半导体装置及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置，包括：第1电极；第2电极，从所述第1电极向所述第2电极的方向沿着第1方向；第3电极，所述第3电极包括第3电极端部以及第3电极另一端部，所述第3电极端部在所述第1方向上处于所述第1电极与所述第3电极另一端部之间；第1导电构件，所述第1导电构件包括第1导电构件端部以及第1导电构件另一端部，所述第1导电构件端部在所述第1方向上处于所述第1电极与所述第1导电构件另一端部之间，所述第1导电构件端部在所述第1方向上的位置处于所述第1电极在所述第1方向上的所述位置与所述第3电极端部在所述第1方向上的位置之间，所述第1导电构件与所述第2电极以及所述第3电极的一方电连接，或者，所述第1导电构件能够与所述一方电连接；半导体构件，所述半导体构件包括第1导电类型的第1半导体区域、第2导电类型的第2半导体区域以及所述第1导电类型的第3半导体区域，所述第1半导体区域包括第1部分区域以及第2部分区域，所述第1部分区域在所述第1方向上处于所述第1电极与所述第2电极之间，所述第2半导体区域在所述第1方向上处于所述第1部分区域与所述第3半导体区域之间，所述第3半导体区域与所述第2电极电连接，从所述第3电极的一部分向所述第2半导体区域的第2方向与所述第1方向交叉，从所述第3电极的另一部分向所述第1部分区域的一部分的方向沿着所述第2方向，从所述第2部分区域向所述第1导电构件的方向沿着所述第1方向，从所述第1导电构件向所述第1部分区域的方向沿着所述第2方向；以及第1绝缘构件，包含硅以及氧，所述第1绝缘构件包括第1位置、第2位置以及第3位置，所述第1位置在所述第1方向上处于所述第2部分区域与所述第1导电构件端部之间，所述第2位置在所述第2方向上处于所述第1导电构件与所述第1部分区域之间，从所述第1位置向所述第3位置的方向沿着所述第2方向，所述第3位置在所述第1方向上的位置处于所述第2部分区域在所述第1方向上的位置与所述第2位置在所述第1方向上的位置之间，所述第1绝缘构件在所述第3位置处包含第1元素，该第1元素包括从包括氮、铝、铪以及锆的群选择的至少一个元素，所述第1绝缘构件在所述第1位置以及所述第2位置处不包含所述第1元素，或者，所述第1位置处的所述第1元素的浓度以及所述第2位置处的所述第1元素的浓度分别比所述第3位置处的所述第1元素的浓度低。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1绝缘构件包括第4位置，所述第4位置在所述第1方向上的位置处于所述第3位置在所述第1方向上的所述位置与所述第2位置在所述第1方向上的所述位置之间，所述第4位置处的所述第1元素的浓度为所述第3位置处的所述第1元素的浓度与所述第2位置处的所述第1元素的所述浓度之间。3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，所述第1绝缘构件包括第5位置，所述第5位置在所述第2方向上处于所述第3电极与所述第2半导体区域之间，
所述第1绝缘构件在所述第5位置处不包含所述第1元素，或者，所述第5位置处的所述第1元素的浓度比所述第3位置处的所述第1元素的所述浓度低。4.一种半导体装置，包括：第1电极；第2电极，从所述第1电极向所述第2电极的方向沿着第1方向；第3电极，所述第3电极包括第3电极端部以及第3电极另一端部，所述第3电极端部在所述第1方向上处于所述第1电极与所述第3电极另一端部之间；第1导电构件，所述第1导电构件包括第1导电构件端部以及第1导电构件另一端部，所述第1导电构件端部在所述第1方向上处于所述第1电极与所述第1导电构件另一端部之间，所述第1导电构件端部在所述第1方向上的位置处于所述第1电极在所述第1方向上的所述位置与所述第3电极端部在所述第1方向上的位置之间，所述第1导电构件与所述第2电极以及所述第3电极的一方电连接，或者，所