素限定膜120可以彼此分开以分别与第2-1像素电极212-1、第2-2像素电极212-2和第2-3像素电极212-3对应。虽然在图6a中定位在第二显示区域da2中的像素限定膜120的外部形状是四边形形状，但是本公开不限于此。
[0167]
如图6b中所示，定位在第二显示区域da2中的像素限定膜120的外部形状可以是椭圆形状。可选地，定位在第二显示区域da2中的像素限定膜120的外部形状可以被修改为诸如圆形形状或多边形形状(例如，具有六条或更多条边的多边形形状)的各种合适的形状中的任何一种。
[0168]
此外，虽然在图6a和图6b中定位在第二显示区域da2中的第二像素电极212和第二像素px2的尺寸大于定位在第一显示区域da1中的第一像素电极211和第一像素px1的尺寸，但是本公开不限于此。可以进行各种合适的修改。例如，第二像素电极212和第二像素px2的尺寸可以与第一像素电极211和第一像素px1的尺寸相同。
[0169]
图7是示出了根据实施例的设置在电子装置中的显示设备的一部分的剖视图。
[0170]
参照图7，显示设备10可以包括基底100，基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。例如，基底100可以包括诸如聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)或乙酸丙酸纤维素(cap)的聚合物树脂。当基底100包括聚合树脂时，基底100可以是柔性的或可弯曲的。
[0171]
基底100可以具有包括以上材料的单个层或多层结构，当基底100具有多层结构时，基底100还可以包括无机层。例如，基底100可以包括顺序地堆叠的第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。第一基体层101和第二基体层103中的每个可以包括聚合物树脂。作为用于防止或减少外部异物的渗透的阻挡层的第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每个可以具有包括诸如氮化硅(sin
x
)或氧化硅(sio
x
)的无机材料的单层或多层结构。
[0172]
缓冲层111可以定位在基底100上。缓冲层111可以使基底100的顶表面平坦化，并且可以包括诸如氧化硅(sio
x
)的氧化物膜以及/或者诸如氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)的氮化物膜。
[0173]
多个像素电路pc可以定位在缓冲层111上。多个像素电路pc可以包括定位在第一显示区域da1中的多个第一像素电路pc1和定位在外围区域pa中的多个第二像素电路pc2。第一像素电路pc1可以连接(例如，电连接)到定位在第一显示区域da1中的第一发光器件le1，第二像素电路pc2可以连接(例如，电连接)到定位在第二显示区域da2中的第二发光器件le2。在实施例中，虽然第一像素电路pc1和第二像素电路pc2中的每个包括第一薄膜晶体管至第七薄膜晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7，但是为了便于解释，在图7中仅示出了第一薄膜晶体管t1和第三薄膜晶体管t3。此外，在实施例中，因为第一像素电路pc1和第二像素电路pc2具有相同的构造和结构，所以为了便于解释，以下将集中于第一像素电路pc1。
[0174]
包括硅半导体材料的硅半导体层可以定位在缓冲层111上。在图7中，第一薄膜晶体管t1的第一半导体层a1被示出为硅半导体层。第一半导体层a1可以包括第一沟道区c1以及定位在第一沟道区c1的相对侧处的第一源区s1和第一漏区d1。例如，源区和漏区可以掺杂有杂质，杂质可以包括n型杂质或p型杂质。与下面描述的栅电极叠置的沟道区可以不掺
杂杂质或者可以包括非常少量的杂质。源区和漏区可以分别与每个薄膜晶体管的源电极和漏电极对应。源区和漏区可以根据薄膜晶体管的特性而彼此改变。
[0175]
第一栅极绝缘层112可以定位在第一半导体层a1上。第一栅极绝缘层112可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。例如，第一栅极绝缘层112可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno
x
)中的至少一种。氧化锌(zno
x
)可以是zno和/或zno2。
[0176]