述第1导电构件能够与所述一方电连接；半导体构件，所述半导体构件包括第1导电类型的第1半导体区域、第2导电类型的第2半导体区域以及所述第1导电类型的第3半导体区域，所述第1半导体区域包括第1部分区域以及第2部分区域，所述第1部分区域在所述第1方向上处于所述第1电极与所述第2电极之间，所述第2半导体区域在所述第1方向上处于所述第1部分区域与所述第3半导体区域之间，所述第3半导体区域与所述第2电极电连接，从所述第3电极的一部分向所述第2半导体区域的第2方向与所述第1方向交叉，从所述第3电极的另一部分向所述第1部分区域的一部分的方向沿着所述第2方向，从所述第2部分区域向所述第1导电构件的方向沿着所述第1方向，从所述第1导电构件向所述第1部分区域的方向沿着所述第2方向；以及第1绝缘构件，包含硅以及氧，所述第1绝缘构件包括第1绝缘区域、第2绝缘区域以及第3绝缘区域，所述第1绝缘区域在所述第1方向上处于所述第2部分区域与所述第1导电构件端部之间，所述第2绝缘区域在所述第2方向上处于所述第1导电构件与所述第1部分区域之间，从所述第1绝缘区域向所述第3绝缘区域中的至少一部分的方向沿着所述第2方向，所述第3绝缘区域在所述第1方向上的位置处于所述第2部分区域在所述第1方向上的位置与所述第2绝缘区域在所述第1方向上的位置之间，所述第3绝缘区域包含第1元素，该第1元素包括从包括氮、铝、铪以及锆的群选择的至少一个元素，所述第1绝缘区域以及所述第2绝缘区域不包含所述第1元素，或者，所述第1绝缘区域中的所述第1元素的浓度以及所述第2绝缘区域中的所述第1元素的浓度分别比所述第3绝缘区域中的所述第1元素的浓度低。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第3绝缘区域包括：第1区域，包含所述第1元素；
第2区域，包含所述第1元素；以及第1中间区域，设置于所述第1区域与所述第2区域之间，所述第1区域在所述第2方向上处于所述第2区域的一部分与所述第1部分区域之间，所述第1中间区域不包含所述第1元素，或者，所述第1中间区域中的所述第1元素的浓度比所述第1区域中的所述第1元素的浓度低，比所述第2区域中的所述第1元素的浓度低。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第1区域在所述第1方向上处于所述第1电极与所述第2区域的其它部分之间。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第1区域以及所述第2区域的所述一部分沿着所述第1方向延伸。8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第3绝缘区域还包括：第3区域，包含所述第1元素；以及第2中间区域，设置于所述第2区域与所述第3区域之间，所述第2区域在所述第2方向上处于所述第3区域的一部分与所述第1部分区域之间，所述第2中间区域不包含所述第1元素，或者，所述第2中间区域中的所述第1元素的浓度比所述第2区域中的所述第1元素的浓度低，比所述第3区域中的所述第1元素的浓度低。9.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极，从所述第1电极向所述第2电极的方向沿着第1方向；第3电极，所述第3电极包括第3电极端部以及第3电极另一端部，所述第3电极端部在所述第1方向上处于所述第1电极与所述第3电极另一端部之间；第1导电构件，所述第1导电构件包括第1导电构件端部以及第1导电构件另一端部，所述第1导电构件端部在所述第1方向上处于所述第1电极与所述第1导电构件另一端部之间，所述第1导电构件端部在所述第1方向上的位置处于所述第1电极在所述第1方向上的所述位置与所述第3电极端部在所述第1方向上的位置之间，所述第1导电构件与所述第2电极以及所述第3电极的一方电连接，或者，所述第1导电构件能够与所述一方电连接；半导体