第一栅电极g1可以定位在第一栅极绝缘层112上。第一栅电极g1可以与第一半导体层a1至少部分地叠置。例如，第一栅电极g1可以与第一半导体层a1的第一沟道区c1叠置。第一薄膜晶体管t1的第一栅电极g1可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的低电阻导电材料，并且可以具有包括以上材料的单层或多层结构。此外，第三下栅电极g3a可以定位在第一栅极绝缘层112上。第三下栅电极g3a可以与下面描述的第三半导体层a3至少部分地叠置。第三下栅电极g3a可以包括与第一栅电极g1的材料相同的材料。
[0177]
第一电容器cst可以包括第一电极ce1和第二电极ce2。在实施例中，第一电容器cst可以与第一薄膜晶体管t1叠置。在这种情况下，第一栅电极g1不仅可以用作第一薄膜晶体管t1的栅电极，而且可以用作第一电极ce1。即，第一栅电极g1可以与第一电极ce1一体地形成。第一电极ce1可以形成为岛形状。在另一实施例中，第一电容器cst可以不与第一薄膜晶体管t1叠置，并且可以定位在单独的位置处。
[0178]
第二栅极绝缘层113可以定位在第一栅电极g1上。第二栅极绝缘层113可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。例如，第二栅极绝缘层113可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno
x
)中的至少一种。氧化锌(zno
x
)可以是zno和/或zno2。
[0179]
第一电容器cst的第二电极ce2可以与第一电极ce1叠置。在这种情况下，第二栅极绝缘层113可以定位在第一电极ce1与第二电极ce2之间，并且可以用作第一电容器cst的介电层。存储电容可以由第一电极ce1与第二电极ce2之间的电压以及在第一电容器cst中累积的电荷来确定。
[0180]
第一电容器cst的第二电极ce2可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料。第二电极ce2可以包括例如铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和铜(cu)中的至少一种，并且可以具有包括以上材料的单层或多层结构。
[0181]
第一层间绝缘层114可以定位在第一电容器cst的第二电极ce2上。第一层间绝缘层114可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。例如，第一层间绝缘层114可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno
x
)中的至少一种。氧化锌(zno
x
)可以是zno和/或zno2。
[0182]
包括与第一半导体层a1的材料不同的材料的半导体层可以定位在第一层间绝缘层114上。例如，包括氧化物半导体的氧化物类半导体层可以定位在第一层间绝缘层114上。氧化物类半导体层可以包括诸如氧化zn、氧化in-zn或氧化ga-in-zn的氧化zn类材料。在一些实施例中，氧化物类半导体层可以包括在zno中包含诸如铟(in)、镓(ga)或锡(sn)的金属的in-ga-zn-o(igzo)、in-sn-zn-o(itzo)或in-ga-sn-zn-o(igtzo)。在图7中，第三薄膜晶体管t3的第三半导体层a3被示出为氧化物半导体层。第三半导体层a3可以包括第三沟道区
c3以及在第三沟道区c3的相对侧处的第三源区s3和第三漏区d3。
[0183]
第三栅极绝缘层115可以定位在第三薄膜晶体管t3的第三半导体层a3上。第三栅极绝缘层115可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。例如，第三栅极绝缘层115可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)和氧化铪(hfo2)中的至少一种。
[0184]
第三薄膜晶体管t3的第三上栅电极g3b可以定位在第三栅极绝缘层115上。第三上栅电极g3b可以与第三薄膜晶体管t3的第三半导体层a3的至少一部分叠置。例如，第三上栅电极g3b可以与第三半导体层a3的第三沟道区c3叠置。此外，第三上栅电极g3b可以与第三下栅电极g3a叠置。第三上栅电极g3b可以通过形成在第一层间绝缘层114和第三栅极绝缘层115中的接触孔连接(例如，电连接)到第三下栅电极g3a，以形成双栅结构。第三上栅电极g3b可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的低电阻导电材料，并且可以具有包括以上材料的单层或多层结构。
[0185]
第二层间绝缘层116可以定位在第三薄膜晶体管t3的第三上栅电极g3b上。第二层间绝缘层116可以覆盖第三薄膜晶体管t3。第二层间绝缘层116可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。例如，第二层间绝缘层116可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)和氧化铪(hfo2)中的至少一种。
[0186]
源电极和漏电极可以定位在第二层间绝缘层116上。源电极和漏电极中的每个可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)的导电材料，并且可以具有包括以上材料的单层或多层结构。例如，源电极和漏电极中的每个可以具有包括ti/al/ti的多层结构。
[0187]
第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第三栅极绝缘层115和第二层间绝缘层116可以被称为无机绝缘层iil。
[0188]
有机绝缘层oil可以定位在第二层间绝缘层116上。有机绝缘层oil可以覆盖第一显示区域da1和第二显示区域da2，并且可以定位在第一像素电路pc1和第二像素电路pc2上。有机绝缘层oil可以用作覆盖像素电路pc的保护膜，有机绝缘层oil的顶表面可以被平坦化(即，可以变得平坦或基本上平坦)。有机绝缘层oil可以具有单层或多层结构。在实施例中，有机绝缘层oil可以包括第一有机层117和在第一有机层117上的第二有机层118。第一有机层117和第二有机层118中的每个可以包括诸如亚克力、苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(hmdso)的有机材料。
[0189]
当有机绝缘层oil包括第一有机层117和第二有机层118时，接触金属cm和连接布线cwl可以定位在第一有机层117与第二有机层118之间。
[0190]
接触金属cm可以将第一像素电路pc1连接(例如，电连接)到第一发光器件le1。接触金属cm可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)的导电材料，并且可以具有包括以上材料的单层或多层结构。例如，接触金属cm可以具有包括ti/al/ti的多层结构。
[0191]
连接布线cwl可以将第二像素电路pc2连接(例如，电连接)到第二发光器件le2。在实施例中，连接布线cwl可以由与接触金属cm的材料相同的材料形成。在另一实施例中，连接布线cwl可以包括透明导电材料。连接布线cwl可以包括例如透明导电氧化物(tco)。连接布线cwl可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)、氧化铟锌镓(izgo)或氧化铝锌(azo)的导电氧化物。
[0192]
多个像素电极210可以定位在有机绝缘层oil上。多个像素电极210可以包括定位
在第一显示区域da1中的多个第一像素电极211和定位在第二显示区域da2中的多个第二像素电极212。像素电极210可以包括由诸如ito、in2o3或izo的透光导电氧化物形成的透光导电层以及由诸如al或ag的金属形成的反射层。例如，像素电极210可以具有包括ito/ag/ito的三层结构。
[0193]
像素限定膜120可以定位在像素电极210上，像素限定膜120可以通过具有与每个像素px对应的开口(即，像素电极210的至少中心部分通过其被暴露的开口op)来限定像素px。例如，像素限定膜120可以通过具有第一开口op1来限定第一像素px1(第一像素电极211的中心部分通过第一开口op1被暴露)，并且可以通过具有第二开口op2来限定第二像素px2(第二像素电极212的中心部分通过第二开口op2被暴露)。此外，像素限定膜120可以增大像素电极210的边缘与对电极230之间的距离，从而防止或基本上防止在像素电极210的边缘与对电极230之间发生电弧等。
[0194]
像素限定膜120可以包括有机绝缘材料。可选地，像素限定膜120可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料。可选地，像素限定膜120可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
[0195]