构件，所述半导体构件包括第1导电类型的第1半导体区域、第2导电类型的第2半导体区域以及所述第1导电类型的第3半导体区域，所述第1半导体区域包括第1部分区域以及第2部分区域，所述第1部分区域在所述第1方向上处于所述第1电极与所述第2电极之间，所述第2半导体区域在所述第1方向上处于所述第1部分区域与所述第3半导体区域之间，所述第3半导体区域与所述第2电极电连接，从所述第3电极的一部分向所述第2半导体区域的第2方向与所述第1方向交叉，从所述第3电极的另一部分向所述第1部分区域的一部分的方向沿着所述第2方向，从所述第2部分区域向所述第1导电构件的方向沿着所述第1方向，从所述第1导电构件向所述第1部分区域的方向沿着所述第2方向；以及第1绝缘构件，包含硅以及氧，所述第1绝缘构件包括第1绝缘区域、第2绝缘区域以及第3绝缘区域，
所述第1绝缘区域在所述第1方向上处于所述第2部分区域与所述第1导电构件端部之间，所述第2绝缘区域在所述第2方向上处于所述第1导电构件与所述第1部分区域之间，从所述第1绝缘区域向所述第3绝缘区域中的至少一部分的方向沿着所述第2方向，所述第3绝缘区域在所述第1方向上的位置处于所述第2部分区域在所述第1方向上的位置与所述第2绝缘区域在所述第1方向上的位置之间，所述第3绝缘区域包括：第1区域，包含第1元素，该第1元素包括从包括氮、铝、铪以及锆的群选择的至少一个元素；第2区域，包含所述第1元素；以及第1中间区域，设置于所述第1区域与所述第2区域之间，所述第1区域在所述第2方向上处于所述第2区域的一部分与所述第1部分区域之间，所述第1中间区域不包含所述第1元素，或者，所述第1中间区域中的所述第1元素的浓度比所述第1区域中的所述第1元素的浓度低，比所述第2区域中的所述第1元素的浓度低，所述第1绝缘区域以及所述第2绝缘区域不包含所述第1元素，或者，所述第1绝缘区域中的所述第1元素的浓度以及所述第2绝缘区域中的所述第1元素的浓度分别比所述第1区域中的所述第1元素的所述浓度低，比所述第2区域中的所述第1元素的所述浓度低。10.一种半导体装置的制造方法，其中，在包括包含底面、下侧面以及上侧面的孔的半导体构件的所述底面、所述下侧面以及所述上侧面形成包含第1元素的第1膜，所述第1元素包括从包括氮、铝、铪以及锆的群选择的至少一个元素，所述下侧面与所述底面之间的距离比所述上侧面与所述底面之间的距离短，所述第1膜包括设置于所述底面的第1底面区域、设置于所述下侧面的第1下侧面区域以及设置于所述上侧面的第1上侧面区域，留下所述第1下侧面区域，并去除所述第1底面区域以及所述第1上侧面区域，在所述底面、所述第1下侧面区域以及所述上侧面形成包含第2元素的第2膜，所述第2元素包括从包括氮、铝、铪以及锆的群选择的至少一个元素，所述第2膜包括设置于所述底面的第2底面区域、设置于所述第1下侧面区域的第2下侧面区域以及设置于所述上侧面的第2上侧面区域，留下所述第2下侧面区域，并去除所述第2底面区域以及所述第2上侧面区域，在所述底面、所述第2下侧面区域以及所述上侧面形成包含硅以及氧的第2绝缘膜，在所述第2绝缘膜的形成之后的所述孔之中形成第1导电构件。

技术总结
提供能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1导电构件半导体构件以及第1绝缘构件。第1绝缘构件包括第1～第3位置。第1绝缘构件在第3位置处包含第1元素，该第1元素包括从包括氮、铝、铪以及锆的群选择的至少一个元素。第1绝缘构件在第1位置以及第2位置处不包含第1元素。或者，第1位置处的第1元素的浓度以及第2位置处的第1元素的浓度分别比第3位置处的第1元素的浓度低。1元素的浓度低。1元素的浓度低。


技术研发人员：小林勇介 清水达雄 井口智明 雁木比吕 根本宏树
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：2022.01.21
技术公布日：2022/12/5