在实施例中，像素限定膜120可以包括阻光材料，并且可以是黑色的。阻光材料可以包括包含炭黑、碳纳米管或黑色染料的树脂或糊剂、金属颗粒(诸如镍、铝、钼或其合金)或者包含金属颗粒的树脂或糊剂、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)或者包含金属氧化物颗粒的树脂或糊剂或者金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)或者包含金属氮化物颗粒的树脂或糊剂。当像素限定膜120包括阻光材料时，可以减少定位在像素限定膜120下面的金属结构对外部光的反射。
[0196]
中间层220可以定位在像素限定膜120上。中间层220可以定位在像素电极210与对电极230之间。中间层220可以包括与像素电极210叠置的发射层。发射层可以包括诸如发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料的有机发光材料。可选地，发射层可以包括无机发光材料，或者可以包括量子点。
[0197]
在可选的实施例中，诸如空穴传输层(htl)、空穴注入层(hil)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)的功能层还可以定位在发射层下面和发射层之上。例如，功能层之中的第一功能层可以是由聚-(3,4)-乙撑二氧噻吩(pedot)或聚苯胺(pani)形成的空穴传输层(htl)。可选地，第一功能层可以包括空穴注入层(hil)和空穴传输层(htl)。功能层之中的第二功能层可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。
[0198]
对电极230可以定位在中间层220上，并且可以覆盖第二显示区域da2的一部分和第一显示区域da1。对电极230可以一体地形成为覆盖多个像素电极210。对电极230可以从第一显示区域da1和第二显示区域da2延伸到外围区域pa。对电极230可以由具有低逸出功的导电材料形成。例如，对电极230可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或它们的合金的(半)透明层。可选地，对电极230还可以包括在包括以上材料的(半)透明层上的由ito、izo、zno或in2o3形成的层。
[0199]
像素电极210、中间层220和对电极230的堆叠结构可以构成作为发光器件le的有机发光二极管oled。例如，第一像素电极211、中间层220和对电极230的堆叠结构可以构成第一发光器件le1，第二像素电极212、中间层220和对电极230的堆叠结构可以构成第二发
光器件le2。
[0200]
发光器件le的发射区域可以被定义为像素px。因为像素限定膜120的开口op限定发射区域的尺寸和/或宽度，所以像素px的尺寸和/或宽度可以取决于像素限定膜120的开口op的尺寸和/或宽度。
[0201]
电子组件20可以与第二显示区域da2叠置，从电子组件20发射或行进到电子组件20的光透射通过的透射区域ta可以定位在第二显示区域da2中。在一些实施例中，像素限定膜120和对电极230可以定位在透射区域ta中，并且可以分别具有彼此叠置(例如，在基底100的厚度方向上彼此叠置)的孔120h和230h。在另一实施例中，基底100上的第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第三栅极绝缘层115、第二层间绝缘层116、第一有机层117和第二有机层118可以在透射区域ta中具有孔，第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第三栅极绝缘层115、第二层间绝缘层116、第一有机层117和第二有机层118的孔可以彼此叠置。因此，可以增大透射区域ta中的透光率。
[0202]
在实施例中，底部金属层bml可以定位在像素电路pc下面。底部金属层bml可以定位在基底100与缓冲层111之间。底部金属层bml可以与第一像素电路pc1和第二像素电路pc2中的每个的第一薄膜晶体管t1叠置。底部金属层bml可以与第二显示区域da2的透射区域ta不叠置(例如，可以与第二显示区域da2的透射区域ta在基底100的厚度方向上不叠置)，以便防止或基本上防止透射区域ta中的透光率的降低。在一些实施例中，底部金属层bml可以连接(例如，电连接)到像素电路pc，并且可以接收恒定电压。因此，像素电路pc的第一薄膜晶体管t1可以具有稳定的电特性。
[0203]
此外，底部金属层bml可以包括阻光材料，阻光材料可以包括例如金属材料(诸如铬(cr)或钼(mo))、黑色墨和/或染料。底部金属层bml可以防止或基本上防止从电子组件20发射的或被电子组件20反射的光入射在与第二显示区域da2相邻的第二像素电路pc2上。因此，可以使由于光引起的第二像素电路pc2的薄膜晶体管的性能劣化最小化或者减少由于光引起的第二像素电路pc2的薄膜晶体管的性能劣化。
[0204]
根据实施例，有机绝缘层oil的厚度可以根据显示区域da而变化。第二显示区域da2中的有机绝缘层oil的厚度tt2可以小于第一显示区域da1中的有机绝缘层oil的厚度tt1。例如，有机绝缘层oil的第一有机层117的厚度在第一显示区域da1和第二显示区域da2中可以相同，第二显示区域da2中的第二有机层118的厚度ttb可以小于第一显示区域da1中的第二有机层118的厚度tta。在另一示例中，第二显示区域da2中的第一有机层117的厚度可以小于第一显示区域da1中的第一有机层117的厚度。
[0205]
因为有机绝缘层oil的厚度根据显示区域da而变化，所以基底100与像素电极210之间的距离也可以根据显示区域da而变化。例如，定位在第二显示区域da2中的第二像素电极212的底表面与基底100的顶表面之间的距离dd2可以小于定位在第一显示区域da1中的第一像素电极211的底表面与基底100的顶表面之间的距离dd1。
[0206]
此外，第二显示区域da2中的连接布线cwl与第二像素电极212之间的距离可以小于第一显示区域da1中的接触金属cm与第一像素电极211之间的距离。
[0207]
定位在外围区域pa中的有机绝缘层oil的厚度可以与定位在第一显示区域da1中的有机绝缘层oil的厚度基本上相同。
[0208]
当在制造显示设备10的工艺中将热施加到有机绝缘层oil时，包括在有机绝缘层
oil中的材料会部分地蒸发。当在有机绝缘层oil中产生的气体没有充分地排放到显示设备10的外部时，气体会影响发光器件le，发光器件le会劣化，因此会发生诸如发光器件le的发光失败或收缩的缺陷。如上所述，因为第二像素电极212相对大，所以来自第二显示区域da2的气体的排放会被第二像素电极212延迟或中断。因此，第二发光器件le2的故障风险会增大。
[0209]
然而，根据实施例，可以通过减小第二显示区域da2中的有机绝缘层oil的厚度tt2来使第二显示区域da2中的有机绝缘层oil的体积最小化或减小第二显示区域da2中的有机绝缘层oil的体积。因此，可以使从第二显示区域da2中的有机绝缘层oil排放的气体的量最小化或减少从第二显示区域da2中的有机绝缘层oil排放的气体的量，因此可以降低第二发光器件le2的故障和劣化的风险。
[0210]
图8是示出了根据另一实施例的设置在电子装置中的显示设备的一部分的剖视图。可以不描述与参照图7描述的元件相同或基本上相同的元件，以下将集中于不同之处。
[0211]
参照图8，显示设备10的有机绝缘层oil还可以包括在第二有机层118上的第三有机层119。即，第三有机层119可以定位在第二有机层118与像素电极210之间。在这种情况下，接触金属cm2可以定位在第二有机层118与第三有机层119之间。如此，因为附加地设置了第三有机层119，所以可以增大显示设备10的集成度。
[0212]
在实施例中，第二显示区域da2中的第三有机层119的厚度ttd可以小于第一显示区域da1中的第三有机层119的厚度ttc。因此，可以使第二显示区域da2中的有机绝缘层oil的体积最小化或减少第二显示区域da2中的有机绝缘层oil的体积，并且可以使从第二显示区域da2中的有机绝缘层oil排放的气体的量最小化或减少从第二显示区域da2中的有机绝缘层oil排放的气体的量，从而降低第二发光器件le2的劣化和故障的风险。
[0213]
图9a至图9h是示出了根据实施例的制造设置在电子装置中的显示设备的方法的剖视图。
[0214]
参照图9a，可以准备包括第一区域ar1和与第一区域ar1相邻的第二区域ar2的基底100。因为第一显示区域da1和第二显示区域da2是由多个第一像素px1和多个第二像素px2提供图像的区域，所以对于尚未形成像素的基底100，与第一显示区域da1和第二显示区域da2对应的区域分别被称为第一区域ar1和第二区域ar2。此外，基底100可以包括第三区域ar3，第三区域ar3可以与显示设备10的外围区域pa对应。
[0215]
参照图9b，可以在基底100上形成缓冲层111和多个像素电路pc。例如，可以遍及基底100的整个区域形成缓冲层111。接下来，可以在基底100的第一区域ar1中形成第一像素电路pc1，并且可以在第三区域ar3中形成第二像素电路pc2。
[0216]
为了形成像素电路pc，可以在基底100上形成各种绝缘层、半导体层和电极层。例如，在通过使用涂覆工艺或沉积工艺形成各种材料层之后，可以通过光刻工艺和蚀刻工艺使各种材料层图案化，以形成各种绝缘层、半导体层和电极层。
[0217]
涂覆工艺的示例可以包括旋涂，沉积工艺的示例可以包括化学气相沉积(cvd)(诸如热化学气相沉积(tcvd)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)或大气压化学气相沉积(apcvd))和物理气相沉积(pvd)(诸如热蒸发、溅射或电子束蒸发)。
[0218]
参照图9c至图9g，可以形成定位在第一像素电路pc1和第二像素电路pc2上且覆盖基底100的第一区域ar1和第二区域ar2的有机绝缘层oil。在实施例中，可以通过使用半色
调掩模hm来形成有机绝缘层oil，使得第一区域ar1中的有机绝缘层oil的厚度tt1小于第二区域ar2中的有机绝缘层oil的厚度tt2。
[0219]
更详细地，参照图9c，可以形成定位在第一像素电路pc1和第二像素电路pc2上且覆盖基底100的第一区域ar1和第二区域ar2的第一有机层117。为了形成第一有机层117，例如，可以执行沉积工艺和光刻工艺。在一些实施例中，虽然第一有机层117在第一区域ar1和第二区域ar2中具有均匀的厚度，但是本公开不限于此。如在下面描述的形成第二有机层118的方法中，第一有机层117也可以在第一区域ar1和第二区域ar2中具有不同的厚度。
[0220]
参照图9d，在第一有机层117上形成接触金属cm和连接布线cwl之后，可以形成第一材料层118m。可以通过涂覆工艺、光刻工艺和蚀刻工艺形成接触金属cm和连接布线cwl。可以通过涂覆工艺或沉积工艺形成第一材料层118m。第一材料层118m可以覆盖第一区域ar1和第二区域ar2，并且可以具有基本上均匀的厚度。
[0221]
接下来，可以通过使用半色调掩模hm来使第一材料层118m图案化。半色调掩模hm可以包括透明部tp、半透明部htp和阻光部bp。透明部tp可以允许大部分光穿过其。半透明部htp可以允许部分光穿过其。因此，可以通过使用半透明部htp来调节曝光量。阻光部bp可以阻挡大部分光。例如，当第一材料层118m通过半色调掩模hm被暴露于光然后被显影时，第一材料层118m的分别与透明部tp和半透明部htp对应的部分可以被去除不同的厚度，第一材料层118m的与阻光部bp对应的部分可以不被去除。
[0222]
参照图9e，可以通过使用半色调掩模hm通过使第一材料层118m(例如，见图9d)图案化来形成第二有机层118。与半色调掩模hm(例如，见图9d)的半透明部htp(例如，见图9d)对应的部分可以是第二区域ar2，与半色调掩模hm的阻光部bp(例如，见图9d)对应的部分可以是第一区域ar1。因此，可以形成第二有机层118，使得第二区域ar2中的第二有机层118的厚度ttb小于第一区域ar1中的第二有机层118的厚度tta。与半色调掩模hm的透明部tp(例如，见图9d)对应的部分可以是定位有第二有机层118的接触孔的部分。
[0223]
参照图9f，在第二有机层118和/或第一有机层117上形成接触金属cm和连接布线cwl之后，可以形成第二材料层119m。可以通过涂覆工艺或沉积工艺形成第二材料层119m。第二材料层119m可以覆盖第一区域ar1和第二区域ar2，并且可以具有基本上均匀的厚度。接下来，可以以与如图9d中所示的使第一材料层118m图案化的方式类似的方式通过使用半色调掩模hm'来使第二材料层119m图案化。
[0224]
参照图9g，可以通过使用半色调掩模hm'(例如，见图9f)通过使第二材料层119m(例如，见图9f)图案化来形成第三有机层119。与半色调掩模hm'的半透明部htp(例如，见图9f)对应的部分可以是第二区域ar2，与阻光部bp(例如，见图9f)对应的部分可以是第一区域ar1。因此，第三有机层119可以形成为使得第二区域ar2中的第三有机层119的厚度ttd小于第一区域ar1中的第三有机层119的厚度ttc。与半色调掩模hm'的透明部tp(例如，见图9f)对应的部分可以是定位有第三有机层119的接触孔的部分。
[0225]
参照图9h，可以通过在第三有机层119上形成像素电极210、像素限定膜120、中间层220和对电极230来形成发光器件le和像素px。
[0226]
根据一个或更多个实施例，可以提供一种显示设备、包括该显示设备的电子装置以及制造即使在定位有电子装置的区域中也可以显示图像的显示设备的方法。此外，可以提供一种显示设备、包括该显示设备的电子装置以及制造该显示设备的方法，显示设备可
以通过在制造工艺期间使发光器件的劣化的风险最小化或降低发光器件的劣化的风险来使显示质量劣化最小化或降低显示质量劣化。然而，公开的范围不受这些效果的限制。
[0227]
应理解的是，在此所描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种合适的改变。